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1. 发明专利

TWI687559B 基板製造方法有权
简体标题：基板制造方法
公开(公告)号：TWI687559B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107134400
申请日：2018-09-28
申请人：日商信越聚合物股份有限公司 , SHIN-ETSU POLYMER CO., LTD. , 日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 國立大學法人埼玉大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SAITAMA UNIVERSITY
发明人：池野順一 , IKENO, JUNICHI , 山田洋平 , YAMADA, YOHEI , 鈴木秀樹 , SUZUKI, HIDEKI , 野口仁 , NOGUCHI, HITOSHI
IPC分类号： C30B29/04 , C01B32/26

2. 发明专利

TW201422347A 微型鑽頭及其製備方法审中-公开
简体标题：微型钻头及其制备方法
公开(公告)号：TW201422347A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146598
申请日：2012-12-11
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：戴念華 , TAI, NYAN HWA , 張庭熏 , CHANG, TING HSUN
IPC分类号： B23B51/02 , C30B29/04 , C30B29/36
CPC分类号： B23B51/02 , B23B51/00 , B23B2226/315 , B23B2228/44 , B23B2251/426 , B82Y30/00 , C23C16/0227 , C23C16/0254 , C23C16/274 , Y10T408/78
摘要：本發明係有關於一種微型鑽頭及其製備方法，該微型鑽頭包括：一基材，具有一表面；以及一超奈米晶鑽石薄膜，包括複數個晶粒，且該超奈米晶鑽石薄膜係形成於該基材之該表面；其中，該基材係為一碳化鎢基材，且每一個超奈米晶鑽石晶粒之尺寸係為1至30 nm。
简体摘要：本发明系有关于一种微型钻头及其制备方法，该微型钻头包括：一基材，具有一表面；以及一超奈米晶钻石薄膜，包括复数个晶粒，且该超奈米晶钻石薄膜系形成于该基材之该表面；其中，该基材系为一碳化钨基材，且每一个超奈米晶钻石晶粒之尺寸系为1至30 nm。

3. 发明专利

TWI383067B 金剛石薄膜的生長裝置有权
简体标题：金刚石薄膜的生长设备
公开(公告)号：TWI383067B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW098130456
申请日：2009-09-09
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：楊遠超 , YANG, YUAN-CHAO , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C23C16/54 , C30B29/04

4. 发明专利

TW202017861A 鑽石多晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：钻石多晶体及其制造方法
公开(公告)号：TW202017861A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107140540
申请日：2018-11-15
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：角谷均 , SUMIYA, HITOSHI , 石田雄 , ISHIDA, YUH , 濱木健成 , HAMAKI, KENSEI , 山本佳津子 , YAMAMOTO, KATSUKO
IPC分类号： C01B32/26 , C30B29/04
摘要：本發明之鑽石多晶體係以鑽石單相作為基本組成者，且上述鑽石多晶體包含平均粒徑為30 nm以下之複數個鑽石粒子，上述鑽石多晶體之碳懸鍵密度為10 ppm以上。
简体摘要：本发明之钻石多晶体系以钻石单相作为基本组成者，且上述钻石多晶体包含平均粒径为30 nm以下之复数个钻石粒子，上述钻石多晶体之碳悬键密度为10 ppm以上。

