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1. 发明申请

WO2020000601A1 水平舟生产法的反应装置审中-公开
公开(公告)号：WO2020000601A1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：PCT/CN2018/101411
申请日：2018-08-21
申请人：汉能新材料科技有限公司
发明人：雷仁贵 , 肖亚东 , 谈笑天
IPC分类号： C30B29/42 , C30B11/02 , C30B11/00
摘要：本公开提供了一种用于水平舟生产法的反应装置。该装置包括密闭反应管，以及，水平舟容器，其中，所述水平舟容器包括多个第一层水平舟容器，在所述第一层水平舟容器的至少一个上设置有支架装置，在所述支架装置上叠置一第二层水平舟容器。

2. 发明申请

WO2020259000A1 一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法及应用审中-公开
公开(公告)号：WO2020259000A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/CN2020/084458
申请日：2020-04-13
申请人：南京同溧晶体材料研究院有限公司
发明人：徐军 , 赵衡煜 , 王东海 , 李东振 , 王庆国
IPC分类号： C30B29/22 , C30B11/02 , C30B13/00 , C30B15/08 , C09K11/78
摘要：一种氧化镥基质的闪烁晶体制备方法，按照化学通式(Lu 1-x M x Yb y ) 2 O 3 称取化学计量比的氧化镥，氧化镱和所需的稀土离子氧化物，混合均匀后，根据需要等静压成料饼或料棒，烧结后，选用氧化镥陶瓷棒或单晶作为籽晶进行晶体生长，获得晶体中掺杂了Yb 3+ 作为激活离子。

3. 发明申请

WO2016046983A1 結晶成長方法审中-公开
标题翻译：晶体生长方法
公开(公告)号：WO2016046983A1
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：PCT/JP2014/075717
申请日：2014-09-26
申请人：株式会社日立製作所
发明人：石津　崇章 , 小南　信也 , 上野　雄一郎 , 神田　喬之
IPC分类号： C30B11/02
CPC分类号： C30B11/02
摘要：　半導体結晶の原料の高純度化を行うと共に、高純度で質の高い結晶として単離可能である高効率の結晶成長方法を提供することを課題とする。結晶性原料（１）を一端が閉ざされた管状容器（２）に収容し前記管状容器（２）を略水平にした後、前記管状容器（２）に収容した前記結晶性原料（１）の一端から他端へ帯状に溶融させた部分を略水平方向に順次移動させて前記結晶性原料（１）に含まれる不純物を前記結晶性原料（１）の前記他端に偏析させる精製工程（Ｓ１）と、不純物を偏析させた前記結晶性原料（１）を部分融解して不純物の少ない精製原料（１１）と不純物の多い不純原料（１２）とに分離する分離工程（Ｓ２）と、略垂直方向にした前記容器（２）内において、前記不純原料は凝固状態で分離したまま前記精製原料（１１）は溶融状態とした後冷却して結晶を成長させる結晶成長工程（Ｓ３）と、をこの順に同一の容器で行うことを特徴とする結晶成長方法。
摘要翻译：本发明解决了提供一种高效净化半导体晶体材料的高效晶体生长方法以及可分离出高纯度高品质晶体的问题。晶体生长方法包括在同一容器中按以下顺序执行的以下步骤：将结晶材料（1）放置在一端封闭的管状容器（2）中的精炼步骤（S1）管状容器（2），然后依次移动放置在管状容器（2）中的一部分结晶材料（1），并将其从一端至大致水平方向的一端熔化成带状，从而将包含在管状容器结晶材料（1）到结晶材料（1）的另一端; 分离步骤（S2），其部分地熔化其中已经分离杂质的结晶材料（1），以将其分离成具有较少杂质的精制材料（11）和具有更多杂质的不纯物质（12）; 以及在将固化物熔化后的精制材料（11）在固化状态下分离的不纯物质进行冷却的晶体生长工序（3），并使容器（2）中的晶体生长在大致垂直的位置。

