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1. 发明申请

WO2012089540A1 VERBUNDSUBSTRAT, HALBLEITERCHIP MIT VERBUNDSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON VERBUNDSUBSTRATEN UND HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：复合基材，具有产生复合衬底及半导体芯片复合基材和方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012089540A1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/EP2011/073134
申请日：2011-12-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
发明人： BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker , ENGL, Karl , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/08 , C09K11/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/02612 , H01L21/78 , H01L24/73 , H01L29/02 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/46 , H01L33/507 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Es wird ein Verbundsubstrat (1) mit einem Träger (2) und einer Nutzschicht (5) angegeben, wobei die Nutzschicht mittels einer dielektrischen Verbindungsschicht (3) an dem Träger (2) befestigt ist und der Träger (2) ein Strahlungskonversionsmaterial enthält. Weiterhin werden ein Halbleiterchip (10) mit einem solchen Verbundsubstrat, ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundsubstrats sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips mit einem Verbundsubstrat angegeben.
摘要翻译：有由（2）被固定在载体上的介电粘结层（3）和所述载体（2）包括一个辐射转换材料与支撑件（2）和耐磨层（5）提供一种复合衬底（1），与所述耐磨层。此外，半导体芯片（10）具有这样的复合衬底，一种制造复合基板的制造方法和用于制造半导体芯片的方法都标有一个复合基板。

2. 发明申请

WO2011080144A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERWENDUNG EINER AUF ALGAN BASIERENDEN ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011080144A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070274
申请日：2010-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/16 , H01L33/12
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf Al x Ga 1-x N basierende Zwischenschicht (5), wobei 0

3. 发明申请

WO2013041424A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子器件
公开(公告)号：WO2013041424A1
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：PCT/EP2012/067808
申请日：2012-09-12
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
发明人： HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , ENGL, Karl , BAUR, Johannes , HAHN, Berthold , HÄRLE, Volker
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L21/76254 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (12) angegeben, bei dem eine Transferschicht (2), die In x Ga 1-x N mit 0 y Ga 1-y N mit 0 x enthält, auf die zuvor aufgewachsene Transferschicht (2) aufgewachsen, Ionen in die weitere Transferschicht (7) zur Ausbildung einer Trennzone (4) implantiert, ein weiteres Trägersubstrat (8) aufgebracht, und die weitere Transferschicht (7) durch eine Temperaturbehandlung zertrennt. Nachfolgend wird eine Halbleiterschichtenfolge (9), die eine aktive Schicht (10) enthält, auf die vom weiteren Trägersubstrat (8) abgewandte Oberfläche der weiteren Transferschicht (7) aufgewachsen.
摘要翻译：提供了一种用于制造光电子器件（12），其特征在于，（2）含有一个转移层的In x镓1-X N其中0 的x，生长在先前生长转印层（2）上，离子在所述另外的转移层（7）（用于形成分离区4 ）被植入，施加另一个载体基板（8），并且进一步转移层（7）由温度处理切断。随后，包含有源层（10）从所述另外的载体基板（8）进一步转移层（7）的表面背对的半导体层序列（9）生长。

4. 发明申请

WO2012116893A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2012116893A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/EP2012/052617
申请日：2012-02-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , BUTENDEICH, Rainer
发明人： LEIRER, Christian , VOGL, Anton , BIEBERSDORF, Andreas , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , BUTENDEICH, Rainer
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/24 , H01L33/22 , H01L21/02 , H01L31/0304 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L21/02513 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L31/03044 , H01L31/03529 , H01L31/1856 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/24
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) in einer Epitaxieanlage, epitaktisches Abscheiden zumindest einer Zwischenschicht (2) auf das Aufwachssubstrat (1), Erzeugen einer dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten strukturierten Oberfläche (3) an der dem Aufwachssubstrat (1) abgewandten Seite der Zwischenschicht (2), epitaktisches Abscheiden einer aktiven Schicht (4) auf die strukturierte Oberfläche (3), wobei die strukturierte Oberfläche (3) in der Epitaxieanlage erzeugt wird, und die aktive Schicht (4) der Strukturierung der strukturierten Oberfläche (3) zumindest stellenweise konform oder zumindest stellenweise im Wesentlichen konform folgt.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法：提供一生长衬底（1）中的外延，外延沉积的至少一个中间层（2）在生长衬底（1），产生（1）的面向远离所述结构化表面的在生长衬底上侧的结构化表面（3），其中所述结构化表面（3）设置在所述外延生产的，并且所述活性在背离（3）在生长衬底（1）的中间层（2）的外延沉积的有源层（4）的距离层（4）如下所述结构化表面（3）至少局部适应性或在基本上符合至少局部地的结构。

5. 发明申请

WO2011018273A1 ELEKTRISCH GEPUMPTER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：电泵浦光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011018273A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/059291
申请日：2010-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.
摘要翻译：在电泵浦光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括所述至少两个辐射活性量子阱（2），其中所述辐射 - 活性量子阱（2）或由InGaN构成。此外，光电子半导体芯片（1）包括至少两个覆盖层（4）包含或由AlGaN构成。（4）所述覆盖层中的每一个分配给所述辐射活性量子阱（2）中的一个。外层（4）分别在相关联的辐射活性量子的p侧孔（2）。良好的放射线活性量子之间的距离（2）和相关联的层（4）为至多1.5纳米。

