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1. 发明申请

WO2010046400A1 BEDIENELEMENT FÜR EIN HAUSHALTSGERÄT 审中-公开
标题翻译：控制装置的家用电器
公开(公告)号：WO2010046400A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/EP2009/063813
申请日：2009-10-21
申请人： BSH BOSCH UND SIEMENS HAUSGERÄTE GMBH , SCHUMANN, Dirk , SCHNETZER, Nikolaus
发明人： SCHUMANN, Dirk , SCHNETZER, Nikolaus
IPC分类号： C23C28/00 , C23C28/02 , C25D5/12 , C25D5/48
CPC分类号： C25D7/00 , C25D5/12 , C25D5/56 , G05G1/10 , Y10T428/12535
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Bedienelement (1), insbesondere Knebel, für ein Hausgerät mit einem Grundkörper (2) aus Kunststoff, der eine Nickelbeschichtung (6) aufweist. Erfindungsgemäß ist auf die Nickelbeschichtung (6) eine Edelmetallbeschichtung (7) aufgebracht. Als Edelmetallbeschichtung (7) ist eine Palladiumbeschichtung vorgesehen. Die Schichtdicke der Edelmetallbeschichtung (7) beträgt circa 1 μm. Gegenstand der Erfindung ist weiter ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bedienelements (1).
摘要翻译：本发明涉及的操作元件（1），特别是GAG，其具有用于具有基体（2）由塑料制成，镍涂层的家用电器（6）。根据所施加的镍涂层（6）本发明，贵金属涂层（7）。作为贵金属涂层（7）是提供一个钯涂层。贵金属涂层（7）的厚度为约1微米。本发明进一步提供用于制造这样的控制元件（1）的方法。

2. 发明申请

WO2002069345A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SPEICHERKONDENSATORS 审中-公开
公开(公告)号：WO2002069345A3
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/DE2002/000436
申请日：2002-02-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
发明人： SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/8242
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein neuartiges Verfahren zur Herstellung eines Speicherkondensators, welcher als Graben- oder Stapelkondensator ausgeführt ist und insbesondere in einer DRAM-Speicherzelle verwendet wird. Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt die Schritte zum Bilden einer unteren metallischen Kondensatorelektrode (13), eines Speicherdielektrikums (14) und einer oberen Kondensatorelektrode (15), wobei die untere metallische Kondensatorelektrode (13) in der Weise selbstjustiert auf einem Silizium-Grundmaterial (1) gebildet wird, daß zunächst freiliegende Silizium-Bereiche an den Stellen, an denen die untere Kondensatorelektrode zu bilden ist, erzeugt werden und sodann auf den freiliegenden Silizium-Bereichen Metallsilizid (13) selektiv gebildet wird.

3. 发明申请

WO2010108639A2 VERFAHREN UND ZUSAMMENSETZUNG ZUM REINIGEN VON GEGENSTÄNDEN 审中-公开
标题翻译：清洁物体的方法和组合物
公开(公告)号：WO2010108639A2
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/EP2010/001774
申请日：2010-03-22
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
发明人： SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
IPC分类号： C11D1/825 , C11D1/83 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/32 , C11D1/14 , C11D1/72 , C11D1/74
CPC分类号： C11D17/0021 , C11D1/825 , C11D1/83 , C11D3/0052 , C11D3/18 , C11D3/20 , C11D3/201 , C11D3/2041 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/32
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Reinigung von Gegenständen aus organischen oder anorganischen Materialien, wonach das betreffende Material in Kontakt gebracht wird mit einer Zusammensetzung in Form eines fluiden Nanophasensystems, umfassend a) mindestens eine wasserunlösliche Substanz mit einer Wasserlöslichkeit von weniger als 4 Gramm pro Liter, b) mindestens eine amphiphile Substanz (NP-MCA), die keine Tensidstruktur aufweist, alleine nicht strukturbildend ist, deren Löslichkeit in Wasser bzw. Öl zwischen 4g und 1000g pro Liter beträgt und die sich nicht bevorzugt an der Öl-Wasser-Grenzfläche anreichert, c) mindestens ein anionisches, kationisches, amphoteres und/oder nichtionisches Tensid, d) mindestens ein polares protisches Lösungsmittel, insbesondere mit Hydroxyfunktionalität, e) gegebenenfalls ein oder mehrere Hilfsstoffe.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于从有机或无机材料的制品HANDS，此后所讨论的材料，其包括：a）至少一个wasserunl＆ouml流体纳米相体系的形式接触用组合物的清洗的方法; 每升小于4克溶解度，b）至少一种两亲性物质（NP-MCA）具有单独没有表面活性剂的结构不是结构形成，该L＆ouml;在水中的溶解度或＆ouml;4克之间升具有Wasserl＆oUML可溶物质和每关于＆AUML GT升千克;并且优选地不会在＆ouml;富集表面，c）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂，d）至少一种极性质子L＆ouml; 1-水边界＆AUML溶剂，特别是与羟基官能的，e）任选的一种或多种助剂。

