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21. 发明申请

WO2012174846A1 可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体及生长方法和用途审中-公开
公开(公告)号：WO2012174846A1
公开(公告)日：2012-12-27
申请号：PCT/CN2012/000189
申请日：2012-02-17
申请人：中国科学院理化技术研究所 , 李如康 , 马营营
发明人：李如康 , 马营营
IPC分类号： C30B29/22 , G02B7/18 , G02B27/28
CPC分类号： G02B5/3091 , C30B9/12 , C30B11/006 , C30B11/02 , C30B11/06 , C30B15/20 , C30B17/00 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B5/3083
摘要：本发明涉及的可用于紫外深紫外的硼酸盐双折射晶体，其化学式是Ba 2 Mg(B 3 O 6 ) 2 ，属三方晶系，空间群是R-3，其中a=0.70528(3)nm，c=1.65520(9)nm；Z=12。该硼酸钡镁双折射晶体为负单轴晶体，n e o，透过范围是177-3000nm；双折射率在0.077-0.229之间；易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解。硼酸钡镁双折射晶体采用自熔体自发结晶法、熔体提拉法或助熔剂法生长；该硼酸钡镁双折射晶体具有较大的双折射率n o -n e =0.077-0.229；在光学和通讯领域有重要应用，可用于制作偏振分束棱镜。

22. 发明申请

WO2004079060A9 METHOD FOR PREPARING BORATE-BASED CRYSTAL AND LASER OSCILLATION APPARATUS 审中-公开
标题翻译：用于制备基于硼酸盐的晶体和激光振荡装置的方法
公开(公告)号：WO2004079060A9
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：PCT/JP2004001546
申请日：2004-02-13
申请人： JAPAN SCIENCE & TECH AGENCY , SASAKI TAKATOMO , MORI YUSUKE , YOSHIMURA MASASHI , NISHIOKA MUNEYUKI , FUKUMOTO SATORU , MATSUI TOMOYO , SAJI TAKASHI
发明人： SASAKI TAKATOMO , MORI YUSUKE , YOSHIMURA MASASHI , NISHIOKA MUNEYUKI , FUKUMOTO SATORU , MATSUI TOMOYO , SAJI TAKASHI
IPC分类号： C01B35/12 , C30B11/00 , C30B15/00 , C30B29/22
CPC分类号： C30B35/007 , C01B35/12 , C30B11/02 , C30B29/22
摘要： A method for preparing a borate-based crystal which comprises dissolving water-soluble raw materials into water to form an aqueous solution, evaporating the water in the aqueous solution or evaporating the water followed by sintering, to thereby provide a material for raising a crystal, melting the resultant material for raising a crystal, and then growing the borate-based crystal; and a laser oscillation apparatus using a borate-based crystal prepared by the method as an optical element for wavelength conversion. The method allows the preparation of a borate-based crystal being useful as an optical element for wavelength conversion or the like, with a reduced time required for the preparation, at a reduced cost, with ease, with enhanced uniformity in quality and excellent reliability, and the laser oscillation apparatus exhibits enhanced reliability.
摘要翻译：一种制备硼酸盐基晶体的方法，其包括将水溶性原料溶解在水中以形成水溶液，蒸发水中的水或蒸发水，随后烧结，从而提供用于提高晶体的材料，熔化所得材料以提高晶体，然后生长硼酸盐基晶体; 以及使用通过该方法制备的基于硼酸盐的晶体作为用于波长转换的光学元件的激光振荡装置。该方法允许制备硼酸盐基晶体作为波长转换等的光学元件，随着制备时间的缩短，容易地降低成本，提高了质量的均匀性和优异的可靠性，激光振荡装置的可靠性提高。

23. 发明申请

WO2017006597A1 ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法审中-公开
标题翻译：基于CdTe的化合物单晶及其生产方法
公开(公告)号：WO2017006597A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/JP2016/059996
申请日：2016-03-29
申请人： JX金属株式会社
发明人：村上　幸司 , 野田　朗
IPC分类号： C30B29/48 , C30B33/02
CPC分类号： C30B29/48 , C01B19/04 , C01P2004/02 , C01P2004/62 , C01P2006/40 , C30B11/02 , C30B33/02
摘要：Ｔｅ析出物を微小化させた、高抵抗のＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法を提供する。本発明のＣｄＴｅ系化合物単結晶は、光散乱トモグラフィ法の分析により、析出物の粒径が０．１μｍ未満である。前記ＣｄＴｅ系化合物単結晶において、抵抗率が１×１０ 7 Ωｃｍ以上であってもよい。また、前記ＣｄＴｅ系化合物単結晶において、前記光散乱トモグラフィ法の分析により、粒径０．１μｍ以上の析出物が検出されない。前記ＣｄＴｅ系化合物単結晶において、前記析出物は、Ｔｅ析出物であってもよい。
摘要翻译：提供：其中Te沉淀物的尺寸减小的高电阻率CdTe基复合单晶; 以及CdTe类化合物单晶的制造方法。在本发明的CdTe类化合物单晶中，通过光散射断层摄影法测定，析出物的粒径小于0.1μm。在CdTe基复合单晶中，电阻率可以为1×10 7Ωcm以上。在CdTe类化合物单晶中，通过光散射断层摄影法在分析中未检测到具有0.1μm以上的颗粒大小的沉淀物。在CdTe基复合单晶中，析出物可以是Te沉淀。

