专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI689008B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI689008B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107130270
申请日：2018-08-30
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：植村崇 , UEMURA, TAKASHI , 一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32

2. 发明专利

TW202030799A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW202030799A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109103692
申请日：2020-02-06
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 佐藤浩平 , SATO, KOHEI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/673 , H01J37/20
摘要：電漿處理裝置，係具備有：處理室，係使用電漿而使晶圓(1)被作處理；和高頻電源，係供給產生上述電漿之高頻電力；和試料台(2)，係被配置於上述處理室中，並且被載置有晶圓(1)；和直流電源(106)，係被與試料台(2)作電性連接，並且使試料台(2)產生吸附力。試料台(2)，係具備有藉由上述吸附力而吸附晶圓(1)之凸部(201a)、和在凸部(201a)之下部處而從凸部(201a)所推出之階差部(201b)，在凸部(201a)之外側處，係被設置有能夠與晶圓(1)之下面作接觸之環(5)，在晶圓(1)被吸附於試料台(2)之凸部(201a)之上面處的狀態下，藉由晶圓(1)和凸部(201a)以及環(5)所形成的空間部(7)係被作密閉。
简体摘要：等离子处理设备，系具备有：处理室，系使用等离子而使晶圆(1)被作处理；和高频电源，系供给产生上述等离子之高频电力；和试料台(2)，系被配置于上述处理室中，并且被载置有晶圆(1)；和直流电源(106)，系被与试料台(2)作电性连接，并且使试料台(2)产生吸附力。试料台(2)，系具备有借由上述吸附力而吸附晶圆(1)之凸部(201a)、和在凸部(201a)之下部处而从凸部(201a)所推出之阶差部(201b)，在凸部(201a)之外侧处，系被设置有能够与晶圆(1)之下面作接触之环(5)，在晶圆(1)被吸附于试料台(2)之凸部(201a)之上面处的状态下，借由晶圆(1)和凸部(201a)以及环(5)所形成的空间部(7)系被作密闭。

3. 发明专利

TW202011478A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW202011478A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108131630
申请日：2019-09-03
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI , 横川賢濵 , YOKOGAWA, KENETSU
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/24 , H05H1/46
摘要： [課題]電漿處理裝置中，直至被處理晶圓之外周部附近為止提升電漿處理之均勻性，從1片晶圓能夠製造的良品元件之數量可以更多。 [解決手段]電漿處理裝置具備：真空容器；載置台，其具備在該真空容器之內部用於載置被處理試料的電極基材，及覆蓋該電極基材之外周部分的由絕緣性之材料形成的承受器環，及被該承受器環覆蓋且以圍繞電極基材之外周的方式被配置，在上面及與電極基材之外周對置之面之一部分形成有薄膜電極的絕緣環；對該載置台之電極基材施加第1高頻電力的第1高頻電力施加部；對形成於絕緣環的薄膜電極施加第2高頻電力的第2高頻電力施加部；於真空容器之內部在載置台之上部產生電漿的電漿產生手段；及對第1高頻電力施加部、第2高頻電力施加部、及電漿產生手段進行控制的控制部。
简体摘要： [课题]等离子处理设备中，直至被处理晶圆之外周部附近为止提升等离子处理之均匀性，从1片晶圆能够制造的良品组件之数量可以更多。 [解决手段]等离子处理设备具备：真空容器；载置台，其具备在该真空容器之内部用于载置被处理试料的电极基材，及覆盖该电极基材之外周部分的由绝缘性之材料形成的承受器环，及被该承受器环覆盖且以围绕电极基材之外周的方式被配置，在上面及与电极基材之外周对置之面之一部分形成有薄膜电极的绝缘环；对该载置台之电极基材施加第1高频电力的第1高频电力施加部；对形成于绝缘环的薄膜电极施加第2高频电力的第2高频电力施加部；于真空容器之内部在载置台之上部产生等离子的等离子产生手段；及对第1高频电力施加部、第2高频电力施加部、及等离子产生手段进行控制的控制部。

4. 发明专利

TW202004831A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW202004831A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108118213
申请日：2019-05-27
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：近藤勇樹 , KONDO, YUKI , 横川賢悦 , YOKOGAWA, KENETSU , 森政士 , MORI, MASAHITO , 宇根聡 , UNE, SATOSHI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01J1/88 , H05H1/36
摘要：提供一種減低有關試料的面內方向的處理的偏差，可使處理的良品率提升的技術。本電漿處理裝置(1)是具備：第1電極(基材(110B))，其係被配置於試料台(110)內；環狀的第2電極(導體環(114))，其係包圍試料台(110)的上面部(310)(介電質膜部(110A))的外周側而配置；介電質製的環狀構件(基座環(113))，其係被配置為覆蓋第2電極，包圍上面部(310)的外周；複數的給電路徑，其係用以從高頻電源供給高頻電力至第1電極及第2電極的各者；及匹配器(117)，其係被配置於往第2電極的給電路徑上。而且，往第2電極的給電系路上的匹配器(117)與第2電極之間的第1處(A1)與接地處之間會經由被設為預定的值的電阻(118)來電性連接。
简体摘要：提供一种减低有关试料的面内方向的处理的偏差，可使处理的良品率提升的技术。本等离子处理设备(1)是具备：第1电极(基材(110B))，其系被配置于试料台(110)内；环状的第2电极(导体环(114))，其系包围试料台(110)的上面部(310)(介电质膜部(110A))的外周侧而配置；介电质制的环状构件(基座环(113))，其系被配置为覆盖第2电极，包围上面部(310)的外周；复数的给电路径，其系用以从高频电源供给高频电力至第1电极及第2电极的各者；及匹配器(117)，其系被配置于往第2电极的给电路径上。而且，往第2电极的给电系路上的匹配器(117)与第2电极之间的第1处(A1)与接地处之间会经由被设为预定的值的电阻(118)来电性连接。

5. 外观设计

TWD186394S 電漿處理裝置用保護環有权
简体标题：等离子处理设备用保护环
公开(公告)号：TWD186394S
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106301374
申请日：2017-03-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 佐藤浩平 , SATO, KOHEI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI

6. 外观设计

TWD190344S 電漿處理裝置用罩環有权
简体标题：等离子处理设备用罩环
公开(公告)号：TWD190344S
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW106301395
申请日：2017-03-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 佐藤浩平 , SATO, KOHEI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI

7. 外观设计

TWD186396S 電漿處理裝置用環有权
简体标题：等离子处理设备用环
公开(公告)号：TWD186396S
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106301394
申请日：2017-03-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 佐藤浩平 , SATO, KOHEI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI

8. 外观设计

TWD186395S 電漿處理裝置用保護環有权
简体标题：等离子处理设备用保护环
公开(公告)号：TWD186395S
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106301374D01
申请日：2017-03-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
设计人：一野貴雅 , ICHINO, TAKAMASA , 佐藤浩平 , SATO, KOHEI , 中本和則 , NAKAMOTO, KAZUNORI

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式