4. 发明申请

WO2003028093A2 VERFAHREN ZUR BILDUNG EINES SOI-SUBSTRATS, VERTIKALER TRANSISTOR UND SPEICHERZELLE MIT VERTIKALEM TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：具有垂直晶体管的形成SOI衬底，垂直晶体管和存储器单元的方法
公开(公告)号：WO2003028093A2
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/DE2002/003023
申请日：2002-08-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BIRNER, Albert , BREUER, Steffen , GOLDBACH, Matthias , LUETZEN, Joern , SCHUMANN, Dirk
发明人： BIRNER, Albert , BREUER, Steffen , GOLDBACH, Matthias , LUETZEN, Joern , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/84
CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10867 , H01L27/1203
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer Silicon-On-Insulator-Schichtstruktur auf einer Silizium-Oberfläche mit beliebiger Geometrie, mit dem die Silicon-on-Insulator-Struktur auch nur lokal erzeugt werden kann. Das Verfahren umfaßt das Bilden von Mesoporen (10) in dem Silizium-Oberflächenbereich (3), die Oxidation der Mesoporen-Oberfläche unter Bildung von Siliziumoxid und Stegbereichen (22) aus einkristallinem Silizium, die zwischen benachbarten Mesoporen (10) verbleiben, wobei dieser Schritt beendet wird, sobald eine vorgegebene minimale Silizium-Wandstärke der Stegbereiche (22) erreicht ist, das Freilegen der an dem von dem Halbleiter-Substrat (2) abgewandten Ende angeordneten Stegbereiche (22) zwischen benachbarten Mesoporen; und das Durchführen eines selektiven Epitaxieverfahrens, durch das Silizium auf den freigelegten Stegbereichen (22) selektiv gegenüber den Siliziumoxidbereichen (11) aufwächst. Das Verfahren kann verwendet werden, um einen vertikalen Transistor und eine Speicherzelle mit einem derartigen Auswahltransistor herzustellen.
摘要翻译：本发明涉及一种在任意几何形状的硅表面上制造绝缘体上硅层结构的方法，利用该方法仅在局部产生绝缘体上硅结构可以。该方法包括在硅表面区域（3）中形成中孔（10），氧化中孔表面以形成氧化硅，以及在相邻的中孔（10）之间形成的单晶硅的脊区（22）），一旦已达到焊盘区域（22）的预定最小硅壁厚度，就终止该步骤，暴露位于远离半导体衬底（2）的端部处的相邻介孔之间的焊盘区域（22）; 并且执行选择性外延工艺，由此在暴露的焊盘区域（22）上的硅选择性地抵靠在氧化硅区域（11）上。该方法可用于制造具有这种选择晶体管的垂直晶体管和存储单元。

