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    • 101. 发明申请
    • 2-(置換フェニル)-3,3,3-トリフルオロプロペン化合物の製造方法
    • 2-(取代苯基)-3,3,3-三氟苯酚化合物的制备方法
    • WO2007094313A1
    • 2007-08-23
    • PCT/JP2007/052510
    • 2007-02-13
    • 日産化学工業株式会社的場 一隆水越 隆司森山 祐二
    • 的場 一隆水越 隆司森山 祐二
    • C07C17/266C07C17/269C07C25/24C07C41/30C07C43/225C07C231/12C07C233/15C07B61/00
    • C07C17/263C07B37/04C07C41/30C07C231/12C07C25/24C07C22/08C07C233/15C07C43/225
    • 【課題】2-(置換フェニル)-3,3,3-トリフルオロプロペンの新規製造方法の提供 【解決手段】 【化1】 式(1)(Xはアルキル基等)で表される化合物と式(2)(Yはハロゲン原子等)で表される化合物とを式(3)[式中、Mは元素周期表第10属の金属の酸化状態1ないし8のイオンを表し、Gは単座又は多座の配位子を表し、Lは中心金属Mに結合した式(4)で表されるホスフィン化合物を表すか、式(5)および式(6)から選ばれるカルベンを表し、aが2ないし5のときはLは互いに同一でも異なっていてもよく、Aは、一価に荷電したアニオン又は多価に荷電したアニオンを表し、bは1ないし3の整数を表し、aは1ないし5・bの整数を表し、cは0であるか又は1ないし4・bの整数を表し、nは1ないし6の整数を表す。]で表される触媒存在下反応させることによる、式(7)で表される2-(置換フェニル)-3,3,3-トリフルオロプロペン化合物又はその塩の製造方法。
    • [问题]提供2-(取代的苯基)-3,3,3-三氟丙烯的新方法。 解决问题的手段公开了由式(7)表示的2-(取代苯基)-3,3,3-三氟丙烯化合物或其盐的制备方法。 该方法包括在由式(3)表示的催化剂的存在下使由式(1)表示的化合物与式(2)表示的化合物反应。 [化学式1](2)(1)(3)(7)(4)(5)(6)其中:在式(1)中,X表示烷基等; 在式(2)中,Y表示卤素原子等; 在式(3)中,M表示氧化态数为1〜8的元素周期表上属于第10族的金属的离子; G代表单齿或多齿配体; L表示由式(4)表示的膦化合物,其与中心金属M结合或表示选自式(5)和(6)所示的卡宾,条件是L可以相同或不同 另一个当a是2到5; A代表单价或多价带电阴离子; b表示1〜3的整数, a表示1〜5·b的整数, c表示0或1〜4·b的整数, n表示1〜6的整数。
    • 104. 发明申请
    • レジスト用化合物およびレジスト組成物
    • 化合物和抗蚀剂组合物
    • WO2006132139A1
    • 2006-12-14
    • PCT/JP2006/311066
    • 2006-06-02
    • 三菱瓦斯化学株式会社越後 雅敏小黒 大
    • 越後 雅敏小黒 大
    • G03F7/004C07C43/215C07C43/225C07C69/54C07D303/22G03F7/038H01L21/027
    • C07C43/225C07D303/22G03F7/027G03F7/028G03F7/091
    •  本発明は、(a)炭素数5~45の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド、および炭素数6~15であり1~3個のフェノール性水酸基を含有する化合物の縮合反応により製造されたポリフェノール化合物に、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、極端紫外線(EUV)、電子線、X線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に架橋反応を起こす架橋反応性基を導入する試剤を反応させることにより製造され、(b)分子量が300~5000であり、かつ(c)該架橋反応性基を分子中に少なくとも1個有するレジスト化合物(A)を一種以上含むレジスト組成物およびそれに用いることができる化合物であり、このレジスト組成物は高感度であるので、高解像度のレジストパターンを作製することができ、集積度の高い半導体素子を高い生産性で作製することが可能となる。