24. 发明申请

WO2016046983A1 結晶成長方法审中-公开
标题翻译：晶体生长方法
公开(公告)号：WO2016046983A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/JP2014/075717
申请日：2014-09-26
申请人：株式会社日立製作所
发明人：石津　崇章 , 小南　信也 , 上野　雄一郎 , 神田　喬之
IPC分类号： C30B11/02
CPC分类号： C30B11/02
摘要：　半導体結晶の原料の高純度化を行うと共に、高純度で質の高い結晶として単離可能である高効率の結晶成長方法を提供することを課題とする。結晶性原料（１）を一端が閉ざされた管状容器（２）に収容し前記管状容器（２）を略水平にした後、前記管状容器（２）に収容した前記結晶性原料（１）の一端から他端へ帯状に溶融させた部分を略水平方向に順次移動させて前記結晶性原料（１）に含まれる不純物を前記結晶性原料（１）の前記他端に偏析させる精製工程（Ｓ１）と、不純物を偏析させた前記結晶性原料（１）を部分融解して不純物の少ない精製原料（１１）と不純物の多い不純原料（１２）とに分離する分離工程（Ｓ２）と、略垂直方向にした前記容器（２）内において、前記不純原料は凝固状態で分離したまま前記精製原料（１１）は溶融状態とした後冷却して結晶を成長させる結晶成長工程（Ｓ３）と、をこの順に同一の容器で行うことを特徴とする結晶成長方法。
摘要翻译：本发明解决了提供一种高效净化半导体晶体材料的高效晶体生长方法以及可分离出高纯度高品质晶体的问题。晶体生长方法包括在同一容器中按以下顺序执行的以下步骤：将结晶材料（1）放置在一端封闭的管状容器（2）中的精炼步骤（S1）管状容器（2），然后依次移动放置在管状容器（2）中的一部分结晶材料（1），并将其从一端至大致水平方向的一端熔化成带状，从而将包含在管状容器结晶材料（1）到结晶材料（1）的另一端; 分离步骤（S2），其部分地熔化其中已经分离杂质的结晶材料（1），以将其分离成具有较少杂质的精制材料（11）和具有更多杂质的不纯物质（12）; 以及在将固化物熔化后的精制材料（11）在固化状态下分离的不纯物质进行冷却的晶体生长工序（3），并使容器（2）中的晶体生长在大致垂直的位置。

25. 发明申请

WO2015119692A3 LAYERED MANUFACTURING OF SINGLE CRYSTAL ALLOY COMPONENTS 审中-公开
标题翻译：单晶合金元件的分层制造
公开(公告)号：WO2015119692A3
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：PCT/US2014065205
申请日：2014-11-12
申请人： GEN ELECTRIC
发明人： ROCKSIROH TODD JAY , GIGLIOTTI MICHAEL FRANCIS XAVIER , CARTER WILLIAM THOMAS , ABBOTT DAVID HENRY , KELKAR RAJENDRA MACHUKAR
IPC分类号： C30B11/00 , B22F3/105 , B29C67/00 , C30B29/52
CPC分类号： B23K26/342 , B22F3/1055 , B22F2003/1057 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/144 , B23K26/702 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y80/00 , C30B11/00 , C30B11/003 , C30B11/005 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/52 , F05D2220/32 , F05D2230/31 , F05D2240/24 , F05D2300/175 , H05B3/0061 , H05B6/101 , Y02P10/295
摘要： A method of making a component (C) includes: depositing a metallic powder (P) on a workplane (128); directing a beam from a directed energy source (124) to fuse the powder (P) in a pattern corresponding to a cross-sectional layer of the component (C); repeating in a cycle the steps of depositing and fusing to build up the component (C) in a layer-by layer fashion; and during the cycle of depositing and melting, using an external heat control apparatus (144, 146, 150, 154) separate from the directed energy source (124) to maintain a predetermined temperature profile of the component (C), such that the resulting component (C) has a directionally-solidified or single-crystal microstructure.
摘要翻译：制造部件（C）的方法包括：将金属粉末（P）沉积在工作平面（128）上; 引导来自定向能量源（124）的光束以对应于部件（C）的横截面层的图案熔合粉末（P）; 在一个循环中重复沉积和熔化以逐层构建组分（C）的步骤; 并且在沉积和熔化的循环过程中，使用与定向能量源（124）分开的外部热控制装置（144,146,150,154）以维持组分（C）的预定温度分布，使得所得到的组分（C）具有定向凝固或单晶微观结构。