5. 发明专利

TW202003377A SP3-鍵結碳材料、其製造方法及其用途审中-公开
简体标题： SP3-键结碳材料、其制造方法及其用途
公开(公告)号：TW202003377A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108117148
申请日：2019-05-17
申请人：天主教聖母大學 , PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATOLICA MADRE Y MAESTRA
发明人：皮亞扎法柏立克 , PIAZZA, FABRICE
IPC分类号： C01B32/00 , C01B32/25 , C01B32/194 , C01B32/05 , C01B32/26 , C23C16/27 , C30B25/16 , C30B29/02 , C30B29/04
摘要：本發明提供一種超薄及結晶sp3-鍵結碳薄片、堆疊結構、異質結構及包含該超薄及結晶sp3-鍵結碳薄片的複合材料，及該超薄及結晶sp3-鍵結碳薄片之製造方法。該方法包含下列步驟：提供一少數層石墨烯起始材料；在一包含真空艙及一進料氣體入口的化學氣相沈積艙中，將該少數層石墨烯起始材料配置在一基材上；及在基材溫度325℃或較低及壓力100托耳或較低下，讓一包含氫的進料氣體在該基材上流動以讓該少數層石墨烯起始材料至少部分轉變成超薄及結晶sp3-鍵結碳薄片。根據本發明之方法係第一種成功製造出超薄及結晶sp3-鍵結碳薄片包括例如六方白碳石薄片及鑽石薄片的方法。有利的是，其亦可有相當低的成本、低廢棄物、可避免使用具有多重構件的複雜裝置、及可允許在溫和的加工條件下操作。
简体摘要：本发明提供一种超薄及结晶sp3-键结碳薄片、堆栈结构、异质结构及包含该超薄及结晶sp3-键结碳薄片的复合材料，及该超薄及结晶sp3-键结碳薄片之制造方法。该方法包含下列步骤：提供一少数层石墨烯起始材料；在一包含真空舱及一进料气体入口的化学气相沉积舱中，将该少数层石墨烯起始材料配置在一基材上；及在基材温度325℃或较低及压力100托耳或较低下，让一包含氢的进料气体在该基材上流动以让该少数层石墨烯起始材料至少部分转变成超薄及结晶sp3-键结碳薄片。根据本发明之方法系第一种成功制造出超薄及结晶sp3-键结碳薄片包括例如六方白碳石薄片及钻石薄片的方法。有利的是，其亦可有相当低的成本、低废弃物、可避免使用具有多重构件的复杂设备、及可允许在温和的加工条件下操作。

6. 发明专利

TW201947068A 在單晶金剛石基質中包含多重CVD成長、小晶粒金剛石的金剛石材料审中-公开
简体标题：在单晶金刚石基质中包含多重CVD成长、小晶粒金刚石的金刚石材料
公开(公告)号：TW201947068A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108115936
申请日：2019-05-08
申请人：美商M7D公司 , M7D CORPORATION
发明人：堤斯亞區亞登 , TSACH, YARDEN
IPC分类号： C30B25/00 , C30B29/04
摘要：本發明技術係關於使用化學氣相沈積技術產生之金剛石材料及結構(亦即產生合成金剛石)。化學氣相沈積金剛石包括多相材料，該多相材料包含(a)單晶基質相及(b)複數個金剛石晶粒，該複數個金剛石晶粒中之每一者在晶體學上不同於該單晶基質相。
简体摘要：本发明技术系关于使用化学气相沉积技术产生之金刚石材料及结构(亦即产生合成金刚石)。化学气相沉积金刚石包括多相材料，该多相材料包含(a)单晶基质相及(b)复数个金刚石晶粒，该复数个金刚石晶粒中之每一者在晶体学上不同于该单晶基质相。

7. 发明专利

TWI650450B 高度成雙晶的定向多晶鑽石膜以及製造彼之方法有权
简体标题：高度成双晶的定向多晶钻石膜以及制造彼之方法
公开(公告)号：TWI650450B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW104134711
申请日：2015-10-22
申请人：美商II VI股份有限公司 , II-VI INCORPORATED
发明人：許文清 , XU, WEN-QING , 劉超 , LIU, CHAO , 卡萊辛格查爾斯J , KRAISINGER, CHARLES J. , 坦尼爾查爾斯D , TANNER, CHARLES D. , 克利爾伊恩 , CURRIER, IAN , 薩本斯大衛 , SABENS, DAVID , 艾斯勒艾爾金E , EISSLER, ELGIN E. , 安德森湯瑪士E , ANDERSON, THOMAS E.
IPC分类号： C30B29/04 , C30B28/14 , C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/511 , C23C16/52 , B23B27/14