5. 发明申请

WO2003028104A2 HALBLEITERSPEICHER MIT EINEN VERTIKALEN AUSWAHLTRANSISTOR UMFASSENDEN SPEICHERZELLEN SOWIE VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：有垂直选择晶体管综合蓄电池及其制造方法半导体存储器
公开(公告)号：WO2003028104A2
公开(公告)日：2003-04-03
申请号：PCT/DE2002/002980
申请日：2002-08-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LÜTZEN, Jörn , GOEBEL, Bernd , SCHUMANN, Dirk , GUTSCHE, Martin , SEIDL, Harald , POPP, Martin , KERSCH, Alfred , STEINHÖGL, Werner
发明人： LÜTZEN, Jörn , GOEBEL, Bernd , SCHUMANN, Dirk , GUTSCHE, Martin , SEIDL, Harald , POPP, Martin , KERSCH, Alfred , STEINHÖGL, Werner
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L27/10864 , H01L27/10841 , H01L27/10867 , H01L27/10891
摘要： Zur Herstellung eines Halbleiterspeichers (5) wird in einem ersten Graben (25) ein Grabenkondensator (30) angeordnet. Neben dem ersten Graben (25) wird ein erster Längsgraben (55) und parallel auf der anderen Seite des ersten Grabens (25) ein zweiter Längsgraben (60) in dem Substrat (15) angeordnet. In dem ersten Längsgraben (55) wird eine erste Spacer-Wortleitung (70) und in dem zweiten Längsgraben (60) eine zweite Spacer-Wortleitung (75) angeordnet. In dem ersten Graben (25) werden Verbindungsstege (80) zwischen der ersten Spacer-Wortleitung (70) und der zweiten Spacer-Wortleitung (75) angeordnet, die eine Dicke (110) aufweisen, die in Richtung der ersten Spacer-Wortleitung (70) kleiner ist als die Hälfte der Breite des ersten Grabens (25) in Richtung der ersten Spacer-Wortleitung (70).
摘要翻译：用于制造半导体存储器（5）（25）被布置在第一沟槽中的严重电容器（30）。除了所述第一沟槽（25），第一纵向沟槽（55）和上第一沟槽并行（25），在所述基板的第二纵向沟槽（60）的另一侧（15）被布置。在第一纵向沟槽（55）具有第一间隔的字线（70）和在第二纵向沟槽（60）被布置在第二间隔的字线（75）。在所述第一沟槽（25）的连接板（80）设置在所述第一间隔物的字线（70）和具有厚度（110）所述第二间隔的字线（75）（在第一间隔的字线70的方向之间）比所述第一沟槽（25）朝向所述第一间隔的字线（70）的宽度的一半小。

6. 发明申请

WO2010105842A9 ZUBEREITUNG ZUR ÄUSSERLICHEN ANWENDUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2010105842A9
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/001742
申请日：2010-03-19
申请人： BUBBLES AND BEYOND GMBH , SCHUMANN, Dirk
发明人： SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： A61K9/107 , A61K47/08 , A61K47/10 , A61K9/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Zubereitungen zur äußerlichen Anwendung auf die Haut von Tier und Mensch umfassend a) eine Zusammensetzung in Form eines fluides Nanophasensystems umfassend die Komponenten a1) mindestens eine wasserunlösliche Substanz mit einer Wasserlöslichkeit von weniger als 4 Gramm pro Liter, a2) mindestens eine amphiphile Substanz (NP-MCA), die keine Tensidstruktur aufweist, alleine nicht strukturbildend ist, deren Löslichkeit in Wasser bzw. Öl zwischen 4 g und 1000 g pro Liter beträgt und die sich nicht bevorzugt an der Öl-Wasser-Grenzfläche anreichert, a3) mindestens ein anionisches, kationisches, amphoteres und/oder nichtionisches Tensid, a4) mindestens ein polares protisches Lösungsmittel, insbesondere mit Hydroxyfunktionalität, a5) gegebenenfalls ein oder mehrere Hilfsstoffe, wobei sich die Prozentangaben jeweils auf das Gesamtgewicht der Zusammensetzung beziehen, und b) ein therapeutisch, kosmetisch oder diagnostisch wirksames Mittel in einer therapeutisch, kosmetisch oder diagnostisch wirksamen Menge.