    • 抗蚀剂化合物(A)(a)通过使用于引入可直接或间接诱导交联反应的交联反应基团的试剂反应而制备,所述反应基团暴露于选自可见光,紫外光,准分子激光,极端的任何辐射 紫外线(EUV),电子束,X射线和离子束与通过C 5 -C 15 - 芳族芳族酮或芳族醛缩合反应产生的多酚化合物和 具有1〜3个酚羟基的C 6 -C 15 - 化合物和(b)分子量为300〜5000的化合物,其中(c)至少一个交联反应基团 上述化合物存在于其各分子中。 提供了包含至少一种类型的抗蚀剂化合物(A)的抗蚀剂组合物,并且提供了可用于其中的化合物。 该抗蚀剂组合物具有高灵敏度,从而能够制备高分辨率的抗蚀剂图案,并且能够以高生产率制造高集成度的半导体器件。
    • 109. 发明申请
    • PROCESS FOR THE PREPARATION OF 7-SUBSTITUTED 3-ALKYL-3H-ISOBENZOFURAN-1-ONE DERIVATIVES
    • 制备3-取代的3-烷基-3H-异苯并呋喃-1-酮衍生物的方法
    • WO02094760A3
    • 2003-10-02
    • PCT/EP0205572
    • 2002-05-21
    • SYNGENTA PARTICIPATIONS AGSCHNYDER ANITAPASSAFARO MARCORAPOLD THOMAS
    • SCHNYDER ANITAPASSAFARO MARCORAPOLD THOMAS
    • C07B61/00C07C51/10C07C63/70C07C245/08C07D307/88C07C63/06A01N43/54C07C43/225C07C65/24C07C317/22C07D405/12
    • C07D307/88C07C63/70
    • Process for the preparation of compounds of formula (I) wherein R is halogen, R1O1R1S(O)n or (R1)2NC(X)O; R1 is C1-C8alkly, aryl-C1-C8alkyl, C1-C8haloalkyl or aryl; n is 0, 1, 2 or 3; X is O or S; and R2 is hydrogen, C1-C4alkyl or C1-C4haloalkyl, in which process, in a solvent, (1) an aniline derivative of formula (IV) wherein R is as defined above, and R3 is C1-C5alkyl or C1-C5haloalkyl, is diazotised in the presence of a mineral acid to form the corresponding diazonium salt of formula (II) wherein R and R3 are as defined above, A is an anion, and m is 1 or 2, (2) the resulting diazonium salt of formula (II) is carbonylated in the presence of a catalyst, CO and optionally a buffer, to form a benzoic acid derivative of formula (III) wherein R and R3 are as defined above, and (3) the benzoic acid derivative of formula (III) is then subjected to benzylic lactonisation in the ortho-position alkyl chain R3 in the presence of a free-radical initiator and a halogenating agent.
    • 制备式(I)化合物的方法,其中R是卤素,R1O1R1S(O)n或(R1)2NC(X)O; R 1是C 1 -C 8烷基,芳基-C 1 -C 8烷基,C 1 -C 8卤代烷基或芳基; n为0,1,2或3; X是O或S; 并且R 2是氢,C 1 -C 4烷基或C 1 -C 4卤代烷基,其中在溶剂中,(1)式(Ⅳ)的苯胺衍生物,其中R如上所定义,R 3是C 1 -C 5烷基或C 1 -C 5卤代烷基, 在无机酸存在下重氮化形成相应的式(II)的重氮盐,其中R和R 3如上定义,A m是阴离子,m是1或2,(2)所得的 式(II)的重氮盐在催化剂CO和任选的缓冲剂的存在下羰基化,以形成其中R和R 3如上所定义的式(III)的苯甲酸衍生物,和(3)苯甲酸衍生物 的式(III)化合物在自由基引发剂和卤化剂的存在下在邻位烷基链R3中进行苄基内酯化。