8. 发明专利

TW201800627A 鑽石基板的製造方法、鑽石基板及鑽石自支撐基板审中-公开
简体标题：钻石基板的制造方法、钻石基板及钻石自支撑基板
公开(公告)号：TW201800627A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106033
申请日：2017-02-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 國立大學法人金澤大學 , KANAZAWA UNIVERSITY
发明人：野口仁 , NOGUCHI, HITOSHI , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO , 牧野俊晴 , MAKINO, TOSHIHARU , 小倉政彦 , OGURA, MASAHIKO , 加藤宙光 , KATO, HIROMITSU , 川島宏幸 , KAWASHIMA, HIROYUKI , 桑原大輔 , KUWAHARA, DAISUKE , 山崎聡 , YAMASAKI, SATOSHI , 竹内大輔 , TAKEUCHI, DAISUKE , 徳田規夫 , TOKUDA, NORIO , 猪熊孝夫 , INOKUMA, TAKAO , 松本翼 , MATSUMOTO, TSUBASA
IPC分类号： C30B25/04 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02 , H01L29/16
CPC分类号： C30B25/04 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02057 , H01L21/02085 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L29/1602
摘要：提供一種差排缺陷可以被充分減低的鑽石基板的製造方法，以及高品質的鑽石基板以及鑽石自支撐基板。所述鑽石基板的製造方法的特徵在於：包括，將基底表面上圖案狀的鑽石設置的第一工程，從第一工程設置的圖案狀的鑽石使鑽石成長，第一工程設置的圖案狀的鑽石中的圖案間隙中使鑽石形成的第二工程，上述第一工程設置的圖案狀的鑽石去除，第二工程形成的鑽石構成的圖案狀的鑽石形成的第三工程，從第三工程形成的圖案狀的鑽石使鑽石成長以及第三工程形成的圖案狀的鑽石中的圖案間隙中鑽石形成的第四工程。
简体摘要：提供一种差排缺陷可以被充分减低的钻石基板的制造方法，以及高品质的钻石基板以及钻石自支撑基板。所述钻石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的钻石设置的第一工程，从第一工程设置的图案状的钻石使钻石成长，第一工程设置的图案状的钻石中的图案间隙中使钻石形成的第二工程，上述第一工程设置的图案状的钻石去除，第二工程形成的钻石构成的图案状的钻石形成的第三工程，从第三工程形成的图案状的钻石使钻石成长以及第三工程形成的图案状的钻石中的图案间隙中钻石形成的第四工程。

9. 发明专利

TWI679318B 電子裝置等級單晶鑽石及製造其之方法有权
简体标题：电子设备等级单晶钻石及制造其之方法
公开(公告)号：TWI679318B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105100119
申请日：2016-01-05
申请人：新加坡商二A科技有限公司 , IIA TECHNOLOGIES PTE. LTD.
发明人：米斯拉黛菲享克爾 , MISRA, DEVI SHANKER , 魯恩雅法拉多塔 , TARUN, ALVARADO
IPC分类号： C30B25/20 , C30B29/04 , C30B25/18

10. 发明专利

TW201842243A 大單晶鑽石及其生產方法审中-公开
简体标题：大单晶钻石及其生产方法
公开(公告)号：TW201842243A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107114306
申请日：2018-04-26
申请人：新加坡商二A 科技有限公司 , IIA TECHNOLOGIES PTE. LTD.
发明人：米斯拉黛菲享克爾 , MISRA, DEVI SHANKER
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/04
摘要：本發明係關於一種生產大單晶鑽石之方法，其由以下組成：（i）在鑽石生長箱中配置兩個或超過兩個彼此鄰接之單晶鑽石基板，其中各單晶鑽石基板包括至少2個具有不同結晶取向之相鄰表面，（ii）使用鑽石生長製程，使該等單晶鑽石基板沿向上生長方向以及沿側向生長方向生長。
简体摘要：本发明系关于一种生产大单晶钻石之方法，其由以下组成：（i）在钻石生长箱中配置两个或超过两个彼此邻接之单晶钻石基板，其中各单晶钻石基板包括至少2个具有不同结晶取向之相邻表面，（ii）使用钻石生长制程，使该等单晶钻石基板沿向上生长方向以及沿侧向生长方向生长。

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