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1. 发明专利

TW201737354A 半導體裝置，電子部件，電子設備及用於製造半導體裝置之方法审中-公开
简体标题：半导体设备，电子部件，电子设备及用于制造半导体设备之方法
公开(公告)号：TW201737354A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW106100920
申请日：2017-01-12
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：竹內克彥 , TAKEUCHI, KATSUHIKO , 兼松成 , KANEMATSU, SHIGERU , 柳田將志 , YANAGITA, MASASHI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/66462 , H01L29/66666 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/7827 , H01L29/802
摘要：一種半導體裝置包含一基板及該基板上之一第一接觸層。該半導體裝置包含該第一接觸層上之一通道層及該通道層上之一障壁層。該半導體裝置包含該障壁層之至少一個側表面上之一閘極電極及該通道層上之一第二接觸層。該半導體裝置包含該第一接觸層上之一第一電極及該第二接觸層上之一第二電極。
简体摘要：一种半导体设备包含一基板及该基板上之一第一接触层。该半导体设备包含该第一接触层上之一信道层及该信道层上之一障壁层。该半导体设备包含该障壁层之至少一个侧表面上之一闸极电极及该信道层上之一第二接触层。该半导体设备包含该第一接触层上之一第一电极及该第二接触层上之一第二电极。

2. 发明专利

TW201631635A 磊晶晶圓、半導體元件、磊晶晶圓的製造方法、以及半導體元件的製造方法审中-公开
简体标题：磊晶晶圆、半导体组件、磊晶晶圆的制造方法、以及半导体组件的制造方法
公开(公告)号：TW201631635A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104137729
申请日：2015-11-16
申请人：三墾電氣股份有限公司 , SANKEN ELECTRIC CO., LTD. , 信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：佐藤憲 , SATO, KEN , 鹿內洋志 , SHIKAUCHI, HIROSHI , 後藤博一 , GOTO, HIROKAZU , 篠宮勝 , SHINOMIYA, MASARU , 土屋慶太郎 , TSUCHIYA, KEITARO , 萩本和德 , HAGIMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： H01L29/778 , C30B25/183 , C30B25/22 , C30B29/38 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/68 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/7786
摘要：本發明提供一種磊晶晶圓，其特徵在於具有：矽系基板；第一緩衝層，其配置於矽系基板上，並具有第一多層結構緩衝區域與第一插入層，該第一多層結構緩衝區域是由AlxGa1-xN層與AlyGa1-yN層交互配置而成，該第一插入層是由比AlyGa1-yN層更厚的AlzGa1-zN層所構成，其中，x>y、x>z，並且，該第一緩衝層是由第一多層結構緩衝區域與第一插入層交互配置而成；第二緩衝層，其配置於第一緩衝層上，並具有第二多層結構緩衝區域與第二插入層，該第二多層結構緩衝區域是由AlαGa1-αN層與AlβGa1-βN層交互配置而成，該第二插入層是由比AlβGa1-βN層更厚的AlγGa1-γN層所構成，其中，α>β、α>γ，並且，該第二緩衝層是由第二多層結構緩衝區域與第二插入層交互配置而成；及，通道層，其配置於第二緩衝層上，且比第二插入層更厚；並且，第二緩衝層的平均Al組成比第一緩衝層的平均Al組成更高。藉此，提供一種磊晶晶圓，其能夠降低晶圓的翹曲並抑制發生內部龜裂。
简体摘要：本发明提供一种磊晶晶圆，其特征在于具有：硅系基板；第一缓冲层，其配置于硅系基板上，并具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，该第一多层结构缓冲区域是由AlxGa1-xN层与AlyGa1-yN层交互配置而成，该第一插入层是由比AlyGa1-yN层更厚的AlzGa1-zN层所构成，其中，x>y、x>z，并且，该第一缓冲层是由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，其配置于第一缓冲层上，并具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，该第二多层结构缓冲区域是由AlαGa1-αN层与AlβGa1-βN层交互配置而成，该第二插入层是由比AlβGa1-βN层更厚的AlγGa1-γN层所构成，其中，α>β、α>γ，并且，该第二缓冲层是由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；及，信道层，其配置于第二缓冲层上，且比第二插入层更厚；并且，第二缓冲层的平均Al组成比第一缓冲层的平均Al组成更高。借此，提供一种磊晶晶圆，其能够降低晶圆的翘曲并抑制发生内部龟裂。