26. 发明申请

WO2015150681A1 CREUSET, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU CREUSET, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MATÉRIAU CRISTALLIN AU MOYEN D'UN TEL CREUSET 审中-公开
标题翻译：可制造的制造方法，制造可溶性的方法，以及通过这种可塑性制造晶体材料的方法
公开(公告)号：WO2015150681A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/FR2015/050818
申请日：2015-03-30
申请人： COMMISSARIAT À L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： CHAVRIER, Denis , GARANDET, Jean-Paul , PIHAN, Etienne
IPC分类号： C30B35/002 , C30B11/002 , C30B33/06
CPC分类号： C30B11/002 , B05D3/007 , B05D7/22 , B28D5/04 , C30B11/02 , C30B29/06 , C30B33/00 , C30B33/06 , C30B35/002 , H01L31/1804 , H01L31/1864
摘要： L'invention concerne un creuset (1) pour la formation d'un matériau cristallin par solidification par reprise sur germe, comprenant un fond (2), au moins une paroi latérale (3) orthogonale au fond (2) du creuset (1), et des moyens de matérialisation de la position d'au moins un germe destiné à être positionné au fond du creuset, ledit germe comportant au moins des première et deuxième faces orthogonales au fond du creuset. Les moyens de matérialisation comprennent au moins deux repères (4) s'étendant sur la face interne de la au moins une paroi latérale (3) suivant un axe orthogonal au fond du creuset (1). Les positions respectives de deux au moins des repères sur l'une au moins des parois latérales (3) définissent, dans le matériau cristallin, un premier plan de découpe tangent à la première face dudit germe et un deuxième plan de découpe tangent à la deuxième face dudit germe.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过在种子上生长固化形成结晶材料的坩埚（1），其包括基体（2），与坩埚（1）的基部（2）正交的至少一个侧壁（3））和用于表示旨在定位在坩埚的基部处的至少一个种子的位置的装置，所述种子包括至少与坩埚的基部正交的第一和第二面。所述表示装置包括至少两个沿着与所述坩埚（1）的基底正交的轴线在所述至少一个侧壁（3）的内表面上延伸的标记（4）。在至少一个侧壁（3）上的至少两个标记的相应位置在结晶材料中限定与所述种子的第一面切线的第一切割平面和与第二面相切的第二切割平面的种子。

27. 发明申请

WO2015017098A1 USE OF SILICON NITRIDE AS A SUBSTRATE AND A COATING MATERIAL FOR THE RAPID SOLIDIFICATION OF SILICON 审中-公开
标题翻译：硅氮化物作为基体的使用和涂层材料的快速固化硅
公开(公告)号：WO2015017098A1
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：PCT/US2014/046070
申请日：2014-07-10
申请人： SACHS, Christoph
发明人： SACHS, Christoph
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/56
CPC分类号： H01L31/186 , B22C3/00 , C30B11/00 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B11/02 , C30B19/00 , C30B19/067 , C30B19/12 , C30B28/06 , C30B29/06 , C30B35/002 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Silicon nitride particles are used as a coating or substrate material for kerfless wafer making technologies.
摘要翻译：氮化硅颗粒用作无切屑晶片制造技术的涂层或基材。

