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1. 发明专利

TWI695504B 異質接面雙極性電晶體有权
简体标题：异质接面双极性晶体管
公开(公告)号：TWI695504B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107131231
申请日：2018-09-06
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 大部功 , OBU, ISAO
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/66 , H01L29/737

2. 发明专利

TW202005086A 具有改良終端結構之氮化鎵電晶體审中-公开
简体标题：具有改良终端结构之氮化镓晶体管
公开(公告)号：TW202005086A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108114089
申请日：2019-04-23
申请人：美商納維達斯半導體公司 , NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：金瑟丹尼爾 M , KINZER, DANIEL M. , 哈丹瑪赫 J , HAMDAN, MAHER J.
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/778
摘要：本申請案係關於一種具有改良終端結構之氮化鎵電晶體。一種氮化鎵電晶體包括定位於閘極與汲極之間的一或多個P型電洞注入結構。該等P型電洞注入結構經組態以在電晶體通道中注入電洞以與捕獲到的載流子(例如，電子)組合，因此通道之電導率較不易受施加至該電晶體之先前電壓電位影響。
简体摘要：本申请案系关于一种具有改良终端结构之氮化镓晶体管。一种氮化镓晶体管包括定位于闸极与汲极之间的一或多个P型电洞注入结构。该等P型电洞注入结构经组态以在晶体管信道中注入电洞以与捕获到的载流子(例如，电子)组合，因此信道之电导率较不易受施加至该晶体管之先前电压电位影响。

3. 发明专利

TW201841366A 雙極性電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：双极性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201841366A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106144602
申请日：2017-12-19
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 黑川敦 , KUROKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/737 , H01L21/331
摘要：本發明涉及雙極性電晶體及其製造方法。同時實現雙極性電晶體的集極電阻的降低和基極-集極間電容的降低。雙極性電晶體(100)具備將集極層(3)、基極層(4)以及射極層(5)依次積層於子集極層(2)的構造。在子集極層(2)形成有集極電極(9)。在基極層(4)形成有基極電極(10)。集極層(3)具備配置為從子集極層側朝向基極層側雜質濃度減少的複數個雜質層(31、32、33、34)。雜質層(31)是複數個雜質層(31、32、33、34)中雜質濃度最大的雜質層，並且與子集極層(2)接觸。雜質層(31)的薄膜電阻是子集極層(2)的薄膜電阻的9倍以下。
简体摘要：本发明涉及双极性晶体管及其制造方法。同时实现双极性晶体管的集极电阻的降低和基极-集极间电容的降低。双极性晶体管(100)具备将集极层(3)、基极层(4)以及射极层(5)依次积层于子集极层(2)的构造。在子集极层(2)形成有集极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集极层(3)具备配置为从子集极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的复数个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是复数个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。

4. 发明专利

TWI641139B 具有增強型電阻率區的半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有增强型电阻率区的半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI641139B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW105135874
申请日：2016-11-04
申请人：恩智浦美國公司 , NXP USA, INC.
发明人：希爾達瑞爾 , HILL, DARRELL , 格倫布魯斯 , GREEN, BRUCE
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/66 , H01L29/10 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/20 , H01L29/207

5. 发明专利

TWI643338B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI643338B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106104323
申请日：2017-02-10
申请人：台達電子工業股份有限公司 , DELTA ELECTRONICS, INC.
发明人：林立凡 , LIN, LI-FAN , 楊竣傑 , YANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/423 , H01L29/778

6. 发明专利

TW201826534A 非對稱閉鎖雙向氮化鎵開關审中-公开
简体标题：非对称闭锁双向氮化镓开关
公开(公告)号：TW201826534A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106127982
申请日：2017-08-17
申请人：萬國半導體(開曼)股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR (CAYMAN) LTD.
发明人：謝裏丹大衛 , SHERIDAN, DAVID
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/778
摘要：一種高電子遷移率晶體管（HEMT）氮化鎵（GaN）雙向閉鎖裝置包括一個異質結結構，包括兩個不同帶隙的第一半導體層和第二半導體層相交接，從而將交界面層製成一個二維電子氣（以下簡稱2DEG）層。高電子遷移率晶體管氮化鎵雙向閉鎖裝置還包括一個第一源極/汲極電極和一個第二源極/汲極電極，位於所述的異質結結構上方的閘極電極的兩個對邊上，用於控制2DEG層中第一和第二源極/汲極電極之間的電流，其中閘極電極與第一源極/汲極電極相距第一距離，與第二源極/汲極電極相距第二距離，第一距離不同於第二距離。
简体摘要：一种高电子迁移率晶体管（HEMT）氮化镓（GaN）双向闭锁设备包括一个异质结结构，包括两个不同带隙的第一半导体层和第二半导体层相交接，从而将交界面层制成一个二维电子气（以下简称2DEG）层。高电子迁移率晶体管氮化镓双向闭锁设备还包括一个第一源极/汲极电极和一个第二源极/汲极电极，位于所述的异质结结构上方的闸极电极的两个对边上，用于控制2DEG层中第一和第二源极/汲极电极之间的电流，其中闸极电极与第一源极/汲极电极相距第一距离，与第二源极/汲极电极相距第二距离，第一距离不同于第二距离。

