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11. 发明申请

WO2010105842A3 PREPARATION FOR EXTERNAL APPLICATION 审中-公开
标题翻译：准备外部应用
公开(公告)号：WO2010105842A3
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/EP2010001742
申请日：2010-03-19
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN DIRK
发明人： SCHUMANN DIRK
IPC分类号： A61K9/107 , A61K9/00 , A61K47/08 , A61K47/10
CPC分类号： A61K9/1075 , A61K9/0014 , A61K47/08 , A61K47/10
摘要： The present invention relates to preparations for external application to human and animal skin, comprising: a) a composition in the form of a fluid nanophase system, comprising the components of a1) at least one water-insoluble substance with a water solubility of less than 4 gram per liter, a2) at least one amphiphilic substance (NP-MCA), which has no surfactant structure, does not build structures alone, the solubility of which is between 4g and 1000g per liter in water or oil and which does not enrich preferably at the oil-water interface, a3) at least one anionic, cationic, amphoteric and/or non-ionic surfactant, a4) at least one polar protic solvent, in particular having hydroxy functionality, a5) if necessary one or more adjuvants, wherein the percentage relate to the total weight of the composition each; and b) a therapeutic, cosmetic or diagnostically effective agent in a therapeutic, cosmetic or diagnostically effective amount.
摘要翻译：本发明涉及制剂用于外部施用至动物和包括人类）中包含所述组分的流体纳米相体系的形式的组合物的皮肤A1）至少一种不溶于水的物质具有少于每升4克，A2）至少一种两亲的水溶解度具有单独没有表面活性剂结构物（NP-MCA）不是结构形成，在水中的溶解度或4 g且每升千克之间的油，优选在油 - 水界面不积累，a3）的至少阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂，a4）中的至少一种极性质子溶剂，特别是具有羟基官能团，A5）任选的一种或多种赋形剂，其特征在于，在每种情况下，百分比基于组合物的总重量计，和b）治疗，化妆品或诊断有效的药剂治疗上，美容上或诊断上有效的量。

12. 发明申请

WO2010108639A2 VERFAHREN UND ZUSAMMENSETZUNG ZUM REINIGEN VON GEGENSTÄNDEN 审中-公开
标题翻译：清洁物体的方法和组合物
公开(公告)号：WO2010108639A2
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/001774
申请日：2010-03-22
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
发明人： SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
IPC分类号： C11D1/825 , C11D1/83 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/32 , C11D1/14 , C11D1/72 , C11D1/74
CPC分类号： C11D17/0021 , C11D1/825 , C11D1/83 , C11D3/0052 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/201 , C11D3/2041 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/32
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von Gegenständen aus organischen oder anorganischen Materialien, wonach das betreffende Material in Kontakt gebracht wird mit einer Zusammensetzung in Form eines fluiden Nanophasensystems, umfassend a) mindestens eine wasserunlösliche Substanz mit einer Wasserlöslichkeit von weniger als 4 Gramm pro Liter, b) mindestens eine amphiphile Substanz (NP-MCA), die keine Tensidstruktur aufweist, alleine nicht strukturbildend ist, deren Löslichkeit in Wasser bzw. Öl zwischen 4g und 1000g pro Liter beträgt und die sich nicht bevorzugt an der Öl-Wasser-Grenzfläche anreichert, c) mindestens ein anionisches, kationisches, amphoteres und/oder nichtionisches Tensid, d) mindestens ein polares protisches Lösungsmittel, insbesondere mit Hydroxyfunktionalität, e) gegebenenfalls ein oder mehrere Hilfsstoffe.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于从有机或无机材料的制品HANDS，此后所讨论的材料，其包括：a）至少一个wasserunl＆ouml流体纳米相体系的形式接触用组合物的清洗的方法; 每升小于4克溶解度，b）至少一种两亲性物质（NP-MCA）具有单独没有表面活性剂的结构不是结构形成，该L＆ouml;在水中的溶解度或＆ouml;4克之间升具有Wasserl＆oUML可溶物质和每关于＆AUML GT升千克;并且优选地不会在＆ouml;富集表面，c）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂，d）至少一种极性质子L＆ouml; 1-水边界＆AUML溶剂，特别是与羟基官能的，e）任选的一种或多种助剂。

