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11. 发明申请

WO2010017793A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010017793A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/DE2009/000989
申请日：2009-07-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , WEIMAR, Andreas , FISCHER, Helmut , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
发明人： WEIMAR, Andreas , FISCHER, Helmut , ALBRECHT, Tony , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/44
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Träger (3), - einer reflektierenden Schicht (1), die ein zur Migration neigendes Metall enthält, wobei die reflektierende Schicht (1) auf dem Träger (3) angeordnet ist, - einem Halbleiterkörper (2), der an der dem Träger (3) abgewandten Seite der reflektierenden Schicht (1) angeordnet ist und die reflektierende Schicht (1) an einer Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überragt, und - einer Migrationssperre (4), welche die Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überdeckt, wobei die Migrationssperre (4) ein Metall enthält.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 载体（3）， - 反射层（1）含有朝向金属的迁移，其中，在所述支撑件（3）的反射层（1）被布置在趋向， - 一个半导体主体（2），反射层（1）的（3）上面向远离所述支撑侧的位置，和在所述反射层（1）的突出端，和一个侧表面（1a）的反射层（1） - 迁移屏障（4）反射层的侧表面（1A）（1）覆盖，所述迁移屏障（4）包含金属。

12. 发明申请

WO2009140939A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT EINER REFLEKTIERENDEN SCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2009140939A3
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/DE2009/000576
申请日：2009-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , WEIMAR, Andreas , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , EICHINGER, Christian , NEVELING, Kerstin
发明人： ALBRECHT, Tony , WEIMAR, Andreas , KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna , EICHINGER, Christian , NEVELING, Kerstin
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einer ersten Kontaktstelle (1) und einer zweiten Kontaktstelle (2), - einer reflektierenden Schicht (3), die direkt elektrisch leitend an die zweite Kontaktstelle angeschlossen ist, wobei - die reflektierende Schicht ein zur Migration neigendes Metall enthält und - die reflektierende Schicht derart angeordnet ist, dass sich für das Metall ein Migrationspfad (4) zwischen der zweiten und der ersten Kontaktstelle ausbilden kann, wobei - am Halbleiterchip ein Mittel (6) vorgesehen ist, das im Betrieb des Halbleiterchips ein elektrisches Feld ausbildet, das der Migration des Metalls entgegenwirkt.

13. 发明申请

WO2006034677A1 OPTISCHES SENSORMODUL 审中-公开
标题翻译：光学传感器模块
公开(公告)号：WO2006034677A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/DE2005/001667
申请日：2005-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , G01S15/58
CPC分类号： G01S7/4916 , G01P3/36 , G01P3/366 , G01S7/4812 , G01S17/50 , G06F3/0304 , H01S5/026 , H01S5/0264 , H01S5/0425 , H01S5/0683 , H01S5/1032 , H01S5/18311 , H01S5/2022
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Sensormodul (1) in einem Halbleiterkörper, der eine Halbleiterlaservorrichtung (1a) zur Emission von kohärenter Strahlung (3), ein Detektorelement (1b) mit einer strahlungsdetektierenden Zone (12b) und einen Wellenleiter (12c) aufweist, wobei das Detektorelement (1b) über den Wellenleiter (12c) mit der Halbleiterlaservorrichtung (1a) verbunden ist. Es zeichnet sich dadurch aus, dass der Wellenleiter (12c) in einer Richtung quer zur Hauptstrahlungsrichtung der von der Halbleiterlaservorrichtung (1a) emittierten kohärenten Strahlung (3) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Messung der Relativbewegung eines Objekts (2) gegenüber einem solchen optischen Sensormodul (1).
摘要翻译：本发明涉及一种具有用于相干辐射的发射的半导体激光器件（1a）中的光学传感器模块（1）在半导体本体（3），检测器元件（1B）与检测辐射的区域（12B）和波导（12C），其中，所述检测器元件（1B）连接到所述波导（12C）至所述半导体激光器件（1a）中。它布置，其特征在于所述波导（12C）的方向上朝向所述半导体激光装置的主辐射方向（1a）的相干辐射发射横向（3）。本发明还涉及一种方法，用于测量物体（2）的相对的相对运动，以这样的光学传感器模块（1）。

