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1. 发明专利

TWI685526B 聚烯烴系樹脂組成物、成形物及聚烯烴系樹脂薄膜有权
简体标题：聚烯烃系树脂组成物、成形物及聚烯烃系树脂薄膜
公开(公告)号：TWI685526B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW104128112
申请日：2015-08-27
申请人：國立大學法人金澤大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY , 日商住友精化股份有限公司 , SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD.
发明人：新田晃平 , NITTA, KOH-HEI , 中原槙子 , NAKAHARA, MAKIKO , 前美穗 , MAE, MIHO , 西岡聖司 , NISHIOKA, KIYOSHI , 藤本信貴 , FUJIMOTO, NOBUTAKA , 鈴木正博 , SUZUKI, MASAHIRO
IPC分类号： C08L23/02 , C08L69/00 , C08J5/18 , B29C55/04 , B29L7/00 , B29K23/00 , B29K69/00

2. 发明专利

TW201317244A 去除沙塵帶來有害物質及微生物之去除劑、纖維素纖維以及纖維結構物审中-公开
简体标题：去除沙尘带来有害物质及微生物之去除剂、纤维素纤维以及纤维结构物
公开(公告)号：TW201317244A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101125256
申请日：2012-07-13
申请人：國立大學法人金澤大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY , 大和紡控股股份有限公司 , DAIWABO HOLDINGS CO., LTD. , 大和紡銳意股份有限公司 , DAIWABO NEU CO., LTD.
发明人：山田丸 , YAMADA, MAROMU , 龜田貴之 , KAMEDA, TAKAYUKI , 早川和一 , HAYAKAWA, KAZUICHI , 岩坂泰信 , IWASAKA, YASUNOBU , 小林史尚 , KOBAYASHI, FUMIHISA , 松木篤 , MATSUKI, ATSUSHI , 築城壽長 , TSUIKI, HISANAGA , 檜垣誠吾 , HIGAKI, SEIGO
IPC分类号： C07D519/00 , C07D401/14 , C07D255/04 , B01J20/22 , D06M13/503
CPC分类号： B01D39/18 , B01D2239/0442 , B01J20/223 , B01J20/24 , B01J20/28023 , B01J20/2803 , B01J20/3206 , B01J20/3219 , B01J20/3265 , B01J2220/4831 , D06M13/46 , D06M13/467 , D06M13/503 , D06M16/00 , D06M2101/06
摘要：本發明提供一種去除沙塵帶來有害物質及微生物之去除性能優異的去除劑、纖維素纖維以及纖維結構物。本發明的去除沙塵帶來有害物質及微生物之去除劑，於經陽離子化劑陽離子化之纖維素，擔載有由下述式(I)表示之金屬酞青素衍生物；其中，式(I)中的M為Fe、Co或Cu，R1、R2、R3及R4分別為羧基或磺酸基，R1、R2、R3及R4可相同或不同，n1、n2、n3及n4分別為0~4的整數，且滿足1≦n1+n2+n3+n4≦8。上述纖維素較佳為纖維形態。
简体摘要：本发明提供一种去除沙尘带来有害物质及微生物之去除性能优异的去除剂、纤维素纤维以及纤维结构物。本发明的去除沙尘带来有害物质及微生物之去除剂，于经阳离子化剂阳离子化之纤维素，担载有由下述式(I)表示之金属酞青素衍生物；其中，式(I)中的M为Fe、Co或Cu，R1、R2、R3及R4分别为羧基或磺酸基，R1、R2、R3及R4可相同或不同，n1、n2、n3及n4分别为0~4的整数，且满足1≦n1+n2+n3+n4≦8。上述纤维素较佳为纤维形态。

3. 发明专利

TW201829857A 鑽石成膜用基底基板、以及使用其之鑽石基板的製造方法审中-公开
简体标题：钻石成膜用基底基板、以及使用其之钻石基板的制造方法
公开(公告)号：TW201829857A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107103729
申请日：2018-02-02
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 國立大學法人金澤大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY
发明人：野口仁 , NOGUCHI, HITOSHI , 牧野俊晴 , MAKINO, TOSHIHARU , 小倉政彥 , OGURA, MASAHIKO , 加藤宙光 , KATO, HIROMITSU , 川島宏幸 , KAWASHIMA, HIROYUKI , 山崎聰 , YAMASAKI, SATOSHI , 德田規夫 , TOKUDA, NORIO
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04 , H01L21/205
摘要：本發明之目的在於提供一種鑽石基板的製造方法以及用於該方法的基底基板，其對於減低包含差排缺陷等的各種缺陷是有效的。上述基底基板是用於利用化學氣相沉積法來成膜鑽石膜之基底基板，其特徵在於：前述基底基板的表面，相對於規定的晶面方位附有偏離角。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种钻石基板的制造方法以及用于该方法的基底基板，其对于减低包含差排缺陷等的各种缺陷是有效的。上述基底基板是用于利用化学气相沉积法来成膜钻石膜之基底基板，其特征在于：前述基底基板的表面，相对于规定的晶面方位附有偏离角。