13. 发明申请

WO0118849A3 INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT WITH AT LEAST A CAPACITOR AND A METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE SAID 审中-公开
标题翻译：具有至少一个电容器的集成电路装置及其制造方法
公开(公告)号：WO0118849A3
公开(公告)日：2001-06-14
申请号：PCT/DE0003123
申请日：2000-09-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SCHUMANN DIRK , SELL BERNHARD , WILLER JOSEF
发明人： SCHUMANN DIRK , SELL BERNHARD , WILLER JOSEF
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/02 , H01L27/108
CPC分类号： H01L28/91 , H01L27/10852
摘要： The capacitor is arranged on the surface of a substrate (1). A first capacitor electrode has a middle part (M) and a side part (ST),which point vertically upwards, are arranged beside each other and are connected with each other via an upper part (O) located above said middle part (M) and said side part (ST). The middle part (M) is longer than the side part (ST) and is connected with other components of the circuit arrangement located below said middle part (M) and said side part (ST). The first capacitor electrode is provided with a capacitor dielectric (KD). A second capacitor electrode (P) borders the capacitor dielectric (KD).
摘要翻译：电容器设置在衬底（1）的表面上。第一电容器电极具有基本竖直延伸的中央部分（M）和侧部分（ST），彼此相邻布置并且经由布置在上方的上部分（O）彼此连接。中间部分（M）比侧面部分（ST）长并连接到布置在电路装置下方的另一个部件。第一电容器电极配备有电容器电介质（KD）。第二电容器电极（P）邻接电容器电介质（KD）。

14. 发明申请

WO2010105842A2 PREPARATION FOR EXTERNAL APPLICATION 审中-公开
标题翻译：制备用于外部使用
公开(公告)号：WO2010105842A2
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010001742
申请日：2010-03-19
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN DIRK
发明人： SCHUMANN DIRK
IPC分类号： A61K9/107 , A61K9/00 , A61K47/08 , A61K47/10
CPC分类号： A61K9/1075 , A61K9/0014 , A61K47/08 , A61K47/10
摘要： The present invention relates to preparations for external application to human and animal skin, comprising: a) a composition in the form of a fluid nanophase system, comprising the components of a1) at least one water-insoluble substance with a water solubility of less than 4 gram per liter, a2) at least one amphiphilic substance (NP-MCA), which has no surfactant structure, does not build structures alone, the solubility of which is between 4g and 1000g per liter in water or oil and which does not enrich preferably at the oil-water interface, a3) at least one anionic, cationic, amphoteric and/or non-ionic surfactant, a4) at least one polar protic solvent, in particular having hydroxy functionality, a5) if necessary one or more adjuvants, wherein the percentage relate to the total weight of the composition each; and b) a therapeutic, cosmetic or diagnostically effective agent in a therapeutic, cosmetic or diagnostically effective amount.
摘要翻译：本发明涉及制剂用于外部施用至动物和包括人类）中包含所述组分的流体纳米相体系的形式的组合物的皮肤A1）至少一种不溶于水的物质具有少于每升4克，A2）至少一种两亲的水溶解度物质（NP-MCA）不具有表面活性剂结构单独，是不是结构形成，其是在每升4g和千克之间的水或油溶性和优选在油 - 水界面不积累，A3）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂，a4）中的至少一种极性质子溶剂，特别是具有羟基官能团，A5）任选的一种或多种赋形剂，其中，每个所述百分比是指该组合物的总重量计，和b）治疗，化妆品或在疗法诊断活性剂 apeutisch，化妆品或诊断有效量。