14. 发明申请

WO2012171817A2 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2012171817A2
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：PCT/EP2012/060393
申请日：2012-06-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
发明人： REUFER, Martin , MAUTE, Markus , ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: - Bereitstellen zumindest eines Halbleiterkörpers (1); - Einbringen von zumindest einem Graben (2) mittels zumindest eines Strukturierungsprozesses (3) in den Halbleiterkörper (1), wobei - der Graben (2) in einer vertikalen Richtung (V) die aktive Zone (12) durchbricht; - Anwendung zumindest eines Reinigungsprozesses (4) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2), wobei - der Reinigungsprozess (4) zumindest einen Plasmareinigungsprozess (33) umfasst, und - der Plasmareinigungsprozess (44) eine Anzahl und/oder eine räumliche Ausdehnung von Strukturierungsrückständen (333) an freiliegenden Stellen des Halbleiterkörpers (1) zumindest im Bereich des Grabens (2) zumindest verringert; - Aufbringen zumindest einer Passivierungsschicht (5) zumindest auf freiliegende Stellen des Halbleiterkörpers (1) im Bereich des Grabens (2).
摘要翻译：一种用于制造多个给定光电半导体芯片的方法，包括至少以下步骤： - 提供至少一个半导体本体（1）; - （2）通过在半导体本体的至少一个图案化工艺（3）的装置将至少一个沟槽（1），其中 - 所述槽（2）在垂直方向（V）突破了有源区（12）; - 至少在至少一个清洁过程（4）的应用在半导体本体的暴露的部分（1）在所述沟槽的区域（2），其中 - 所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及 - 所述等离子清洁工艺（44）包括一个数字和 /或在半导体本体（1）至少在所述沟槽的区域（2）被至少减少外露部分结构化残留物（333）的空间范围; - 在所述沟槽的区域上的半导体主体（1）的外露部分施加至少至少一个钝化层（5）（2）。

15. 发明申请

WO2007118440A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2007118440A2
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/DE2007/000473
申请日：2007-03-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUTGEN, Stephan , BRICK, Peter , ALBRECHT, Tony
发明人： LUTGEN, Stephan , BRICK, Peter , ALBRECHT, Tony
CPC分类号： H01S5/18388 , H01S3/108 , H01S3/109 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/227 , H01S5/4025 , H01S5/4031
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement, umfassend einen Halbleiterkörper (1) mit: einem oberflächenemittierenden Vertikalemitterbereich (2) umfassend eine Vertikalemitterschicht (3), zumindest einer Pumpquelle (4), die zum optischen Pumpen der Vertikalemitterschicht (3) vorgesehen ist, und einer Strahlungsdurchtrittsfläche (26) durch die in der Vertikalemitterschicht erzeugte elektromagnetische Strahlung (31) den Halbleiterkörper (1) verlässt, angegeben, wobei die Pumpquelle (4) und die Vertikalemitterschicht (3) in vertikaler Richtung voneinander beabstandet sind.
摘要翻译：它是一种光电子半导体器件，包括：半导体主体（1），包括：表面发射被设置用于光学泵浦所述垂直发射层（3）垂直发射极区域（2）包括：（a垂直发射层（3），至少一个泵源（4），和一个辐射通道面积 26）通过）（半导体本体1）在垂直发射层的电磁辐射（31所产生的热量叶指示，其中，所述泵浦源（4）和在垂直方向上的垂直发射层（3）间隔开。