6. 发明申请

WO2011009923A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT EINER QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译： WITH A量子阱结构光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2011009923A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060658
申请日：2010-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
发明人： PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/347 , H01S5/343 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt.
摘要翻译：本发明提供含有由第一组分和从第一部件的第二部件不同的方向上的半导体材料的光电子半导体本体。半导体本体具有一个n型层（1）和p型层（5）之间的量子阱结构。量子阱结构由以下元件组成：单量子阱层（31）或层（3）由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）的，其中，每两个相邻的量子阱层（31）之间包括阻挡层的堆叠（32）被布置成两个量子阱层（31）相邻; 形成在n型层上的n侧间隙层（2）（1）和所述单一量子阱层（31）或层堆叠（3）邻近; 和p侧帽层（4），其被布置在所述p型层（5）和单量子阱层（31）或层堆叠之间（3）和所述层堆叠（3）或单量子阱层（31 ）毗邻。

7. 发明申请

WO2005029595A1 GROUP III-NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：基于III-NITRIDE的化合物半导体器件
公开(公告)号：WO2005029595A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/JP2004/013082
申请日：2004-09-01
申请人： TOYODA GOSEI CO., LTD. , TAKI, Tetsuya
发明人： TAKI, Tetsuya
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/14
摘要： In a group III-nitride-based compound semiconductor device 100, an intermediate layer 108 is 5 provided between a p-AlGaN layer 107 and a p-GaN layer 109, to each of which an acceptor impurity is added. On this occasion, the intermediate layer 108 is doped with a donor impurity in a concentration, by which holes generated by an acceptor impurity introduced into the intermediate layer 108 during the formation of the p-AlGaN layer 107 are substantially compensated. As a result, the conductivity of the intermediate layer 108 becomes extremely low, and therefore the electrostatic withstand voltage of the group III-nitride-based compound semiconductor device 100 improves significantly.
摘要翻译：在III族氮化物类化合物半导体器件100中，在p-AlGaN层107和p-GaN层109之间设置中间层108，其中添加受主杂质。在这种情况下，中间层108被掺杂有施主杂质，其浓度通过在形成p-AlGaN层107期间由引入到中间层108中的受主杂质产生的空穴被基本上补偿。结果，中间层108的导电性变得非常低，因此III族氮化物系化合物半导体器件100的静电耐受电压显着提高。

8. 发明申请

WO2012049031A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：制造方法的半导体层序列，发射辐射的半导体芯片和光电子器件
公开(公告)号：WO2012049031A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/067154
申请日：2011-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen
发明人： HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge auf Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und mit einer mikrostrukturierten Außenfläche sowie ein damit hergestellter Halbleiterchip und ein optoelektronisches Bauteil mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: A) Aufwachsen zumindest einer ersten Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat; B) Aufbringen einer Ätzstoppschicht auf der ersten Halbleiterschicht; C) Aufwachsen zumindest einer weiteren Halbleiterschicht auf der in Schritt B) erhaltenen Schichtenfolge; D) Trennen der Halbleiterschichtenfolge vom Substrat, indem dem eine Trennzone der Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise entfernt wird; E) Ätzen der erhaltenen Trennfläche der Halbleiterschichtenfolge mittels eines Ätzmittels, so dass eine Mikrostrukturierung der ersten Halbleiterschicht erfolgt und die mikrostrukturierte Außenfläche gebildet wird.
摘要翻译：本发明提供用于制造基于氮化物化合物半导体材料的半导体层序列和具有微结构化的外表面，和一个这样制造的半导体芯片，并具有这样的半导体芯片的光电装置的方法。该方法包括以下步骤：a。至少一个基板上的半导体层序列的第一半导体层生长）; B）沉积在第一半导体层上形成蚀刻停止层; C）生长在步骤B中获得的化合物）层序列中的至少一个另外的半导体层; D）由半导体层序列的分离区分离基底的半导体层序列的至少部分除去; 携带E）蚀刻通过蚀刻剂的装置所获得的半导体层序列的分离区，从而形成所述第一半导体层和所述微结构化的外表面的微图案化。

9. 发明申请

WO2011080249A1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：半导体芯片
公开(公告)号：WO2011080249A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070761
申请日：2010-12-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei ein zur Erzeugung von Strahlung vorgesehener aktiver Bereich (20) zwischen einer n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. In der n-leitenden Mehrschichtstruktur ist ein Dotierprofil ausgebildet, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist.
摘要翻译：公开的是（1）和具有半导体层序列的半导体主体（2）的半导体芯片，其特征在于，对于n型多层结构（21）和p型半导体层之间产生所提供的辐射激活区（20）（22）布置。在n型多层结构，掺杂分布形成具有至少一个Dotierspitze（4）。

10. 发明申请

WO2011080219A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2011080219A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070658
申请日：2010-12-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUTENDEICH, Rainer , WALTER, Alexander , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , TAKI, Tetsuya , MAIWALD, Hubert
发明人： BUTENDEICH, Rainer , WALTER, Alexander , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , TAKI, Tetsuya , MAIWALD, Hubert
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/02
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L31/02363 , H01L31/03044 , H01L31/035236 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, mit - einer ersten Halbleiterschichtenfolge (1), die eine Vielzahl von Mikrodioden (11) umfasst, und - einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (2), die einen aktiven Bereich (12) umfasst, wobei - die erste Halbleiterschichtenfolge (1) und die zweite Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basieren, - die erste Halbleiterschichtenfolge (1) der zweiten Halbleiterschichtenfolge (2) in Wachstumsrichtung vorgelagert ist, und - die Mikrodioden (11) einen ESD-Schutz für den aktiven Bereich (12) bilden.
摘要翻译：它是设置有光电子半导体芯片（100） - 其包括多个微二极管（11）的第一半导体层序列（1）和 - （2），包括一个有源区域（12），第二半导体层序列，其中 - 所述第一上的氮化物化合物半导体材料的半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于， - 所述第一半导体层序列（1）的第二半导体层序列的（2）之前在生长方向，以及 - 微二极管（11），用于所述有源ESD保护形成区域（12）。

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