4. 发明申请

WO2008063715A3 CRYSTAL GROWTH SYSTEM AND METHOD FOR LEAD-CONTAINED COMPOSITIONS USING BATCH AUTO-FEEDING 审中-公开
公开(公告)号：WO2008063715A3
公开(公告)日：2008-05-29
申请号：PCT/US2007/073412
申请日：2007-07-12
申请人： H. C. MATERIALS CORP. , HAN, Pengdi , TIAN, Jian
发明人： HAN, Pengdi , TIAN, Jian
IPC分类号： C30B11/02
摘要： This invention includes a system and a method for growing crystals including a batch auto-feeding mechanism. The proposed system and method provide a minimization of compositional segregation effect during crystal growth by controlling growth rate involving a high-temperature flow control system operable in an open and a closed loop crystal growth process. The ability to control the growth rate without corresponding loss of volatilize-able elements enables significantly improvement in compositional homogeneity and a consequent increase in crystal yield. This growth system and method can be operated in production scale, simultaneously for a plurality of growth crucibles to further the reduction of manufacturing costs, particularly for the crystal materials of binary or ternary systems with volatile components, such as Lead (Pb) and Indium (In).

5. 发明申请

WO2016034501A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 审中-公开
标题翻译：生产硅基板的方法
公开(公告)号：WO2016034501A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/EP2015/069711
申请日：2015-08-27
申请人： BARET, Guy
发明人： BARET, Guy
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/02 , C30B15/00 , C30B15/06 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/001 , C30B11/002 , C30B15/002 , C30B15/06 , C30B15/10
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'un substrat de silicium purifié cristallin pour la réalisation de cellules photovoltaïques. La technologie traditionnelle de sciage d'un lingot de silicium conduit à des pertes matière importantes et une variabilité dans le taux de dopage du silicium qui varie en fonction de la position dans le lingot. L'invention décrit un procédé sans perte matière et qui produit des substrats parfaitement plans. Selon l'invention, un substrat de silicium est élaboré par flottation du silicium liquide 2 à la surface d'un bain liquide 10 de fluorures d'au moins un élément chimique de la colonne II de la classification périodique puis par le refroidissement de la couche de silicium liquide jusqu'à la solidification et la cristallisation de cette couche de silicium. Selon l'invention, le silicium 1 est porté en fusion dans un creuset 20 qui se déverse sur le bain liquide de fluorures. Le silicium liquide puis solide s'écoule alors en surface du bain de fluorures fondus. Une bande de silicium cristallisé 4 est ensuite extraite et découpée selon la géométrie voulue pour les substrats. Selon un développement de l'invention le silicium est apporté sous forme d'une poudre en surface du bain de fluorures fondus.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产纯化的晶体硅衬底以制造光伏电池的方法。用于锯切硅锭的常规技术导致材料的显着损失和硅的掺杂速率的变化，其根据锭中的位置而变化。本发明描述了一种不会导致材料损失并产生完全平坦的基底的方法。根据本发明，通过使来自周期表的列II的至少一种化学元素的氟化物的液体浴10的表面上的液体硅2浮起，然后通过冷却液态硅层直到所述硅层固化并结晶。根据本发明，将硅1熔化在排放到氟化物液浴上的锅20中。以前的液体和现在的固体硅因此流过熔融氟化物浴的表面。然后将一块结晶硅4提取并切割成用于基底的所需形状。根据本发明的发展，硅在熔融氟化物浴的表面上以粉末形式携带。