7. 发明专利

TW201810655A 磊晶基板审中-公开
公开(公告)号：TW201810655A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115076
申请日：2017-05-08
申请人：愛德萬測試股份有限公司 , ADVANTEST CORPORATION
发明人：佐藤拓 , SATO, TAKU
IPC分类号： H01L29/205 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/205 , H01L29/1079 , H01L29/2003 , H01L29/7787
摘要：本發明提供一種適合於N面GaN系半導體裝置的製造的磊晶基板。GaN磊晶基板200具備成長用基板202、形成於成長用基板202上的緩衝層204、形成於緩衝層204上的n型導電層206、形成於n型導電層206上的第一GaN層208、形成於第一GaN層上的電子供給層210、以及形成於電子供給層210上的第二GaN層212，且沿Ga極性方向積層。
简体摘要：本发明提供一种适合于N面GaN系半导体设备的制造的磊晶基板。GaN磊晶基板200具备成长用基板202、形成于成长用基板202上的缓冲层204、形成于缓冲层204上的n型导电层206、形成于n型导电层206上的第一GaN层208、形成于第一GaN层上的电子供给层210、以及形成于电子供给层210上的第二GaN层212，且沿Ga极性方向积层。

8. 发明专利

TW201806165A 包含漸變空乏層的三族氮化物裝置审中-公开
简体标题：包含渐变空乏层的三族氮化物设备
公开(公告)号：TW201806165A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106117881
申请日：2017-05-31
申请人：創世舫電子有限公司 , TRANSPHORM INC.
发明人：米喜拉鄔梅西 , MISHRA, UMESH , 萊爾拉克許K , LAL, RAKESH K. , 古普塔基泰克 , GUPTA, GEETAK , 紐菲爾德卡爾喬瑟夫 , NEUFELD, CARL JOSEPH , 羅狄絲大衛 , RHODES, DAVID
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/872 , H01L29/205
CPC分类号： H01L29/0688 , H01L23/49562 , H01L29/0619 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7785 , H01L29/7786 , H01L29/872
摘要： III-N裝置包括：III-N層結構，III-N層結構包括III-N通道層、III-N通道層上的III-N阻隔層、及III-N阻隔層上的漸變III-N層，漸變III-N層具有與III-N阻隔層相鄰的第一側以及與第一側相反的第二側；第一功率電極與第二功率電極；以及第一與第二功率電極之間的閘極，閘極係在III-N層結構上。將漸變III-N層的組成物漸變，而使得與第一側相鄰的漸變III-N層的帶隙大於與第二側相鄰的漸變III-N層的帶隙。漸變III-N層的區域係（i）在閘極與第二功率電極之間，以及（ii）與第一功率電極電連接，並與第二功率電極電隔離。
简体摘要： III-N设备包括：III-N层结构，III-N层结构包括III-N信道层、III-N信道层上的III-N阻隔层、及III-N阻隔层上的渐变III-N层，渐变III-N层具有与III-N阻隔层相邻的第一侧以及与第一侧相反的第二侧；第一功率电极与第二功率电极；以及第一与第二功率电极之间的闸极，闸极系在III-N层结构上。将渐变III-N层的组成物渐变，而使得与第一侧相邻的渐变III-N层的带隙大于与第二侧相邻的渐变III-N层的带隙。渐变III-N层的区域系（i）在闸极与第二功率电极之间，以及（ii）与第一功率电极电连接，并与第二功率电极电隔离。

9. 发明专利

TW201709280A 利用經旋轉之雙倍寬深比捕獲減少缺陷审中-公开
简体标题：利用经旋转之双倍宽深比捕获减少缺陷
公开(公告)号：TW201709280A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105101048
申请日：2016-01-14
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：伏葛爾凱斯E , FOGEL, KEITH E. , 侯爾特朱德尚R , HOLT, JUDSON R. , 凱貝爾佩拉尼塔 , KERBER, PRANITA , 瑞尼克艾力克安德魯 , REZNICEK, ALEXANDER
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/32 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/32 , H01L21/02639 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L29/66795
摘要：所揭露的是一種用於製造具有更低缺陷密度的異質磊晶生長晶格不匹配半導體層的結構及方法。使用第一ART沉積程序，在下溝槽中晶格不匹配結晶基板的上表面上磊晶生長第一半導體層。接著，沿著水平平面將該結構轉動90°，並且使用第二ART沉積程序，在上溝槽中第一半導體層的上表面上磊晶生長第二半導體層。如此，使得第二半導體層的上部分實質沒有磊晶缺陷。
简体摘要：所揭露的是一种用于制造具有更低缺陷密度的异质磊晶生长晶格不匹配半导体层的结构及方法。使用第一ART沉积进程，在下沟槽中晶格不匹配结晶基板的上表面上磊晶生长第一半导体层。接着，沿着水平平面将该结构转动90°，并且使用第二ART沉积进程，在上沟槽中第一半导体层的上表面上磊晶生长第二半导体层。如此，使得第二半导体层的上部分实质没有磊晶缺陷。

10. 发明专利

TWI695433B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI695433B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107139888
申请日：2018-11-09
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 柴田雅博 , SHIBATA, MASAHIRO , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 近藤将夫 , KONDO, MASAO , 筒井孝幸 , TSUTSUI, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/205 , H01L29/737

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