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1. 发明专利

TWI671825B 半導體晶片、半導體晶片之構裝方法及構裝有半導體晶片之模組有权
简体标题：半导体芯片、半导体芯片之构装方法及构装有半导体芯片之模块
公开(公告)号：TWI671825B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107103496
申请日：2018-01-31
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 柴田雅博 , SHIBATA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/60 , H01B1/02

2. 发明专利

TW201842595A 半導體晶片、半導體晶片之構裝方法及構裝有半導體晶片之模組审中-公开
简体标题：半导体芯片、半导体芯片之构装方法及构装有半导体芯片之模块
公开(公告)号：TW201842595A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107103496
申请日：2018-01-31
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 柴田雅博 , SHIBATA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/60 , H01B1/02
摘要：本發明提供一種即使對於嚴酷的環境下的處理也能夠確保充分的強度的黏接力的半導體晶片。半導體晶片具有單晶的基板和形成在基板的底面的金屬電極。金屬電極包含：露出第一金屬的區域；以及露出具有與第一金屬的標準電極電位不同的標準電極電位的第二金屬的區域。
简体摘要：本发明提供一种即使对于严酷的环境下的处理也能够确保充分的强度的黏接力的半导体芯片。半导体芯片具有单晶的基板和形成在基板的底面的金属电极。金属电极包含：露出第一金属的区域；以及露出具有与第一金属的标准电极电位不同的标准电极电位的第二金属的区域。

3. 发明专利

TWI695433B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI695433B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107139888
申请日：2018-11-09
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 柴田雅博 , SHIBATA, MASAHIRO , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 近藤将夫 , KONDO, MASAO , 筒井孝幸 , TSUTSUI, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/205 , H01L29/737

4. 发明专利

TWI681622B 功率放大器以及化合物半導體裝置有权
简体标题：功率放大器以及化合物半导体设备
公开(公告)号：TWI681622B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107135091
申请日：2018-10-04
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 田中聡 , TANAKA, SATOSHI , 筒井孝幸 , TSUTSUI, TAKAYUKI , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI
IPC分类号： H03F3/217

5. 发明专利

TWI695504B 異質接面雙極性電晶體有权
简体标题：异质接面双极性晶体管
公开(公告)号：TWI695504B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107131231
申请日：2018-09-06
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 大部功 , OBU, ISAO
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/66 , H01L29/737

6. 发明专利

TWI664730B 異質接合雙極性電晶體有权
简体标题：异质接合双极性晶体管
公开(公告)号：TWI664730B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107104005
申请日：2018-02-05
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 大部功 , OBU, ISAO
IPC分类号： H01L29/737

7. 发明专利

TW201842670A 異質接合雙極性電晶體审中-公开
简体标题：异质接合双极性晶体管
公开(公告)号：TW201842670A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107104005
申请日：2018-02-05
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 大部功 , OBU, ISAO
IPC分类号： H01L29/737
摘要：本發明提供一種能夠維持較高的線性效率以及較高的線性輸出的異質接合雙極性電晶體。HBT的集極層包含高濃度集極層和配置於其上的低濃度集極層。低濃度集極層包含隨著遠離基極層而能帶隙變窄地變化的漸變集極層。基極層的半導體材料的電子親和力比漸變集極層的能帶隙最大的位置處的半導體材料的電子親和力大，它們的差為0.15eV以下。漸變集極層具有在使電場強度變化時，在某個電場強度下電子的移動速度顯示出峰值的特性。由漸變集極層的能帶隙的變化引起而作用於電子的準電場的強度是電子的移動速度顯示出峰值的電場強度亦即峰值電場強度的0.3倍以上1.8倍以下。
简体摘要：本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质接合双极性晶体管。HBT的集极层包含高浓度集极层和配置于其上的低浓度集极层。低浓度集极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度显示出峰值的特性。由渐变集极层的能带隙的变化引起而作用于电子的准电场的强度是电子的移动速度显示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。

8. 发明专利

TW201841366A 雙極性電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：双极性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201841366A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW106144602
申请日：2017-12-19
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 黑川敦 , KUROKAWA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/737 , H01L21/331
摘要：本發明涉及雙極性電晶體及其製造方法。同時實現雙極性電晶體的集極電阻的降低和基極-集極間電容的降低。雙極性電晶體(100)具備將集極層(3)、基極層(4)以及射極層(5)依次積層於子集極層(2)的構造。在子集極層(2)形成有集極電極(9)。在基極層(4)形成有基極電極(10)。集極層(3)具備配置為從子集極層側朝向基極層側雜質濃度減少的複數個雜質層(31、32、33、34)。雜質層(31)是複數個雜質層(31、32、33、34)中雜質濃度最大的雜質層，並且與子集極層(2)接觸。雜質層(31)的薄膜電阻是子集極層(2)的薄膜電阻的9倍以下。
简体摘要：本发明涉及双极性晶体管及其制造方法。同时实现双极性晶体管的集极电阻的降低和基极-集极间电容的降低。双极性晶体管(100)具备将集极层(3)、基极层(4)以及射极层(5)依次积层于子集极层(2)的构造。在子集极层(2)形成有集极电极(9)。在基极层(4)形成有基极电极(10)。集极层(3)具备配置为从子集极层侧朝向基极层侧杂质浓度减少的复数个杂质层(31、32、33、34)。杂质层(31)是复数个杂质层(31、32、33、34)中杂质浓度最大的杂质层，并且与子集极层(2)接触。杂质层(31)的薄膜电阻是子集极层(2)的薄膜电阻的9倍以下。

9. 发明专利

TW201839957A 半導體裝置以及功率放大器模組审中-公开
简体标题：半导体设备以及功率放大器模块
公开(公告)号：TW201839957A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107105250
申请日：2018-02-13
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 柴田雅博 , SHIBATA, MASAHIRO , 那倉健一 , NAGURA, KENICHI
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/60
摘要：本發明提供一種在使用了包含化合物半導體的基板的半導體裝置中，能夠抑制晶片面積的增大的半導體裝置。在包含化合物半導體的基板上形成電路元件。在電路元件上，接合焊墊被配置為與電路元件至少局部重疊。接合焊墊包含第1金屬膜以及形成於第1金屬膜上的第2金屬膜。第2金屬膜的金屬材料比第1金屬膜的金屬材料硬。
简体摘要：本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体设备中，能够抑制芯片面积的增大的半导体设备。在包含化合物半导体的基板上形成电路组件。在电路组件上，接合焊垫被配置为与电路组件至少局部重叠。接合焊垫包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

10. 发明专利

TW202008594A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW202008594A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108114007
申请日：2019-04-22
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：大部功 , OBU, ISAO , 小屋茂樹 , KOYA, SHIGEKI , 梅本康成 , UMEMOTO, YASUNARI , 筒井孝幸 , TSUTSUI, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/60
摘要：本發明提供在安裝到外部基板時能夠抑制電連接不良的產生的半導體裝置。半導體裝置具有：半導體基板；複數個第一雙極電晶體，設置於半導體基板的第一主面側，在與第一主面垂直的方向上，在射極層與射極電極之間具有第一高度；至少一個以上的第二雙極電晶體，設置於半導體基板的第一主面側，在與第一主面垂直的方向上，在射極層與射極電極之間具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸塊，遍佈複數個第一雙極電晶體和至少一個以上的第二雙極電晶體而配置。
简体摘要：本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体设备。半导体设备具有：半导体基板；复数个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在射极层与射极电极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在射极层与射极电极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布复数个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。

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