15. 发明申请

WO2009037349A3 FORMULA FOR REMOVING COLOR COATS AND VARIOUS SOIL LAYERS FROM SURFACES, METHOD FOR PRODUCING THE AGENT, AND METHOD FOR CLEANING 审中-公开
标题翻译：用于去除发色层和表面的不同DIRT层方法制剂生产用于清理装置及方法
公开(公告)号：WO2009037349A3
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/EP2008062573
申请日：2008-09-19
申请人： BUBBLES & BEYOND GMBH , SCHUMANN DIRK , SURKOW RAINER
发明人： SCHUMANN DIRK , SURKOW RAINER
IPC分类号： C11D17/00 , A61Q3/04 , A61Q5/02 , C09D9/00 , C09D9/04 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/50 , C11D11/00
CPC分类号： C11D17/0021 , A61K8/06 , A61K8/068 , A61K8/31 , A61K8/34 , A61K8/345 , A61K8/37 , A61K8/463 , A61K8/55 , A61K2800/21 , A61Q3/04 , C09D9/005 , C09D9/04 , C11D3/18 , C11D3/2006 , C11D3/2041 , C11D3/2068 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/2096 , C11D3/245 , C11D3/28 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/3427 , C11D3/3445 , C11D3/3472 , C11D3/349 , C11D3/362 , C11D3/43 , C11D3/50 , C11D11/0023 , C11D11/0052
摘要： The invention relates to a cleaning agent, characterized in that the cleaning agent comprises a microemulsion or a fluid nanophase system, and has the following components: a) at least one non-water-soluble substance having a solubility in water of less than 4 g per liter; b) at least one amphiphile substance, NP-MCA, that has no tenside structure, does not form structures on its own, has a solubility in water or oil between 4 g and 1000 g per liter, and preferably does not accumulate at the oil-water boundary, with the provision that NP-MCA is not selected from among 2-Ethyl-1,3-Hexanediol, 2-Methyl-2,4-Pentanediol, 2-(n- Butyl)-2-Ethyl-1,3-Propanediol and/or 1,2-Diols; c) at least one anionic, cationic, amphoteric and/or non-ionic tenside; d) water and/or a water-soluble solvent having hydroxyl functionality and, optionally, additives.
摘要翻译：本发明涉及一种清洁剂，其特征在于，所述清洁装置包括微乳液或流体纳米相体系和以下组分：a）具有在每升小于4g水中的溶解度的至少一种水不溶性物质; b）至少一种两亲性物质，NP-MCA，其具有单独没有表面活性剂的结构不是结构形成，是它们在4克和每升千克之间，优选在水或油中的溶解度在油 - 水界面不积累与NP-MCA不从2-乙基-1,3-己二醇，2-甲基-2,4-戊二醇，2-（正丁基）-2-乙基-1,3-丙二醇中选择的条件和/或从1,2-二醇; c）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂; d）水和/或具有羟基官能团和任选的赋形剂的水溶性溶剂。

16. 发明申请

WO2003028093A2 VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES SOI-SUBSTRATS, VERTIKALER TRANSISTOR UND SPEICHERZELLE MIT VERTIKALEM TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：具有垂直晶体管的形成SOI衬底，垂直晶体管和存储器单元的方法
公开(公告)号：WO2003028093A2
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/DE2002/003023
申请日：2002-08-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BIRNER, Albert , BREUER, Steffen , GOLDBACH, Matthias , LUETZEN, Joern , SCHUMANN, Dirk
发明人： BIRNER, Albert , BREUER, Steffen , GOLDBACH, Matthias , LUETZEN, Joern , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/84
CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10867 , H01L27/1203
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer Silicon-On-Insulator-Schichtstruktur auf einer Silizium-Oberfläche mit beliebiger Geometrie, mit dem die Silicon-on-Insulator-Struktur auch nur lokal erzeugt werden kann. Das Verfahren umfaßt das Bilden von Mesoporen (10) in dem Silizium-Oberflächenbereich (3), die Oxidation der Mesoporen-Oberfläche unter Bildung von Siliziumoxid und Stegbereichen (22) aus einkristallinem Silizium, die zwischen benachbarten Mesoporen (10) verbleiben, wobei dieser Schritt beendet wird, sobald eine vorgegebene minimale Silizium-Wandstärke der Stegbereiche (22) erreicht ist, das Freilegen der an dem von dem Halbleiter-Substrat (2) abgewandten Ende angeordneten Stegbereiche (22) zwischen benachbarten Mesoporen; und das Durchführen eines selektiven Epitaxieverfahrens, durch das Silizium auf den freigelegten Stegbereichen (22) selektiv gegenüber den Siliziumoxidbereichen (11) aufwächst. Das Verfahren kann verwendet werden, um einen vertikalen Transistor und eine Speicherzelle mit einem derartigen Auswahltransistor herzustellen.
摘要翻译：本发明涉及一种在任意几何形状的硅表面上制造绝缘体上硅层结构的方法，利用该方法仅在局部产生绝缘体上硅结构可以。该方法包括在硅表面区域（3）中形成中孔（10），氧化中孔表面以形成氧化硅，以及在相邻的中孔（10）之间形成的单晶硅的脊区（22）），一旦已达到焊盘区域（22）的预定最小硅壁厚度，就终止该步骤，暴露位于远离半导体衬底（2）的端部处的相邻介孔之间的焊盘区域（22）; 并且执行选择性外延工艺，由此在暴露的焊盘区域（22）上的硅选择性地抵靠在氧化硅区域（11）上。该方法可用于制造具有这种选择晶体管的垂直晶体管和存储单元。