6. 发明申请

WO2014161774A1 VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUR GERICHTETEN ERSTARRUNG EINES EINKRISTALLINEN PLATTENFÖRMIGEN KÖRPERS 审中-公开
标题翻译：方法和系统定向固化单晶盘状主体
公开(公告)号：WO2014161774A1
公开(公告)日：2014-10-09
申请号：PCT/EP2014/056244
申请日：2014-03-28
申请人： SCHOTT AG
发明人： SEIDL, Albrecht , VOITSCH, Andreas , BIRKMANN, Bernhard , KUDLA, Christian , STIEBLER, Kirsten
IPC分类号： C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/20
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B11/14 , C30B29/20
摘要： Verfahren und Anordnung zur gerichteten Erstarrung eines einkristallinen plattenförmigen Körpers Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung und ein Verfahren zur gerichteten Erstarrung eines einkristallinen plattenförmigen Körpers aus einem in einer eine Umfangswandung (32, 34) und eine Bodenwandung (28) aufweisenden in einem Ofen (12) angeordneten Wanne aufgeschmolzenen Material, wobei innenseitig in einem ersten Bereich der Umfangswandung der Wanne zumindest ein Einkristallkeim (46) angeordnet und angeschmolzen wird, der angeschmolzene Bereich mit in der Wanne geschmolzenem Material in Berührung gelangt und sodann durch Temperatureinwirkung eine Kristallwachstumsfront gebildet wird, die von dem zumindest einen Einkristallkeim ausgehend zur gegenüberliegenden Seite der Umfangswandung als zweiten Bereich bewegt wird. Um mit konstruktiv einfachen Maßnahmen einkristalline plattenförmige Körper herzustellen, wird vorgeschlagen, dass die Wanne im Ofen stationär angeordnet wird, dass die Umfangswandung in dem den zumindest einen Einkristallkeim aufweisenden ersten Bereich kontrolliert gekühlt wird, und dass das Bewegen der Kristallwachstumsfront durch einen in dem Ofen horizontal verlaufenden Temperaturgradienten erzeugt wird.
摘要翻译：方法和装置的单晶板状体本发明涉及一种装置和用于单晶板状体的从在一个周壁的定向凝固的方法（32，34）和具有在烘箱中的底壁（28）的定向凝固（12 ）布置浴中熔融材料，从而布置在所述桶的周壁的第一区域内，至少一个单晶种子（46）和被融合，在桶的熔融材料的熔合区域抵接，然后晶体生长前受温度的作用形成的至少一个单晶种子移动到相反侧比第二外围区域的基础上。为了产生具有结构简单的措施单晶板状体，其在炉中的槽被设置固定的，该周向壁，其中具有所述第一区域被冷却控制所述至少一个单晶籽提出，并且所述的晶体生长前的炉中的运动水平由延伸温度梯度产生。

7. 发明申请

WO02006569A1 CRYSTALLINE PRODUCT HAVING FREE SURFACE OF GROWN CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：具有结晶自由表面的结晶产品及其制造方法
公开(公告)号：WO02006569A1
公开(公告)日：2002-01-24
申请号：PCT/JP2001/004633
申请日：2001-06-01
IPC分类号： C30B11/02 , C30B11/00
CPC分类号： C30B11/002 , C30B11/00 , C30B29/40
摘要： A crystalline article having a shape of a product, characterized by having a free surface of a grown crystalline material of an inorganic material, wherein the free surface of a grown crystalline material is a surface of a grown single crystal or a grown polycrystalline material; and a method for producing a crystalline product which comprises providing a melt of an inorganic material having the shape of a product and also being repellent against the wall of a container and solidifying or crystallizing the melt while maintaining the condition of the above repellency, to produce a crystalline article having a shape of a product and having a free surface of a grown crystalline material. The method allows the production of a crystalline article and crystalline product having good performance capabilities with a reduced cost achieved by a large scale production.
摘要翻译：一种具有产品形状的结晶制品，其特征在于具有无机材料的生长结晶材料的自由表面，其中生长的结晶材料的自由表面是生长的单晶或生长的多晶材料的表面; 以及生产结晶产品的方法，其包括提供具有产品形状的无机材料的熔体并且还可以抵抗容器的壁，并且在保持上述排斥性的状态的同时使熔体固化或结晶，从而产生具有产品形状且具有生长的结晶材料的自由表面的结晶制品。该方法允许生产具有良好性能的结晶产品和结晶产品，并通过大规模生产实现降低的成本。

