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1. 发明专利

TW202030758A 供電構造及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：供电构造及等离子处理设备
公开(公告)号：TW202030758A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108144418
申请日：2019-12-05
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木康晴 , SASAKI, YASUHARU , 內田陽平 , UCHIDA, YOHEI
IPC分类号： H01J37/02 , H01J1/88 , H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：吾人期待有一種供電構造及電漿處理裝置，可以使得電漿的面內分佈平均化。為達成前述目的，本發明提供一種供電構造，其具備第1連接構件群以及第1端子區域。第1連接構件群，由沿著聚焦環之周向配置的複數個連接構件所構成，以對配置於電漿處理裝置用之處理容器內的聚焦環給予偏壓電位。第1端子區域，呈環圈狀，且電性連接至複數個連接構件。
简体摘要：吾人期待有一种供电构造及等离子处理设备，可以使得等离子的面内分布平均化。为达成前述目的，本发明提供一种供电构造，其具备第1连接构件群以及第1端子区域。第1连接构件群，由沿着聚焦环之周向配置的复数个连接构件所构成，以对配置于等离子处理设备用之处理容器内的聚焦环给予偏压电位。第1端子区域，呈环圈状，且电性连接至复数个连接构件。

2. 发明专利

TWI696206B 電子射線產生裝置以及電子射線應用裝置有权
简体标题：电子射线产生设备以及电子射线应用设备
公开(公告)号：TWI696206B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107134058
申请日：2018-09-27
申请人：日商PHOTO ELECTRON SOUL股份有限公司 , PHOTO ELECTRON SOUL INC.
发明人：西谷智博 , NISHITANI, TOMOHIRO , 小泉淳 , KOIZUMI, ATSUSHI , 川俣智章 , KAWAMATA, TOMOAKI , 鹿野悠 , SHIKANO, HARUKA
IPC分类号： H01J3/36 , H01J3/32 , H01J1/88

3. 发明专利

TW201731014A 半導體製造中用以控制電漿不安定性之系統及方法审中-公开
简体标题：半导体制造中用以控制等离子不安定性之系统及方法
公开(公告)号：TW201731014A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105137154
申请日：2016-11-15
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：崎山幸紀 , SAKIYAMA, YUKINORI , 奧古斯丁尼亞克愛德華 , AUGUSTYNIAK, EDWARD , 凱爾道格拉斯 , KEIL, DOUGLAS
IPC分类号： H01L21/683 , H05H1/00 , H01J1/88
CPC分类号： H01L22/20 , C23C16/45565 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/263 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/67201 , H01L21/683 , H01L22/12
摘要：一種於電漿處理操作期間支撐晶圓之設備，該設備包含一基座及一柱，該基座係配置成具有一底部表面及一頂部表面，該柱係用以在該基座的該底部表面之中央區域支撐該基座。一電絕緣層係設置在該基座的該頂部表面上。一導電層係設置在該電絕緣層之頂部表面上。至少三支撐結構係分佈在該導電層上。該至少三支撐結構係用以與一晶圓的一底部表面介接以物理支撐該晶圓並電連接至該晶圓。一電連接從該導電層延伸以與在該基座外的一位置之一DC電源供應器的一正極端子連接。
简体摘要：一种于等离子处理操作期间支撑晶圆之设备，该设备包含一基座及一柱，该基座系配置成具有一底部表面及一顶部表面，该柱系用以在该基座的该底部表面之中央区域支撑该基座。一电绝缘层系设置在该基座的该顶部表面上。一导电层系设置在该电绝缘层之顶部表面上。至少三支撑结构系分布在该导电层上。该至少三支撑结构系用以与一晶圆的一底部表面介接以物理支撑该晶圆并电连接至该晶圆。一电连接从该导电层延伸以与在该基座外的一位置之一DC电源供应器的一正极端子连接。

