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1. 发明专利

TWI699887B 具有分段式濃度的功率半導體裝置有权
简体标题：具有分段式浓度的功率半导体设备
公开(公告)号：TWI699887B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW106113215
申请日：2017-04-20
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：李坤彥 , LEE, KUNG-YEN , 黃智方 , HUANG, CHIH-FANG , 王聖中 , WANG, SHENG ZHONG , 鄭家慧 , CHENG, CHIA HUI , 葉文彬
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78

2. 发明专利

TW202027274A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW202027274A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100006
申请日：2019-01-02
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林庭佑 , LIN, TING-YOU , 涂祈吏 , TU, CHI-LI , 許書維 , HSU, SHU-WEI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/36 , H01L29/66
摘要：一種半導體結構，包含：半導體基底、埋置層、一對第一井區、第二井區、體摻雜區、以及第一重摻雜區。此半導體基底具有第一導電類型。此埋置層位於此半導體基底上且具第二導電類型。此對第一井區位於此埋置層上且具有第二導電類型。此第二井區位於此埋置層上並位於此對第一井區之間，其具有第一導電類型。此體摻雜區位於此第二井區中，其具有此第一導電類型。此第一重摻雜區位於此體摻雜區中，其具有第一導電類型。在上視圖中，此第一重摻雜區以及此對第一井區沿著第一方向延伸，並且此第一重摻雜區延伸超出此對第一井區之二個相反邊緣。
简体摘要：一种半导体结构，包含：半导体基底、埋置层、一对第一井区、第二井区、体掺杂区、以及第一重掺杂区。此半导体基底具有第一导电类型。此埋置层位于此半导体基底上且具第二导电类型。此对第一井区位于此埋置层上且具有第二导电类型。此第二井区位于此埋置层上并位于此对第一井区之间，其具有第一导电类型。此体掺杂区位于此第二井区中，其具有此第一导电类型。此第一重掺杂区位于此体掺杂区中，其具有第一导电类型。在上视图中，此第一重掺杂区以及此对第一井区沿着第一方向延伸，并且此第一重掺杂区延伸超出此对第一井区之二个相反边缘。

3. 发明专利

TW202008591A 記憶體結構及其形成方法审中-公开
简体标题：内存结构及其形成方法
公开(公告)号：TW202008591A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107131271
申请日：2018-09-06
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：董金文 , DONG, JIN WEN , 陳俊 , CHEN, JUN , 夏志良 , XIA, ZHILIANG , 華子群 , HUA, ZI QUN , 朱繼鋒 , ZHU, JIFENG , 陳赫 , CHEN, HE
IPC分类号： H01L29/36 , H01L27/11551 , H01L21/8239
摘要：本發明涉及一種記憶體結構及其形成方法，所述記憶體結構包括：第一基底，包括襯底層和儲存層，所述襯底層具有相對的第一表面和第二表面，所述儲存層位於所述襯底層的第一表面上，所述襯底層內具有摻雜井；隔離結構貫穿所述襯底層，且位於所述摻雜井邊緣，用於隔離所述摻雜井與周圍的襯底層。所述記憶體結構能夠避免摻雜井與襯底層之間的漏電，提高性能。
简体摘要：本发明涉及一种内存结构及其形成方法，所述内存结构包括：第一基底，包括衬底层和存储层，所述衬底层具有相对的第一表面和第二表面，所述存储层位于所述衬底层的第一表面上，所述衬底层内具有掺杂井；隔离结构贯穿所述衬底层，且位于所述掺杂井边缘，用于隔离所述掺杂井与周围的衬底层。所述内存结构能够避免掺杂井与衬底层之间的漏电，提高性能。

4. 发明专利

TWI676291B 半導體基底結構及其形成方法和半導體裝置有权
简体标题：半导体基底结构及其形成方法和半导体设备
公开(公告)号：TWI676291B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW106104043
申请日：2017-02-08
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：洪培恒 , HUNG, PEI HENG , 庫馬馬洛宜 , KUMAR, MANOJ , 李家豪 , LEE, CHIA HAO
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/74

5. 发明专利

TWI672821B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI672821B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW107119035
申请日：2018-06-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：洪振翔 , HUNG, CHEN HSIANG , 曾仲銓 , TSENG, CHUNG CHUAN , 褚立新 , CHU, LI HSIN , 賴佳平 , LAI, CHIA PING
IPC分类号： H01L31/111 , H01L21/78 , H01L29/36