7. 发明申请

WO2009037349A2 FORMULIERUNGEN ZUR ENTFERNUNG VON FARBSCHICHTEN UND DIVERSEN SCHMUTZSCHICHTEN VON OBERFLÄCHEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES MITTELS UND VERFAHREN ZUR REINIGUNG 审中-公开
标题翻译：用于去除发色层和表面的不同DIRT层方法制剂生产用于清理装置及方法
公开(公告)号：WO2009037349A2
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/EP2008/062573
申请日：2008-09-19
申请人： BUBBLES & BEYOND GMBH , SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
发明人： SCHUMANN, Dirk , SURKOW, Rainer
IPC分类号： C11D17/00 , C11D3/20 , C11D3/18 , C11D3/50 , C11D11/00 , C09D9/00 , C09D9/04 , A61Q3/04
CPC分类号： C11D17/0021 , A61K8/06 , A61K8/068 , A61K8/31 , A61K8/34 , A61K8/345 , A61K8/37 , A61K8/463 , A61K8/55 , A61K2800/21 , A61Q3/04 , C09D9/005 , C09D9/04 , C11D3/18 , C11D3/2006 , C11D3/2041 , C11D3/2068 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/2096 , C11D3/245 , C11D3/28 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/3427 , C11D3/3445 , C11D3/3472 , C11D3/349 , C11D3/362 , C11D3/43 , C11D3/50 , C11D11/0023 , C11D11/0052
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Reinigungsmittel, dadurch gekennzeichnet, dass das Reinigungsmittel eine Mikroemulsion oder ein fluides Nanophasensystem aufweist und die folgenden Bestandteile umfasst: a) mindestens eine wasserunlösliche Substanz mit einer Löslichkeit in Wasser von weniger als 4g pro Liter; b) mindestens eine amphiphile Substanz, NP-MCA, die keine Tensidstruktur aufweist, alleine nicht strukturbildend ist, deren Löslichkeit in Wasser bzw. Öl zwischen 4g und 1000g pro Liter beträgt und die sich nicht bevorzugt an der Öl-Wasser-Grenzfläche anreichert, mit der Maßgabe, dass NP-MCA nicht ausgewählt ist aus 2-Ethyl-1,3-Hexandiol, 2-Methyl-2,4-Pentandiol, 2-(n- Butyl)-2-Ethyl-1,3-Propandiol und/oder aus 1,2-Diolen; c) mindestens ein anionisches, kationisches, amphoteres und /oder nicht-ionisches Tensid; d) Wasser und/oder ein Wasserlösliches Lösungsmittel mit Hydroxyfunktionalität und ggf. Hilfsstoffe.
摘要翻译：本发明涉及一种清洁剂，其特征在于，所述清洁装置包括微乳液或流体纳米相体系和以下组分：a）具有在每升小于4g水中的溶解度的至少一种水不溶性物质; b）至少一种两亲性物质，NP-MCA，其具有单独的表面活性剂没有结构不是结构形成，在每升4g和千克之间的水或油的溶解性，优选在油 - 水界面不积累，与条件是NP-MCA不从2-乙基-1,3-己二醇，2-甲基-2,4-戊二醇，2-（正丁基）-2-乙基-1,3-丙二醇和选择/ 或从1,2-二醇; c）至少一种阴离子，阳离子，两性和/或非离子表面活性剂; d）水和/或具有羟基官能团和任选的赋形剂的水溶性溶剂。

8. 发明申请

WO2004030028A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN HALBLEITERSCHALTUNG 审中-公开
标题翻译：方法用于生产半导体集成电路
公开(公告)号：WO2004030028A2
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/003068
申请日：2003-09-16
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GÖBEL, Bernd , MOLL, Peter , SCHUMANN, Dirk , SEIDL, Harald
发明人： GÖBEL, Bernd , MOLL, Peter , SCHUMANN, Dirk , SEIDL, Harald
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10888 , H01L21/76895 , H01L27/10864 , H01L27/10894
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung, bei dem im Speicherbereich (I) elektrische Kontakte (20) für erste leitfähige Strukturen (1) hergestellt werden und die ersten leitfähigen Strukturen (1) kontaktiert werden, ohne seitlich von den ersten leitfähigen Strukturen (1) angeordnete zweite leitfähige Strukturen (2) zu kontaktieren, die seitlich an die ersten leitfähigen Strukturen (1) angrenzen oder zu dicht neben ihnen angeordnet sind, um selektiv zu ihnen lithographisch maskiert werden zu können. Erfindungsgemäß werden die ersten leitfähigen Strukturen (1) kontaktiert, indem im Speicherbereich in Höhe der ersten leitfähigen Strukturen (1) oberhalb der zweiten leitfähigen Strukturen (2) nach einer Planarisierung eine leitfähige Schicht (L), die im Logikbereich beispielsweise zur Fertigung von Gateelektroden eingesetzt wird, abgeschieden und strukturiert wird. Dabei werden Zwischenkontakte (10) strukturiert, die so breit sind, daß Kontaktlöcher für die elektrischen Kontakte (20) auf ihnen justiert werden können. Die Abscheidung einer Nitridschicht zum Schutz der zweiten leitfähigen Strukturen (2) erübrigt sich dadurch.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造在其中为第一导电结构（1）的存储器区域（I）（20）制备的半导体集成电路的电接触，并且所述第一导电结构（1）由所述第一结构没有横向导电接触（2）（1）设置在第二导电图案，以接触施加于第一导电图案的侧面（1）抵接或挨着它们紧密地布置成选择性地掩蔽以它们能够光刻。根据本发明，第一导电结构（1）由所述存储区域在已经在所述逻辑区域被使用过的第二导电结构（2）平坦化，导电层（L）后上面的第一导电结构（1）的电平相接触，例如用于生产栅电极的是，沉积并图案化。在这种情况下，中间触点（10）是结构化的，其是如此之宽的电触头（20），该接触孔可以调整到它们。氮化物层用于保护所述第二导电结构（2）的沉积，从而需要。

