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1. 发明申请

WO2006022387A1 半導体装置及びそれを用いたモジュール审中-公开
标题翻译：半导体器件和使用其的模块
公开(公告)号：WO2006022387A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/015575
申请日：2005-08-26
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 橋本浩一
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 宮永良子 , 橋本浩一
IPC分类号： H02M1/08 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/095
CPC分类号： H02M7/538 , H01L21/8213 , H01L21/8252 , H01L24/73 , H01L27/0605 , H01L27/0727 , H01L2224/0603 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H01L2924/13062 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H02M7/003 , H03K17/063 , H03K17/6871 , Y02B70/1483 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：　本発明の半導体装置（２９）は、第１の電極と第２の電極と制御電極と信号出力電極とを有するとともに、第１の電極と信号出力電極との間に介在し制御電極への入力信号に応じて導通・非導通の制御がなされるトランジスタ素子部（２８ａ，２８ｂ）と、信号出力電極と第２の電極との間に介在する抵抗素子部（Ｒａ，Ｒｂ）とを構成する第１の半導体領域を有し、第１の半導体領域がワイドバンドギャップ半導体により構成されている２つのレベルシフトスイッチ（２８Ａ、２８Ｂ）と、カソード側電極およびアノード側電極と第２の半導体領域とを有し、第２の半導体領域がワイドバンドギャップ半導体により構成されているダイオード（２３）とを備えている。
摘要翻译：半导体器件（29）设置有具有第一电极，第二电极，控制电极和信号输出电极的两个电平移位开关（28A，28B）。开关还设置有构成晶体管元件部分（28a，28b）的第一半导体区域，其布置在第一电极和信号输出电极之间，并且被控制为通过对应于控制的输入信号来承载电力电极和布置在信号输出电极和第二电极之间的电阻元件部分（Ra，Rb）。第一半导体区域由宽带隙半导体构成。半导体器件还设置有二极管（23），其中布置阴极侧电极，阳极侧电极和第二半导体区域，并且第二半导体区域由宽带隙半导体构成。

2. 发明申请

WO2005122273A1 パワー素子审中-公开
标题翻译：功率元件
公开(公告)号：WO2005122273A1
公开(公告)日：2005-12-22
申请号：PCT/JP2005/010691
申请日：2005-06-10
申请人：松下電器産業株式会社 , 北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 橋本浩一
发明人：北畠真 , 楠本修 , 内田正雄 , 高橋邦方 , 山下賢哉 , 橋本浩一
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7828 , H01L29/0696 , H01L29/0847 , H01L29/105 , H01L29/1608 , H01L29/365
摘要：　ワイドバンドギャップ半導体を用いて形成され、かつトランジスタ構造を有するパワー素子であって、パワー素子の電流経路２０は、正の温度依存性を示すオン抵抗を有するＪＦＥＴ（ジャンクション）領域２、ドリフト領域３、および基板４と、負の温度依存性を示すオン抵抗を有するチャネル領域１とを含んでいる。パワー素子全体におけるオン抵抗の温度変化は、正の温度依存性を示すオン抵抗を有するＪＦＥＴ（ジャンクション）領域２、ドリフト領域３、および基板４におけるオン抵抗の温度変化ΔＲ p と、負の温度依存性を示すオン抵抗を有するチャネル領域１におけるオン抵抗の温度変化ΔＲ n とを相殺させることによって得られる。パワー素子の温度を－３０°Cから１００°Cへ変化させた場合のパワー素子全体におけるオン抵抗の変化の、－３０°Cにおけるパワー素子全体のオン抵抗に対する割合が５０％以下である。
摘要翻译：功率元件由宽带隙半导体形成并具有晶体管结构。功率元件的电流路径（20）包括具有正温度依赖性的导通电阻的JFET（结）区域（2），漂移区域（3）和基板（4）以及沟道区域 1）具有显示负温度依赖性的导通电阻。通过抵消具有导通电阻的JFET（结）区域（2），漂移区域（3）和基板（4）中的导通电阻温度变化ΔRp，可获得整个功率元件的导通电阻温度变化通过具有导通电阻的通道区域（1）中的导通电阻温度变化ΔRn显示正温度依赖性，显示出负温度依赖性。在功率元件温度从-30℃变化到100℃的情况下，整个功率元件的导通电阻变化率为-30℃时整个功率元件的导通电阻为50％或以下。

3. 发明申请

WO2007135940A1 半導体素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007135940A1
公开(公告)日：2007-11-29
申请号：PCT/JP2007/060108
申请日：2007-05-17
申请人：松下電器産業株式会社 , 内田正雄 , 橋本浩一 , 林将志
发明人：内田正雄 , 橋本浩一 , 林将志
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/66068 , H01L29/7828
摘要：　半導体層１０と、半導体層の表面１０ｓに形成された第１導電型半導体領域１５ｓと、半導体層の表面１０ｓにおいて、第１導電型半導体領域１５ｓの周囲に形成された第２導電型半導体領域１４ｓと、第１導電型半導体領域１５ｓおよび第２導電型半導体領域１４ｓに接触する導電面１９ｓを有する導電体１９とを備えた半導体素子であって、半導体層１０は炭化珪素を含み、第１導電型半導体領域１５ｓおよび導電面１９ｓのうち少なくとも一方は円ではなく、第１導電型半導体領域１５ｓおよび導電面１９ｓは、導電面１９ｓと第１導電型半導体領域１５ｓとの間の位置合わせのズレ量がゼロから導電面１９ｓの幅の１／３まで増加するに従って、導電面１９ｓの輪郭のうち第１導電型半導体領域１５ｓを横切る部分の長さがなめらかに変化する形状をそれぞれ有する。
摘要翻译：半导体元件设置有半导体层（10）; 形成在所述半导体层的前表面（10s）上的第一导电类型半导体区域（15s）在半导体层的前表面（10s）上形成在第一导电类型半导体区域（15s）的圆周上的第二导电类型半导体区域（14s）以及具有与第一导电类型半导体区域（15s）和第二导电类型半导体区域（14s）接触的导电表面（19s）的导体（19）。半导体层（10）包括碳化硅，并且至少第一导电类型半导体区域（15s）或导电表面（19s）不是圆形的。第一导电类型半导体区域（15s）和导电表面（19s）中的每一个具有其中导电表面（19s）的轮廓和穿过第一导电类型半导体区域（15s）的部分的长度的形状）随着导电表面（19s）和第一导电类型半导体区域（15s）之间的对准位移量从导通表面（19s）的宽度的零增加到1/3，平滑地改变。

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