8. 发明申请

WO01073168A1 PROCESS AND DEVICE FOR GROWING SINGLE CRYSTALS, ESPECIALLY OF CaF2 审中-公开
标题翻译：用于生长单晶的方法和装置，特别是CaF2
公开(公告)号：WO01073168A1
公开(公告)日：2001-10-04
申请号：PCT/US2001/003759
申请日：2001-02-06
IPC分类号： C30B29/12 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B11/14 , C30B1/02
CPC分类号： C30B11/007 , C30B11/00 , C30B11/001 , C30B29/12
摘要： The present invention relates to a process and a device for growing single crystals, especially of CaF2. Within the framework of said process, a stack of crucibles (100, 101, ..., 106, ...) containing the starting material is successively moved translationally through a melting chamber (C1) and an annealing chamber (C2), said movement being continuous, smooth and without interruption. The present invention provides for the preparation of fluoride, single crystals, particularly optical fluoride single crystals and optical UV lambda
摘要翻译：本发明涉及用于生长单晶，特别是CaF2的方法和装置。在所述方法的框架内，包含起始材料的一堆坩埚（100,101，...，106，...）被平移地依次移动通过熔化室（C1）和退火室（C2），所述运动连续，平稳无间断。本发明提供氟化物，单晶，特别是氟化物单晶和光学UVλ<248nm光刻元件坯料，最优选CaF 2的制备。

9. 发明申请

WO98039502A1 METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALS OF HIGH-TEMPERATURE SUPRACONDUCTORS MADE OF RARE EARTH-CUPRATES OF FORM SE1+xBa2-xCu3O7- delta 审中-公开
标题翻译：稀土的高温超导体的单晶育种方法铜酸盐形式SE1 + XBA2-xCu3O7-增量
公开(公告)号：WO98039502A1
公开(公告)日：1998-09-11
申请号：PCT/EP1998/000851
申请日：1998-02-14
IPC分类号： C01G3/00 , C04B35/45 , C30B1/02 , C30B11/00 , C30B11/02 , C30B29/22 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01L39/24
CPC分类号： H01L39/2419 , C30B11/02 , C30B29/22
摘要： The invention relates to a method for growing monocrystals of high-temperature supraconductors made of rare earth-cuprates of SE1+xBa2-xCu3O7- delta . Two basic methods, i.e. crystallization and melt processing, enable crystals or quasi- monocrystals to be obtained with technico-physical characteristics that substantially improve upon known Y123 data, wherein transition temperature (Tc), current density (j) and field (B) are fundamentally present. This is achieved though an initial powder mixture that is low in rare earth, by crystallization or melt processing using a variable partial oxygen pressure (P02) and an oxidation process with targeted reduction of oxygen. The invention also describes the superiority of Nd123 over Y123, the latter being hitherto known and researched by specialists.
摘要翻译：这将SE1 + XBA2-xCu3O7-增量描述用于生长模具的稀土铜酸盐的高温超导体的单晶的方法。关于两种基本工艺路线中，结晶和熔融质地，晶体或Quasieinkristalle来获得显著超过在Y123已知数据的其技术上的物理性能，因为有基本上Tc时，电流密度j和字段B的原因是在搜索一个起始粉末混合物seltenerdarmen，结晶或在变化的氧分压P02和具有受控的氧还原的氧化工艺熔化织构化。特别Nd123的优越性与现有技术相比在公知的，并且广泛研究Y123中示出。

10. 发明申请

WO2019222997A1 一种制备氮化铝晶体的装置和方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019222997A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/CN2018/088423
申请日：2018-05-25
申请人：深圳大学
发明人：覃佐燕 , 武红磊 , 钟旭辉 , 郑瑞生
IPC分类号： C30B29/38 , C30B11/02
摘要：一种制备氮化铝晶体的装置及方法，涉及材料制备技术领域，该装置包括：第一坩埚（101）、第二坩埚（102）、衬底（103）和调温台（104）；所述第一坩埚（101）包括原料腔和反应腔，其中，所述反应腔的直径大于原料腔的直径，所述原料腔位于所述第一坩埚（101）的底部，所述反应腔位于所述第一坩埚（101）的开口处；所述衬底（103）覆盖所述第一坩埚（101）的开口，以使氮化铝晶体在所述反应腔升华后凝结于所述衬底（103）上；所述调温台（104）为中空结构，且中空部位的直径最小的一侧置于所述衬底（103）上，以调整所述衬底（103）与外部空气的接触面积；所述第二坩埚（102）包括原料腔和反应腔，其中，所述第二坩埚（102）的原料腔位于所述第二坩埚（102）的底部，所述第二坩埚（102）的原料腔的直径小于所述第二坩埚（102）的反应腔的直径。

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