3. 发明专利

TW201513342A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201513342A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103127050
申请日：2014-08-07
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：山田敦史 , YAMADA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/66462
摘要：一種半導體裝置包括一形成於一基體上的超晶格緩衝層。一上緩衝層是形成在該超晶格緩衝層上。一第一半導體層是以一氮化物半導體形成在該上緩衝層上。一第二半導體層是以一氮化物半導體形成在該第一半導體層上。一閘極電極、一源極電極和一汲極電極是形成在該第二半導體層上。該超晶格緩衝層是藉由循環往復地層疊具有不同成份的氮化物半導體薄膜來被形成。該上緩衝層是以一種具有一比該第一半導體層之帶隙寬之帶隙的氮化物半導體材料形成而且是以一致使受體能階之深度大於或者相等於0.5eV的雜質元件摻雜。
简体摘要：一种半导体设备包括一形成于一基体上的超晶格缓冲层。一上缓冲层是形成在该超晶格缓冲层上。一第一半导体层是以一氮化物半导体形成在该上缓冲层上。一第二半导体层是以一氮化物半导体形成在该第一半导体层上。一闸极电极、一源极电极和一汲极电极是形成在该第二半导体层上。该超晶格缓冲层是借由循环往复地层叠具有不同成份的氮化物半导体薄膜来被形成。该上缓冲层是以一种具有一比该第一半导体层之带隙宽之带隙的氮化物半导体材料形成而且是以一致使受体能阶之深度大于或者相等于0.5eV的杂质组件掺杂。

4. 发明专利

TW201513174A 半導體基板、半導體裝置及半導體裝置的製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板、半导体设备及半导体设备的制造方法
公开(公告)号：TW201513174A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103116419
申请日：2014-05-08
申请人：三墾電氣股份有限公司 , SANKEN ELECTRIC CO., LTD. , 信越半導體股份有限公司 , SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：鹿內洋志 , SHIKAUCHI, HIROSHI , 佐藤憲 , SATO, KEN , 後藤博一 , GOTO, HIROKAZU , 篠宮勝 , SHINOMIYA, MASARU , 土屋慶太郎 , TSUCHIYA, KEITARO , 萩本和德 , HAGIMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L29/1075 , H01L29/157 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7787
摘要：本發明是一種半導體基板，其特徵在於具有：矽系基板；緩衝層，其設於前述矽系基板上，且由含有硼的氮化物半導體所構成；及，動作層，其被形成於前述緩衝層上；並且，前述緩衝層的硼濃度，從前述矽系基板側朝向前述動作層側逐漸減少。藉此，本發明提供一種半導體基板，其在緩衝層中含有足夠得到差排抑制效果的硼，並且硼不會擴散到動作層。
简体摘要：本发明是一种半导体基板，其特征在于具有：硅系基板；缓冲层，其设于前述硅系基板上，且由含有硼的氮化物半导体所构成；及，动作层，其被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述动作层侧逐渐减少。借此，本发明提供一种半导体基板，其在缓冲层中含有足够得到差排抑制效果的硼，并且硼不会扩散到动作层。

5. 发明专利

TW201511257A 半導體基板及半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：半导体基板及半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW201511257A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103125961
申请日：2014-07-30
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：佐沢洋幸 , SAZAWA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L29/02 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/0684 , C23C16/303 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/68 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/0607 , H01L29/1075 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7786
摘要：本發明提供一種下述半導體基板：第1超晶格層具有複數之由第1層及第2層而成的第1單元層，第2超晶格層具有複數之由第3層及第4層而成的第2單元層，第1層係由Alx1Ga1-x1N(0 y1)而成，第3層係由Alx2Ga1-x2N(0 y2)而成，第1超晶格層之平均晶格常數與第2超晶格層之平均晶格常數相異，於選自第1超晶格層及第2超晶格層之1層以上之層中，以超過7×1018〔atoms/cm3〕之密度含有提升耐電壓性之雜質原子。
简体摘要：本发明提供一种下述半导体基板：第1超晶格层具有复数之由第1层及第2层而成的第1单元层，第2超晶格层具有复数之由第3层及第4层而成的第2单元层，第1层系由Alx1Ga1-x1N(0y1)而成，第3层系由Alx2Ga1-x2N(0y2)而成，第1超晶格层之平均晶格常数与第2超晶格层之平均晶格常数相异，于选自第1超晶格层及第2超晶格层之1层以上之层中，以超过7×1018〔atoms/cm3〕之密度含有提升耐电压性之杂质原子。

6. 发明专利

TWI470795B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI470795B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW101126751
申请日：2012-07-25
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：西森理人 , NISHIMORI, MASATO , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/7787

7. 发明专利

TW201442241A 化合物半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：化合物半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201442241A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103107206
申请日：2014-03-04
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：石黑哲郎 , ISHIGURO, TETSURO , 中村哲一 , NAKAMURA, NORIKAZU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/76224 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/36 , H01L29/7787
摘要：一種化合物半導體裝置包括：一基材；及一形成在該基材之上的化合物半導體層積層結構，該化合物半導體層積層結構包括一含有雜質的緩衝層，及一形成在該緩衝層之上的主動層。
简体摘要：一种化合物半导体设备包括：一基材；及一形成在该基材之上的化合物半导体层积层结构，该化合物半导体层积层结构包括一含有杂质的缓冲层，及一形成在该缓冲层之上的主动层。