16. 发明申请

WO2006032252A1 SEITLICH OPTISCH GEPUMPTER OBERFLÄCHENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER AUF EINER WÄRMESENKE 审中-公开
标题翻译：侧光学泵浦表面发射半导体激光器在散热器
公开(公告)号：WO2006032252A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：PCT/DE2005/001655
申请日：2005-09-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
发明人： ALBRECHT, Tony , LUTGEN, Stephan , REILL, Wolfgang , SCHWARZ, Thomas , STEEGMÜLLER, Ulrich
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/02
CPC分类号： H01S5/02248 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/19107 , H01S3/0815 , H01S3/109 , H01S5/0217 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/141 , H01S5/183 , H01S5/2027 , H01S5/4056 , H01L2924/00014
摘要： Es wird eine oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit wenigstens einem oberflächenemittierende Halbleiterlaser (21) mit einem Vertikalemitter (1) und wenigstens einer Pumpstrahlquelle (2), die nebeneinander monolithisch auf ein gemeinsames Substrat (13) integriert sind angegeben. Die Halbleiterlaservorrichtung weist zudem ein Wärmeleitelement (18) auf, das sich in thermischem Kontakt mit dem Halbleiterlaser (21) befindet und eine Montagefläche aufweist, die zur Montage auf einem Träger (27) vorgesehen ist. Es werden ferner Verfahren zur Herstellung einer solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaservorrichtung angegeben.
摘要翻译：它是一种表面发射半导体激光器元件与具有垂直发射器的至少一个表面发射半导体激光器（21）（1）和至少一个泵辐射源（2），其彼此相邻单片一个公共衬底上（13）集成表示。的半导体激光装置也有一个导热元件（18），其是在与半导体激光器（21）和具有被用于安装在一个支撑件（27）的安装表面的热接触。这里还提供了用于制造这样的表面发射半导体激光装置的方法。

17. 发明申请

WO2005055379A1 LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER SCHUTZDIODE 审中-公开
标题翻译：有保护二极管的半导体发光元件
公开(公告)号：WO2005055379A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/DE2004/002384
申请日：2004-10-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
发明人： ALBRECHT, Tony , BRICK, Peter , PHILIPPENS, Marc , PLAINE, Glenn-Yves
IPC分类号： H01S5/026
CPC分类号： H01S5/0261 , H01L23/62 , H01L27/15 , H01L2924/0002 , H01S5/042 , H01S5/06825 , H01S5/18311 , H01S5/40 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Halbleiterbauelement, das eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem Bereich p-dotierter Halbleiterschichten (4) und n-dotierter Halbleiterschichten (3) enthält, zwischen denen ein erster pn-Übergang (5a,5b) ausgebildet ist. Der pn-Übergang (5a,5b) ist in lateraler Richtung von einem isolierenden Abschnitt (6) in einen lichtemittierenden Abschnitt (7) und eine Schutzdiodenabschnitt (8) unterteilt. Im Bereich des Schutzdiodenabschnitts (8) ist auf dem p-dotierten Bereich (4) eine n-dotierte Schicht (9) aufgebracht, die mit dem p-dotierten Bereich (4) einen als Schutzdiode fungierenden zweiten pn-Übergang (10) ausbildet, wobei der erste pn-Übergang (5b) im Schutzdiodenabschnitt (8) eine größere Fläche als der erste pn-Übergang (5a) im lichtemittierenden Abschnitt (7) aufweist. Der Schutzdiodenabschnitt (8) schützt das lichtemittierende Halbleiterbauelement vor Spannungspulsen durch elektrostatische Entladungen (ESD).
摘要翻译：本发明涉及一种其中具有（4）含有一半导体层序列（2）和n型掺杂的半导体层（3）之间（5A，5B）形成，一第一pn结的p掺杂半导体层上的区域中的半导体发光器件。 pn结的（图5a图5b）是在横向方向上由绝缘部分（6）的发光部（7）和保护二极管部分（8）。在保护二极管部的区域（8）与p型掺杂区上的p掺杂区（4）沉积在n掺杂层（9）（4）具有用作保护二极管第二pn结（10）的形式，其中，所述第一PN结（图5b）中的保护二极管部（8）具有比在发光部（7）的第一pn结（5a）的更大的面积。保护二极管部（8）相对于电压脉冲发光半导体装置保护由于静电放电（ESD）。