17. 发明申请

WO02069375A3 TRENCH CONDENSER AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：抓斗电容器及其制造方法
公开(公告)号：WO02069375A3
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/DE0200515
申请日：2002-02-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SELL BERNHARD , SAENGER ANNETTE , SCHUMANN DIRK
发明人： SELL BERNHARD , SAENGER ANNETTE , SCHUMANN DIRK
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/10861 , H01L27/1203
摘要： The invention relates to a trench condenser for use in a DRAM memory cell and a method for production of said trench condenser. Said trench condenser comprises a lower condenser electrode (10), a memory dielectric (12) and an upper condenser electrode (18), at least partly arranged in a trench (5), whereby the lower condenser electrode (10) lies adjacent to a wall of the trench in the lower region of the trench, whilst in the upper region of the trench, a spacer layer (9), made from an insulating material, is provided adjacent to the wall of the trench. The upper electrode (18) comprises at least two layers (13, 14, 15), of which at least one is metallic, with the proviso that the upper electrode does not comprise two layers of which the lower is tungsten silicide and the upper doped polymeric silicon, whereby the layers (13, 14, 15) of the upper electrode run along the walls and the floor of the trench (5) at least as far as the upper edge of the spacer layer.
摘要翻译：本发明涉及一种在DRAM存储单元中的严重电容器使用和用于制造这样的Grabenkondensators.Der发明严重电容器包括下电容器电极（10），存储介质（12）和上电容器电极（18）的方法，至少部分地在的沟槽（5）被布置，其中，在所述上严重区域被提供而邻近于所述沟槽间隔件的壁中的层（9）由绝缘材料制成的下电容器电极（10）的下严重区域与沟槽的壁相邻，和上电极（18）的至少两个层（13，14，15），其中之一至少是金属的，与上部电极不是由两个层，其中一个是较低的硅化钨和上部掺杂多晶硅的条件，其中上部电极未的层（13，14，15）沿着每个壁的延伸到所述沟槽（5）的底部，以至少间隔件（9）D的上边缘上。

18. 发明申请

WO2010046400A1 BEDIENELEMENT FÜR EIN HAUSHALTSGERÄT 审中-公开
标题翻译：控制装置的家用电器
公开(公告)号：WO2010046400A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/EP2009/063813
申请日：2009-10-21
申请人： BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERÄTE GMBH , SCHUMANN, Dirk , SCHNETZER, Nikolaus
发明人： SCHUMANN, Dirk , SCHNETZER, Nikolaus
IPC分类号： C23C28/00 , C23C28/02 , C25D5/12 , C25D5/48
CPC分类号： C25D7/00 , C25D5/12 , C25D5/56 , G05G1/10 , Y10T428/12535
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Bedienelement (1), insbesondere Knebel, für ein Hausgerät mit einem Grundkörper (2) aus Kunststoff, der eine Nickelbeschichtung (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist auf die Nickelbeschichtung (6) eine Edelmetallbeschichtung (7) aufgebracht. Als Edelmetallbeschichtung (7) ist eine Palladiumbeschichtung vorgesehen. Die Schichtdicke der Edelmetallbeschichtung (7) beträgt circa 1 μm. Gegenstand der Erfindung ist weiter ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bedienelements (1).
摘要翻译：本发明涉及的操作元件（1），特别是GAG，其具有用于具有基体（2）由塑料制成，镍涂层的家用电器（6）。根据所施加的镍涂层（6）本发明，贵金属涂层（7）。作为贵金属涂层（7）是提供一个钯涂层。贵金属涂层（7）的厚度为约1微米。本发明进一步提供用于制造这样的控制元件（1）的方法。