28. 发明申请

WO2013136984A1 多結晶シリコンロッド审中-公开
标题翻译：多晶硅棒
公开(公告)号：WO2013136984A1
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：PCT/JP2013/055143
申请日：2013-02-27
申请人：株式会社トクヤマ
发明人：石田　晴之 , 井村　哲也 , 相本　恭正
IPC分类号： C01B33/035 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/66 , C01B33/035 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/607 , Y10T428/12674
摘要：【課題】　融解に要するエネルギー量が少なく、シリコン単結晶製造原料またはキャスティング法シリコンインゴット製造原料として用いた際に、エネルギーコスト削減に寄与しうる多結晶シリコンロッドを提供すること。【解決手段】　本発明に係る多結晶シリコンロッドは、シリコン芯線を中心に放射状に多結晶シリコンを析出させてなり、円柱状のロッドを軸方向に対して垂直に切断した切断面において、芯線部分を除いた面で観察される結晶のうち、長径が５０μｍ以上である粗大結晶粒子の面積割合が２０％以上であることを特徴としている。
摘要翻译： [问题]提供一种多晶硅棒，其需要很少的能量进行熔化，并且当用作硅单晶制造材料或铸造方法硅锭制造材料时可以有助于降低能量成本。 [解决方案]该多晶硅棒由径向绕硅芯线的多晶硅形成，其特征在于，在相对于圆柱形杆的轴向方向为垂直切口的横截面中，表面积由直径50μm以上的粗结晶粒子覆盖的除了芯线部分以外的观察到的晶体的20％以上。

29. 发明申请

WO2013019401A1 LIQUID-COOLED HEAT EXCHANGER 审中-公开
标题翻译：液体冷却热交换器
公开(公告)号：WO2013019401A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/US2012/047061
申请日：2012-07-17
申请人： GTAT CORPORATION , CHARTIER, Carl
发明人： CHARTIER, Carl
IPC分类号： C30B15/14 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B11/00
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B11/007 , C30B11/02 , C30B29/06 , F28D15/00 , F28F13/00
摘要： A crystal growth furnace comprising a crucible containing at least feedstock material and a liquid-cooled heat exchanger that is vertically movable beneath the crucible to extract heat from it to promote the growth of a crystalline ingot is disclosed. The liquid-cooled heat exchanger comprises a heat extraction bulb made of high thermal conductivity material that is vertically movable into thermal communication with the crucible to extract heat from the crucible using a liquid coolant. A liquid-cooled heat exchanger enclosed in a sealed tubular outer jacket is also disclosed as is a method for producing a crystalline ingot using a vertically movable liquid-cooled heat exchanger.
摘要翻译：公开了一种晶体生长炉，其包含至少含有原料的坩埚和液体冷却的热交换器，其可在坩埚下垂直移动以从其中提取热量以促进晶锭的生长。液冷式热交换器包括由高导热性材料制成的散热灯泡，其可垂直移动以与坩埚热连通，以使用液体冷却剂从坩埚中提取热量。还公开了封闭在密封管状外护套中的液冷式热交换器，其是使用可垂直移动的液冷式热交换器来生产结晶锭的方法。

30. 发明申请

WO2010003573A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DOTIERTEN GALLIUMARSENIDSUBSTRATWAFERN MIT NIEDRIGEM OPTISCHEN ABSORPTIONSKOEFFIZIERTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产掺杂GALLIUMARSENIDSUBSTRATWAFERN低光学ABSORPTIONSKOEFFIZIERTEN
公开(公告)号：WO2010003573A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/EP2009/004717
申请日：2009-06-30
申请人： FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH , KRETZER, Ulrich , BÖRNER, Frank , EICHLER, Stefan , KROPFGANS, Frieder
发明人： KRETZER, Ulrich , BÖRNER, Frank , EICHLER, Stefan , KROPFGANS, Frieder
IPC分类号： C30B29/42 , C30B15/04 , C30B11/00
CPC分类号： C30B11/02 , C30B11/00 , C30B11/04 , C30B15/04 , C30B29/42
摘要： Es wird ein Verfahren offenbart zur Herstellung eines dotierten Galliumarsenid-Einkristalls durch Schmelzen eines Galliumarsenid-Ausgangsmaterials und anschließender Erstarrung der Galliumarsenid-Schmelze, wobei die Galliumarsenid-Schmelze gegenüber der stöchiometrischen Zusammensetzung einen Überschuß an Gallium enthält, und wobei für eine Borkonzentration in der Schmelze oder im erhaltenen Kristall von mindestens 5x10 17 cm -3 gesorgt wird. Der so erhältliche Kristall zeichnet sich durch eine einzigartige Kombination aus niedriger Versetzungsdichte, hoher Leitfähigkeit und dennoch ausgezeichneter, sehr niedriger optischer Absorption insbesondere im Bereich des nahen Infrarot aus.
摘要翻译：有公开了一种用于通过熔化砷化镓原料和砷化镓熔体的随后的固化产生掺杂砷化镓单晶的方法，所述化学计量组成的砷化镓熔体含有过量的镓，并且其中，用于在熔体中的硼浓度，或在所获取的至少5×1017厘米三分之一的晶体被提供由此获得的晶体的特征在于，位错密度低，高导电性，并且还优良，非常低的光学吸收的独特组合，特别是在近红外区域中。

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