18. 发明申请

WO2014114407A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件和光电子器件的各种
公开(公告)号：WO2014114407A1
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：PCT/EP2013/076431
申请日：2013-12-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , SCHLERETH, Thomas , SCHNEIDER, Albert
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/50 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/502 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl optoelektronischer Bauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgerwafers (1) mit Kontaktstrukturen (4), wobei der Hilfsträgerwafer Glas, Saphir oder ein Halbleitermaterial aufweist, - Aufbringen einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterkörpern (5) auf die Kontaktstrukturen (4), - Verkapseln zumindest der Kontaktstrukturen (4) mit einem Verguss (10), und - Entfernen des Hilfsträgerwafers (1). Weiterhin wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种制造多个光电器件的方法，包括以下步骤的方法： - 提供在基座晶片（1）与接触结构（4），所述辅助载体晶片玻璃，蓝宝石，或半导体材料，其包括， - 施加多个发射辐射的半导体本体（5）的上的接触结构（4）， - 封装至少所述接触结构（4）用封装（10），以及 - 去除所述辅助载体晶片（1）。此外，光电元件中指定。

19. 发明申请

WO2014048798A2 RINGLICHTMODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES RINGLICHTMODULS 审中-公开
标题翻译：环形模块和制造环形模块的方法
公开(公告)号：WO2014048798A2
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069274
申请日：2013-09-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony , SCHLERETH, Thomas , SCHULZ, Roland , GÄRTNER, Christian , BESTELE, Michael , MARFELD, Jan , KIRSCH, Markus , KAISER, Stephan
IPC分类号： F21V7/00
CPC分类号： F21V7/0008 , F21K9/62 , F21K9/64 , F21V7/048 , F21V13/04 , F21Y2103/33 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
摘要： In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere erste und mehrere zweite Licht emittierende optoelektronische Halbleiterbauteile (2) mit je einer Hauptemissionsrichtung (20), wobei die ersten Halbleiterbauteile eine von den zweiten Halbleiterbauteilen verschiedene spektrale Emission aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile(2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin.
摘要翻译：
在至少一个示例性导航用途货币形成环形光模块（1）包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件（2）的每一个都具有一个主发光方向（20），其中，从所述第二半导体器件的第一半导体组件不同有光谱发射。环形灯模块（1）包括具有弯曲反射表面（30）的反射器（3）。半导体器件（2）安装在载体（4）上。半导体部件（2）是，在看到车（30）的Reflexionsfl BEAR的平面图，沿着装配线（42）环状地＆OUML; RMIG所述Reflexionsfl BEAR表面（42）布置成围绕。在一个中心（44），反射器（3）具有最大H＆ouml;到他基于所述环形发光模块（1）的底侧（40）。中心（44）位于由排列线（42）包围的内表面的几何中心。在看到车（30）的Reflexionsfl BEAR的平面图具有主发射方向（20），具有的H＆ouml一个公差; chstens 15°;，根据中心（44）朝着。

20. 发明申请

WO2002067393A1 OPTISCH GEPUMPTE OBERFLÄCHENEMITTIERENDE HALBLEITERLASERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光泵面发光半导体激光元件及其制造方法SAME
公开(公告)号：WO2002067393A1
公开(公告)日：2002-08-29
申请号：PCT/DE2002/000508
申请日：2002-02-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： ALBRECHT, Tony
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18305 , H01S5/026 , H01S5/041 , H01S5/1071 , H01S5/4056
摘要： Die Erfindung beschreibt eine optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung mit mindestens einer strahlungserzeugenden Quantentopfstruktur (11) und mindestens einer Pumpstrahlungsquelle zum optischen Pumpen der Quantentopfstruktur (11), wobei die Pumpstrahlungsquelle eine kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) aufweist und diese kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) und die Quantentopfstruktur (11) auf ein gemeinsames Substrat (1) epitaktisch aufgebracht sind. Die kantenemittierende Halbleiterstruktur (30) der Pumpstrahlungsquelle ist dabei in Form eines Halbleiterringlasers ausgebildet.
摘要翻译：本发明描述了一种具有光学泵浦表面发射半导体激光器装置的至少一个产生辐射的量子阱结构（11）和至少一个泵辐射源，用于光学泵浦所述量子阱结构（11），其中，所述泵浦辐射源具有边缘发射半导体结构（30）和该边缘发射半导体结构（30）和所述量子阱结构（ 11）（在公共衬底1上）外延施加。形成在半导体环形激光器的形状泵浦辐射源的边缘发射半导体结构（30）。

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