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1. 发明专利

TW202004831A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW202004831A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118213
申请日：2019-05-27
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：近藤勇樹 , KONDO, YUKI , 横川賢悦 , YOKOGAWA, KENETSU , 森政士 , MORI, MASAHITO , 宇根聡 , UNE, SATOSHI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01J1/88 , H05H1/36
摘要：提供一種減低有關試料的面內方向的處理的偏差，可使處理的良品率提升的技術。本電漿處理裝置(1)是具備：第1電極(基材(110B))，其係被配置於試料台(110)內；環狀的第2電極(導體環(114))，其係包圍試料台(110)的上面部(310)(介電質膜部(110A))的外周側而配置；介電質製的環狀構件(基座環(113))，其係被配置為覆蓋第2電極，包圍上面部(310)的外周；複數的給電路徑，其係用以從高頻電源供給高頻電力至第1電極及第2電極的各者；及匹配器(117)，其係被配置於往第2電極的給電路徑上。而且，往第2電極的給電系路上的匹配器(117)與第2電極之間的第1處(A1)與接地處之間會經由被設為預定的值的電阻(118)來電性連接。
简体摘要：提供一种减低有关试料的面内方向的处理的偏差，可使处理的良品率提升的技术。本等离子处理设备(1)是具备：第1电极(基材(110B))，其系被配置于试料台(110)内；环状的第2电极(导体环(114))，其系包围试料台(110)的上面部(310)(介电质膜部(110A))的外周侧而配置；介电质制的环状构件(基座环(113))，其系被配置为覆盖第2电极，包围上面部(310)的外周；复数的给电路径，其系用以从高频电源供给高频电力至第1电极及第2电极的各者；及匹配器(117)，其系被配置于往第2电极的给电路径上。而且，往第2电极的给电系路上的匹配器(117)与第2电极之间的第1处(A1)与接地处之间会经由被设为预定的值的电阻(118)来电性连接。

2. 发明专利

TWI650813B 電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI650813B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106102449
申请日：2017-01-23
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：渡邊勇人 , WATANABE, HAYATO , 森政士 , MORI, MASAHITO , 荒瀬高男 , ARASE, TAKAO , 岩瀬拓 , IWASE, TAKU
IPC分类号： H01L21/3065

3. 发明专利

TW202027563A 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及使用彼之等离子处理方法
公开(公告)号：TW202027563A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW109105889
申请日：2016-05-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小藤直行 , KOFUJI, NAOYUKI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 西田敏明 , NISHIDA, TOSHIAKI , 濱崎良二 , HAMASAKI, RYOJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：可提供一種能以一台的裝置來實現自由基照射的步驟及離子照射的步驟雙方，且能控制離子照射的能量從數10eV到數KeV之電漿處理裝置。具有：產生感應耦合電漿的機構(125、126，131、132)；將減壓處理室分成上部領域(106-1)及下部領域(106-2)，且用以遮蔽離子的多孔板(116)；及切換上部領域(106-1)與下部領域(106-2)作為電漿產生領域的開關(133)。
简体摘要：可提供一种能以一台的设备来实现自由基照射的步骤及离子照射的步骤双方，且能控制离子照射的能量从数10eV到数KeV之等离子处理设备。具有：产生感应耦合等离子的机构(125、126，131、132)；将减压处理室分成上部领域(106-1)及下部领域(106-2)，且用以屏蔽离子的多孔板(116)；及切换上部领域(106-1)与下部领域(106-2)作为等离子产生领域的开关(133)。

4. 发明专利

TWI689227B 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及使用彼之等离子处理方法
公开(公告)号：TWI689227B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107114742
申请日：2016-05-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小藤直行 , KOFUJI, NAOYUKI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 西田敏明 , NISHIDA, TOSHIAKI , 濱崎良二 , HAMASAKI, RYOJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

5. 发明专利

TWI669028B 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及使用彼之等离子处理方法
公开(公告)号：TWI669028B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106123071
申请日：2016-05-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小藤直行 , KOFUJI, NAOYUKI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 西田敏明 , NISHIDA, TOSHIAKI , 濱崎良二 , HAMASAKI, RYOJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065