4. 发明专利

TW202004831A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW202004831A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118213
申请日：2019-05-27
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：近藤勇樹 , KONDO, YUKI , 横川賢悦 , YOKOGAWA, KENETSU , 森政士 , MORI, MASAHITO , 宇根聡 , UNE, SATOSHI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01J1/88 , H05H1/36
摘要：提供一種減低有關試料的面內方向的處理的偏差，可使處理的良品率提升的技術。本電漿處理裝置(1)是具備：第1電極(基材(110B))，其係被配置於試料台(110)內；環狀的第2電極(導體環(114))，其係包圍試料台(110)的上面部(310)(介電質膜部(110A))的外周側而配置；介電質製的環狀構件(基座環(113))，其係被配置為覆蓋第2電極，包圍上面部(310)的外周；複數的給電路徑，其係用以從高頻電源供給高頻電力至第1電極及第2電極的各者；及匹配器(117)，其係被配置於往第2電極的給電路徑上。而且，往第2電極的給電系路上的匹配器(117)與第2電極之間的第1處(A1)與接地處之間會經由被設為預定的值的電阻(118)來電性連接。
简体摘要：提供一种减低有关试料的面内方向的处理的偏差，可使处理的良品率提升的技术。本等离子处理设备(1)是具备：第1电极(基材(110B))，其系被配置于试料台(110)内；环状的第2电极(导体环(114))，其系包围试料台(110)的上面部(310)(介电质膜部(110A))的外周侧而配置；介电质制的环状构件(基座环(113))，其系被配置为覆盖第2电极，包围上面部(310)的外周；复数的给电路径，其系用以从高频电源供给高频电力至第1电极及第2电极的各者；及匹配器(117)，其系被配置于往第2电极的给电路径上。而且，往第2电极的给电系路上的匹配器(117)与第2电极之间的第1处(A1)与接地处之间会经由被设为预定的值的电阻(118)来电性连接。

5. 实用新型

TWM451654U ＬＥＤ燈管及其導接端蓋有权
简体标题：ＬＥＤ灯管及其导接端盖
公开(公告)号：TWM451654U
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW101222465
申请日：2012-11-20
申请人：鄭崎藍 , CHENG, CHI LAN
发明人：鄭義郎 , CHENG, YI LANG
IPC分类号： H01J1/88

6. 发明专利

TW202022977A 載置台、邊環之定位方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：载置台、边环之定位方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW202022977A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108138379
申请日：2019-10-24
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木康晴 , SASAKI, YASUHARU , 塚原利也 , TSUKAHARA, TOSHIYA , 佐藤充明 , SATO, MITSUAKI
IPC分类号： H01L21/68 , H01J1/88 , H01L21/3065
摘要：本發明之課題在於管理邊環與靜電吸盤之對向側壁之間隙。本發明提供一種載置台，其具有：邊環，其配置於基板之周圍，且於下部具有第1凹部；靜電吸盤，其具有載置上述基板之第1載置面及載置上述邊環之第2載置面，且與上述第2載置面對向地嵌入電極；環狀構件，其配置於上述靜電吸盤之周圍，且具有第2凹部；以及具有伸縮性之構件，其配置於由上述第1凹部、上述靜電吸盤及上述第2凹部包圍之空間。
简体摘要：本发明之课题在于管理边环与静电吸盘之对向侧壁之间隙。本发明提供一种载置台，其具有：边环，其配置于基板之周围，且于下部具有第1凹部；静电吸盘，其具有载置上述基板之第1载置面及载置上述边环之第2载置面，且与上述第2载置面对向地嵌入电极；环状构件，其配置于上述静电吸盘之周围，且具有第2凹部；以及具有伸缩性之构件，其配置于由上述第1凹部、上述静电吸盘及上述第2凹部包围之空间。