8. 发明专利

TW201342593A 高品質ＧａＮ高電壓矽異質結構場效電晶體审中-公开
简体标题：高品质ＧａＮ高电压硅异质结构场效应管
公开(公告)号：TW201342593A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101145982
申请日：2012-12-07
申请人：電源整合公司 , POWER INTEGRATIONS, INC.
发明人：藍丹尼傑莫 , RAMDANI, JAMAL , 艾德伍茲強 , EDWARDS, JOHN P. , 劉玲玲 , LIU, LINLIN
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/0226 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L29/045 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/778 , H01L29/7786 , H01L29/78
摘要：本發明揭示適於形成諸如異質結構場效電晶體(HFET，Heterostructure Field Effect Transistor)的電子裝置之矽基GaN的基材、及製造該等基材之方法。空隙於一矽晶圓之頂面上的晶質Al2O3薄膜中形成。該矽晶圓的該頂面為沿著＜111＞矽晶面方向。該等複數個疊層沉積在該等空隙與該Al2O3薄膜上。每一疊層包括一AlN薄膜與一GaN薄膜。一電晶體或其他裝置可在該頂層GaN薄膜中形成。
简体摘要：本发明揭示适于形成诸如异质结构场效应管(HFET，Heterostructure Field Effect Transistor)的电子设备之硅基GaN的基材、及制造该等基材之方法。空隙于一硅晶圆之顶面上的晶质Al2O3薄膜中形成。该硅晶圆的该顶面为沿着＜111＞硅晶面方向。该等复数个叠层沉积在该等空隙与该Al2O3薄膜上。每一叠层包括一AlN薄膜与一GaN薄膜。一晶体管或其他设备可在该顶层GaN薄膜中形成。

9. 发明专利

TW201324772A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201324772A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101126751
申请日：2012-07-25
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：西森理人 , NISHIMORI, MASATO , 吉川俊英 , KIKKAWA, TOSHIHIDE
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/7787
摘要：一種半導體裝置，係包括：配置於基板上之緩衝層、配置於該緩衝層上之高電阻層，該高電阻層摻雜有用以實現高電阻之過渡金屬、配置於該高電阻層的一部分中或該高電阻層上之低電阻區，該低電阻區摻雜有用以實現低電阻之雜質元素、配置於含有該低電阻區的高電阻層上之電子遷移層、配置於該電子遷移層上之電子供應層、配置於該電子供應層上之閘極電極、以及配置於該電子供應層上之源極電極和汲極電極。
简体摘要：一种半导体设备，系包括：配置于基板上之缓冲层、配置于该缓冲层上之高电阻层，该高电阻层掺杂有用以实现高电阻之过渡金属、配置于该高电阻层的一部分中或该高电阻层上之低电阻区，该低电阻区掺杂有用以实现低电阻之杂质元素、配置于含有该低电阻区的高电阻层上之电子迁移层、配置于该电子迁移层上之电子供应层、配置于该电子供应层上之闸极电极、以及配置于该电子供应层上之源极电极和汲极电极。

10. 发明专利

TW201251019A 氮化物半導體之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：氮化物半导体之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201251019A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101100901
申请日：2012-01-10
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：大野彰仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0262 , H01L29/1075 , H01L29/2003 , H01L29/7787
摘要： [課題] 得到一氮化物半導體裝置之製造方法,可以避免高阻値緩衝層的結晶品質惡化。[解決手段]SiC基板1上,以Ⅲ族原料使用有機金屬原料、V族原料使用聯氨介電質的有機化合物之MOCVD法,形成碳元素濃度控制在1018cm-3以上的氮化物半導體所構成的AlN(氮化鋁)高阻値緩衝層2。AlN高阻値緩衝層2上,形成具有比AlN高阻値緩衝層2低的阻値之GaN(氮化鎵)電子走行層3以及Al0.2Ga0.8N電子供給層4。
简体摘要： [课题] 得到一氮化物半导体设备之制造方法,可以避免高阻値缓冲层的结晶品质恶化。[解决手段]SiC基板1上,以Ⅲ族原料使用有机金属原料、V族原料使用联氨介电质的有机化合物之MOCVD法,形成碳元素浓度控制在1018cm-3以上的氮化物半导体所构成的AlN(氮化铝)高阻値缓冲层2。AlN高阻値缓冲层2上,形成具有比AlN高阻値缓冲层2低的阻値之GaN(氮化镓)电子走行层3以及Al0.2Ga0.8N电子供给层4。

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