6. 发明专利

TW201919234A 積體電路及其製造方法审中-公开
简体标题：集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TW201919234A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107138447
申请日：2018-10-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：姆魯凱森卡迪克 , MURUKESAN, KARTHICK , 江文智 , CHIANG, WEN-CHIH , 鍾久華 , CHUNG, CHIU-HUA , 蔡俊琳 , TSAI, CHUN-LIN , 吳國銘 , WU, KUO-MING , 林炫政 , LIN, SHIUAN-JENG , 林天聲 , LIN, TIAN-SHENG , 陳益民 , CHEN, YI-MIN , 林宏洲 , LIN, HUNG-CHOU , 邱奕正 , CHIU, YI-CHENG
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L21/22
摘要：本申請的各種實施例關於一種積體電路（IC），其中自舉金屬氧化物半導體（MOS）元件與高壓金屬氧化物半導體（HVMOS）元件和高壓接面終端（HVJT）元件整合。在一些實施例中，漂移井在半導體基底中。漂流井具有第一摻雜型並具有環形頂佈局。第一切換元件在漂移井上。第二切換元件在半導體基底上，在漂移井的側壁的凹口處。周邊井在半導體基底中，並具有與第一摻雜型相反的第二摻雜型。周邊井圍繞漂移井、第一切換元件和第二切換元件，並進一步將第二切換元件與漂移井和第一切換元件分開。
简体摘要：本申请的各种实施例关于一种集成电路（IC），其中自举金属氧化物半导体（MOS）组件与高压金属氧化物半导体（HVMOS）组件和高压接面终端（HVJT）组件集成。在一些实施例中，漂移井在半导体基底中。漂流井具有第一掺杂型并具有环形顶布局。第一切换组件在漂移井上。第二切换组件在半导体基底上，在漂移井的侧壁的凹口处。周边井在半导体基底中，并具有与第一掺杂型相反的第二掺杂型。周边井围绕漂移井、第一切换组件和第二切换组件，并进一步将第二切换组件与漂移井和第一切换组件分开。

7. 发明专利

TWI644430B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI644430B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106113884
申请日：2017-04-26
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林文新 , LIN, WEN HSIN , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 吳政璁 , WU, CHENG TSUNG , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/80 , H01L21/22 , H01L21/337

8. 发明专利

TW201839981A 具有分段式濃度的功率半導體裝置审中-公开
简体标题：具有分段式浓度的功率半导体设备
公开(公告)号：TW201839981A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113215
申请日：2017-04-20
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：李坤彥 , LEE, KUNG-YEN , 黃智方 , HUANG, CHIH-FANG , 王聖中 , WANG, SHENG-ZHONG , 鄭家慧 , CHENG, CHIA-HUI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：一種具有分段式濃度的功率半導體裝置，包含一基板、一本體，及一電極單元。本體包括設置於基板上的主動單元、設置於基板上並環圍主動單元的邊緣終端部，及與基板相間隔形成於邊緣終端部上的絕緣氧化層，定義由主動單元往邊緣終端部為第一方向，及垂直第一方向為第二方向，邊緣終端部具有第一半導體區，及多個分布於第一半導體區內的第二半導體區，第二半導體區沿第二方向彼此間隔排列，且沿第一方向具有至少一間距。電極單元包括形成於本體上並與主動單元電連接的第一電極層，及一與本體相間隔地形成於基板的第二電極層。
简体摘要：一种具有分段式浓度的功率半导体设备，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体包括设置于基板上的主动单元、设置于基板上并环围主动单元的边缘终端部，及与基板相间隔形成于边缘终端部上的绝缘氧化层，定义由主动单元往边缘终端部为第一方向，及垂直第一方向为第二方向，边缘终端部具有第一半导体区，及多个分布于第一半导体区内的第二半导体区，第二半导体区沿第二方向彼此间隔排列，且沿第一方向具有至少一间距。电极单元包括形成于本体上并与主动单元电连接的第一电极层，及一与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。

9. 发明专利

TW201835983A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201835983A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106109888
申请日：2017-03-24
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：馬洛宜庫馬 , MANOJ, KUMAR , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 李芳名 , LEE, FANG MING , 李文山 , LEE, WEN SHAN , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/36
摘要：半導體裝置的製造方法包含提供具有第一導電型的半導體基底，形成具有第一導電型的磊晶層於半導體基底上，形成閘極電極於磊晶層上，形成第一遮罩圖案於閘極電極上，實施第一摻雜製程，使用第一遮罩圖案為遮罩，在閘極電極之相反兩側的磊晶層中形成虛設源極區和汲極區，其中虛設源極區和汲極區具有第二導電型，且第二導電型與第一導電型相反，以及實施第二摻雜製程，將虛設源極區轉換成源極區，其中源極區具有第一導電型。
简体摘要：半导体设备的制造方法包含提供具有第一导电型的半导体基底，形成具有第一导电型的磊晶层于半导体基底上，形成闸极电极于磊晶层上，形成第一遮罩图案于闸极电极上，实施第一掺杂制程，使用第一遮罩图案为遮罩，在闸极电极之相反两侧的磊晶层中形成虚设源极区和汲极区，其中虚设源极区和汲极区具有第二导电型，且第二导电型与第一导电型相反，以及实施第二掺杂制程，将虚设源极区转换成源极区，其中源极区具有第一导电型。

10. 发明专利

TWI634660B 高壓半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：高压半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI634660B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106120531
申请日：2017-06-20
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳政璁 , WU, CHENG TSUNG , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 林文新 , LIN, WEN HSIN , 胡鈺豪 , HO, YU HAO
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/336

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