7. 发明专利

TW201903806A 帶電粒子源模組、具有所述帶電粒子源模組的曝光系統、帶電粒子源裝置、用於製造半導體元件的方法以及用於檢視目標物的方法审中-公开
简体标题：带电粒子源模块、具有所述带电粒子源模块的曝光系统、带电粒子源设备、用于制造半导体组件的方法以及用于视图目标物的方法
公开(公告)号：TW201903806A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107112278
申请日：2018-04-10
申请人：荷蘭商瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：丁格勒羅拉 , DINU-GUERTLER, LAURA , 胡格佛斯特艾瑞克佩圖斯 , HOGERVORST, ERIC PETRUS , 凡蘇斯特尤根 , VAN SOEST, JURGEN
IPC分类号： H01J1/88 , H01J37/065
摘要：本發明是關於一種用於產生及發射例如是電子束的帶電粒子束之帶電粒子源模組，其包括：框架，該框架包含第一框架部件、第二框架部件、以及一或多個剛性支撐構件，其被配置在該第一框架部件以及該第二框架部件之間；用於產生例如是電子束的帶電粒子束的帶電粒子源裝置，其中例如是電子源的該帶電粒子源裝置被配置在該第二框架部件；以及電源連接組件，其被配置在該第一框架部件，其中該帶電粒子源裝置經由電性佈線來電連接至該連接組件。
简体摘要：本发明是关于一种用于产生及发射例如是电子束的带电粒子束之带电粒子源模块，其包括：框架，该框架包含第一框架部件、第二框架部件、以及一或多个刚性支撑构件，其被配置在该第一框架部件以及该第二框架部件之间；用于产生例如是电子束的带电粒子束的带电粒子源设备，其中例如是电子源的该带电粒子源设备被配置在该第二框架部件；以及电源连接组件，其被配置在该第一框架部件，其中该带电粒子源设备经由电性布线来电连接至该连接组件。

8. 发明专利

TW201301329A 高纏繞密度之四聯電極审中-公开
简体标题：高缠绕密度之四联电极
公开(公告)号：TW201301329A
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW100120981
申请日：2011-06-16
申请人：國立宜蘭大學 , NATIONAL ILAN UNIVERSITY
发明人：蔡孟利 , TSAI, MENG LI , 廖儀芳 , LIAO, YI FANG , 嚴震東 , YEN, CHEN TUNG , 鄭穹翔 , CHENG, CHIUNG HSIANG
IPC分类号： H01J1/88 , A61B5/04
摘要：本發明係有關一種四聯電極的製造方法，傳統四聯電極的製作需要幾個耗時的步驟，包括平順的四條微細絲的彼此螺旋纏繞以及以熱熔的程序固定此纏繞螺旋的構型。本發明以一個簡單的纏繞方法，製作出具高纏繞密度的電極，此電極不須各種耗時的熱熔或上膠程序，即能獲得穩固且耐用的結構。並且製作步驟比之前的方法更簡化，製作所需時間更大幅縮減。
简体摘要：本发明系有关一种四联电极的制造方法，传统四联电极的制作需要几个耗时的步骤，包括平顺的四条微细丝的彼此螺旋缠绕以及以热熔的进程固定此缠绕螺旋的构型。本发明以一个简单的缠绕方法，制作出具高缠绕密度的电极，此电极不须各种耗时的热熔或上胶进程，即能获得稳固且耐用的结构。并且制作步骤比之前的方法更简化，制作所需时间更大幅缩减。

9. 实用新型

TWM572063U 紫外線照射裝置及利用該紫外線照射裝置之水殺菌裝置有权
简体标题：紫外线照射设备及利用该紫外线照射设备之水杀菌设备
公开(公告)号：TWM572063U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW107207905
申请日：2018-06-13
申请人：日商斯坦雷電氣股份有限公司 , STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
发明人：永原敏行 , NAGAHARA, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01J1/30 , H01J1/88 , H01J61/04 , H01J61/16 , H01J61/30 , H01J61/36 , H01J63/08 , H05B41/26 , C02F1/32

10. 发明专利

TWI427660B 高纏繞密度之四聯電極製造方法有权
简体标题：高缠绕密度之四联电极制造方法
公开(公告)号：TWI427660B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW100120981
申请日：2011-06-16
申请人：國立宜蘭大學 , NATIONAL ILAN UNIVERSITY
发明人：蔡孟利 , TSAI, MENG LI , 廖儀芳 , LIAO, YI FANG , 嚴震東 , YEN, CHEN TUNG , 鄭穹翔 , CHENG, CHIUNG HSIANG
IPC分类号： H01J1/88 , A61B5/04

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