19. 发明申请

WO03028093A3 METHOD FOR THE GENERATION OF A SOI SUBSTRATE, VERTICAL TRANSISTOR AND MEMORY CELL WITH VERTICAL TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：方法形成SOI衬底，垂直晶体管和记忆细胞与垂直晶体管
公开(公告)号：WO03028093A3
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/DE0203023
申请日：2002-08-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BIRNER ALBERT , BREUER STEFFEN , GOLDBACH MATTHIAS , LUETZEN JOERN , SCHUMANN DIRK
发明人： BIRNER ALBERT , BREUER STEFFEN , GOLDBACH MATTHIAS , LUETZEN JOERN , SCHUMANN DIRK
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/12 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10867 , H01L27/1203
摘要： The invention relates to a method for the generation of a Silicon-On-Insulator layer structure on a silicon surface with any shape, whereby the Silicon-On-Insulator structure can only be produced locally. The method comprises the formation of mesopores (10) in the silicon surface region (3), the oxidation of the mesopore surface to give silicon oxide and web regions (22) of single-crystal silicon, remaining between adjacent mesopores (10), whereby said step is terminated as soon as a given minimum silicon wall strength for the web regions (22) is achieved, the release of the web regions (22) between adjacent mesopores at the end away from the semiconductor substrate (2) is carried out and a selective epitaxial process by means of which silicon is selectively grown on the released web regions (22) relative to the silicon oxide regions (11). The method can be used for the production of a vertical transistor and a memory cell with such a selection transistor.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在与该硅 - 绝缘体结构也可本地产生的任何几何形状的硅表面上制作绝缘层结构的硅的方法。该方法包括：在硅表面面积（3），中孔表面的氧化，以形成单晶硅，其保持（10）相邻的中孔之间的氧化硅和陆地区域（22）中孔（10）的形成，所述步骤将立即终止陆块区的一个预定的最小硅的壁厚（22）达到，相对的端部暴露于半导体衬底（2）的布置陆地区域相邻的孔（22）之间; 并通过硅到暴露的陆地区域（22）（11）执行选择性外延工艺，对氧化硅的选择性区域长大。该方法可被用于制造垂直晶体管和具有这样的选择晶体管的存储单元。

20. 发明申请

WO02078058A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF A MOSFET WITH VERY SMALL CHANNEL LENGTH 审中-公开
标题翻译：用于生产规模很小，MOSFET的沟道长度
公开(公告)号：WO02078058A3
公开(公告)日：2003-06-26
申请号：PCT/DE0200732
申请日：2002-02-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAPPELLANI ANNALISA , DITTMAR LUDWIG , SCHUMANN DIRK
发明人： CAPPELLANI ANNALISA , DITTMAR LUDWIG , SCHUMANN DIRK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/265 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/2652 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137 , H01L29/66575
摘要： The invention relates to a method, whereby a gate layer stack consisting of at least two layers (3 and 5) is initially structured anisotropically and the bottom layer (3) is then etched, wherein an isotropic, preferably a selective etching step causes lateral underetching, i.e. removal of the bottom layer (3) to a predetermined channel length. A T-Gate transistor with very short channel length can be accurately, easily and economically produced with the aid of the inventive method. The electrical switching properties of said transistor are better than those of other T-gate transistors formed with conventional methods.
摘要翻译：本发明公开了一种方法，其中至少两个层（3）和（5）存在的栅极层堆叠第一各向异性图案化，然后将下层（3）进行蚀刻的各向同性，优选选择性蚀刻步骤，一个侧面蚀刻，D。小时。实现除去下层（3）的所述预定信道长度。利用本发明的方法的帮助下，一个T栅极晶体管非常短的沟道长度可以尺寸精确的，被制造和很容易地花费。其电气开关性质比其他的，通过常规的方法T-栅极晶体管形成更好。

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