6. 发明专利

TW201832621A 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及使用彼之等离子处理方法
公开(公告)号：TW201832621A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107114742
申请日：2016-05-19
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：小藤直行 , KOFUJI, NAOYUKI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 西田敏明 , NISHIDA, TOSHIAKI , 濱崎良二 , HAMASAKI, RYOJI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
摘要：可提供一種能以一台的裝置來實現自由基照射的步驟及離子照射的步驟雙方，且能控制離子照射的能量從數10eV到數KeV之電漿處理裝置。具有：產生感應耦合電漿的機構(125、126，131、132)；將減壓處理室分成上部領域(106-1)及下部領域(106-2)，且用以遮蔽離子的多孔板(116)；及切換上部領域(106-1)與下部領域(106-2)作為電漿產生領域的開關(133)。
简体摘要：可提供一种能以一台的设备来实现自由基照射的步骤及离子照射的步骤双方，且能控制离子照射的能量从数10eV到数KeV之等离子处理设备。具有：产生感应耦合等离子的机构(125、126，131、132)；将减压处理室分成上部领域(106-1)及下部领域(106-2)，且用以屏蔽离子的多孔板(116)；及切换上部领域(106-1)与下部领域(106-2)作为等离子产生领域的开关(133)。

7. 外观设计

TWD204229S 電漿處理裝置用環有权
简体标题：等离子处理设备用环
公开(公告)号：TWD204229S
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108302365
申请日：2019-04-24
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：磯崎真一 , ISOZAKI, MASAKAZU , 森政士 , MORI, MASAHITO , 横川賢濵 , YOKOGAWA, KENETSU , 荒瀬高男 , ARASE, TAKAO , 岩瀬拓 , IWASE, TAKU

8. 发明专利

TWI650814B 電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI650814B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106127962
申请日：2017-08-17
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：石丸亮 , ISHIMARU, RYO , 宇根聡 , UNE, SATOSHI , 森政士 , MORI, MASAHITO
IPC分类号： H01L21/3065

9. 发明专利

TWI685034B 電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理方法
公开(公告)号：TWI685034B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：TW107121935
申请日：2017-03-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：寺倉聡志 , TERAKURA, SATOSHI , 森政士 , MORI, MASAHITO , 荒瀬高男 , ARASE, TAKAO , 岩瀬拓 , IWASE, TAKU
IPC分类号： H01L21/311

10. 发明专利

TW201843695A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201843695A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW107106355
申请日：2018-02-26
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：横川賢悦 , YOKOGAWA, KENETSU , 磯崎真一 , ISOZAKI, MASAKAZU , 森政士 , MORI, MASAHITO
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/46
摘要：本發明係一種電漿處理裝置，為了提供使產率提升之電漿處理裝置，作為具有：形成有與真空容器(10)配置於內部而形成電漿(11)之處理室(40)，和配置於處理室內而載置試料(3)的試料台(2)，和配置於試料台內，而加以供給為了吸附試料之電力，形成不同極性之膜狀的2個電極，和配置於2個電極與各電源(18，19)之間之供電路徑(22)上，連接於各2個電極之2個供電線路則並列地卷繞於相同軸周圍之線圈狀部分(17)，和在此線圈狀部分與2個電極之間中，連接2個供電線路而具備電容器(16)之旁通線路(16’)的電漿處理裝置。
简体摘要：本发明系一种等离子处理设备，为了提供使产率提升之等离子处理设备，作为具有：形成有与真空容器(10)配置于内部而形成等离子(11)之处理室(40)，和配置于处理室内而载置试料(3)的试料台(2)，和配置于试料台内，而加以供给为了吸附试料之电力，形成不同极性之膜状的2个电极，和配置于2个电极与各电源(18，19)之间之供电路径(22)上，连接于各2个电极之2个供电线路则并列地卷绕于相同轴周围之线圈状部分(17)，和在此线圈状部分与2个电极之间中，连接2个供电线路而具备电容器(16)之旁通线路(16’)的等离子处理设备。

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