9. 发明申请

WO2002078058A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MOSFETS MIT SEHR KLEINER KANALLÄNGE 审中-公开
标题翻译：用于生产规模很小，MOSFET的沟道长度
公开(公告)号：WO2002078058A2
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/DE2002/000732
申请日：2002-02-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , CAPPELLANI, Annalisa , DITTMAR, Ludwig , SCHUMANN, Dirk
发明人： CAPPELLANI, Annalisa , DITTMAR, Ludwig , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/28114 , H01L21/2652 , H01L21/28052 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137 , H01L29/66575
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren, bei dem ein mindestens aus zwei Schichten (3) und (5) bestehender Gate-Schichtenstapel zunächst anisotrop strukturiert und dann die untere Schicht (3) geätzt wird, wobei ein isotroper, vorzugsweise selektiver Ätzschritt eine seitliche Unterätzung, d. h. Entfernung der unteren Schicht (3) bis zur vorgegebenen Kanallänge bewirkt. Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens kann ein T-Gate-Transistor sehr kurzer Kanallänge maßgenau, auf einfache Weise und kostengünstig hergestellt werden. Seine elektrischen Schalteigenschaften sind besser als diejenigen anderer, mit herkömmlichen Verfahren geformter T-gate-Transistoren.
摘要翻译：本发明公开了一种方法，其中至少两个层（3）和（5）存在的栅极层堆叠第一各向异性图案化，然后将下层（3）进行蚀刻的各向同性，优选选择性蚀刻步骤，一个侧面蚀刻，D。小时。实现除去下层（3）的所述预定信道长度。利用本发明的方法的帮助下，一个T栅极晶体管非常短的沟道长度可以尺寸精确的，被制造和很容易地花费。其电气开关性质比其他的，通过常规的方法T-栅极晶体管形成更好。

10. 发明申请

WO2002069375A2 GRABENKONDENSATOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：抓斗电容器及其制造方法
公开(公告)号：WO2002069375A2
公开(公告)日：2002-09-06
申请号：PCT/DE2002/000515
申请日：2002-02-13
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
发明人： SELL, Bernhard , SÄNGER, Annette , SCHUMANN, Dirk
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L27/10861 , H01L27/1203
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Grabenkondensator zur Verwendung in einer DRAM-Speicherzelle sowie ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Grabenkondensators.Der erfindungsgemässe Grabenkondensator umfasst eine untere Kondensatorelektrode (10), ein Speicherdielektrikum (12) und eine obere Kondensatorelektrode (18), die mindestens teilweise in einem Graben (5) angeordnet sind, wobei die untere Kondensatorelektrode (10) im unteren Grabenbereich an eine Wand des Grabens angrenzt, während im oberen Grabenbereich eine an eine Wand des Grabens angrenzende Spacerschicht (9) aus einem isolierenden Material vorgesehen ist, und die obere Elektrode (18) mindestens zwei Schichten (13, 14, 15) umfasst, von denen mindestens eine metallisch ist, mit der Massgabe, dass die obere Elektrode nicht aus zwei Schichten besteht, von denen die untere Wolframsilizid und die obere dotiertes Polysilizium ist, wobei die Schichten (13, 14, 15) der oberen Elektrode sich jeweils entlang den Wänden und dem Boden des Grabens (5) bis mindestens zum oberen Rand der Spacerschicht (9) erstrecken.
摘要翻译：本发明涉及一种在DRAM存储单元中的严重电容器使用和用于制造这样的Grabenkondensators.Der发明严重电容器包括下电容器电极（10），存储介质（12）和上电容器电极（18）的方法，至少部分地在的沟槽（5）被布置，其中，在所述上严重区域被提供而邻近于所述沟槽间隔件的壁中的层（9）由绝缘材料制成的下电容器电极（10）的下严重区域与沟槽的壁相邻，和上电极（18）的至少两个层（13，14，15），其中之一至少是金属的，与上部电极不是由两个层，其中一个是较低的硅化钨和上部掺杂多晶硅的条件，其中上部电极未的层（13，14，15）沿着每个壁的延伸到所述沟槽（5）的底部，以至少间隔件（9）D的上边缘上。

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