4. 发明专利

TW201800628A 鑽石基板的製造方法审中-公开
简体标题：钻石基板的制造方法
公开(公告)号：TW201800628A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106015
申请日：2017-02-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 國立大學法人金澤大學 , KANAZAWA UNIVERSITY
发明人：野口仁 , NOGUCHI, HITOSHI , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO , 牧野俊晴 , MAKINO, TOSHIHARU , 小倉政彦 , OGURA, MASAHIKO , 加藤宙光 , KATO, HIROMITSU , 川島宏幸 , KAWASHIMA, HIROYUKI , 桑原大輔 , KUWAHARA, DAISUKE , 山崎聡 , YAMASAKI, SATOSHI , 竹内大輔 , TAKEUCHI, DAISUKE , 徳田規夫 , TOKUDA, NORIO , 猪熊孝夫 , INOKUMA, TAKAO , 松本翼 , MATSUMOTO, TSUBASA
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/04 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/186 , C30B25/04 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/02647 , H01L21/02658 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L29/1602
摘要：本發明提供一種差排缺陷少，且抑制異常生長粒子的發生的鑽石基板的製造方法。該鑽石基板的製造方法的特徵在於包括：在基底表面上設置圖案狀的鑽石的第一步驟；除去在該第一步驟設置的圖案狀的鑽石的壁面上附著的異種附著物的第二步驟；從在所述第一步驟中設置的圖案狀的鑽石使鑽石生長，在所述第一步驟中設置的圖案狀的鑽石中的圖案間隙中形成鑽石的第三步驟。
简体摘要：本发明提供一种差排缺陷少，且抑制异常生长粒子的发生的钻石基板的制造方法。该钻石基板的制造方法的特征在于包括：在基底表面上设置图案状的钻石的第一步骤；除去在该第一步骤设置的图案状的钻石的壁面上附着的异种附着物的第二步骤；从在所述第一步骤中设置的图案状的钻石使钻石生长，在所述第一步骤中设置的图案状的钻石中的图案间隙中形成钻石的第三步骤。

5. 发明专利

TW201734119A 聚烯烴系樹脂組成物及聚烯烴系樹脂薄膜审中-公开
简体标题：聚烯烃系树脂组成物及聚烯烃系树脂薄膜
公开(公告)号：TW201734119A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106104864
申请日：2017-02-15
申请人：住友精化股份有限公司 , SUMITOMO SEIKA CHEMICALS CO., LTD. , 國立大學法人金澤大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION KANAZAWA UNIVERSITY
发明人：西岡聖司 , NISHIOKA, KIYOSHI , 鈴木正博 , SUZUKI, MASAHIRO , 新田晃平 , NITTA, KOH-HEI , 前美穗 , MAE, MIHO
IPC分类号： C08L23/06 , C08L33/08 , B32B27/32
CPC分类号： B29C55/04 , C08K3/00 , C08K5/56 , C08L23/00 , C08L69/00
摘要：提供抗靜電性能優異的聚烯烴系樹脂組成物及由該組成物成形的聚烯烴系樹脂薄膜。更具體來說，提供一種聚烯烴系樹脂組成物，含有：聚烯烴系樹脂、聚伸烷碳酸酯樹脂及熔點高於100℃的金屬鹽。又，提供一種聚烯烴系樹脂薄膜，係成形該聚烯烴系樹脂組成物而成且至少沿單軸方向延伸。
简体摘要：提供抗静电性能优异的聚烯烃系树脂组成物及由该组成物成形的聚烯烃系树脂薄膜。更具体来说，提供一种聚烯烃系树脂组成物，含有：聚烯烃系树脂、聚伸烷碳酸酯树脂及熔点高于100℃的金属盐。又，提供一种聚烯烃系树脂薄膜，系成形该聚烯烃系树脂组成物而成且至少沿单轴方向延伸。

6. 发明专利

TW201218606A 整流電路审中-公开
简体标题：整流电路
公开(公告)号：TW201218606A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW100116837
申请日：2011-05-13
申请人：國立大學法人金澤大學
发明人：北川章夫 , 崔冀
IPC分类号： H02M
CPC分类号： H02M7/217
摘要：開關(S1、S2)為MOS電晶體開關。端子(11)連接於電容器(C1)之一方的端子、及接受可控制開關(S1)之通電及斷電之控制訊號的開關(S1)之控制端子(101)。端子(12)連接於電容器(C2)之一方的端子、開關(S1)中有電流通過之一方的端子、及接收可控制開關(S2)之通電及斷電之控制訊號的開關(S2)之控制端子(102)。於電容器(C1)之另一方的端子、開關(S1)中有電流通過之另一方的端子、及開關(S2)中有電流通過之一方的端子係在連接點(A)相連接。電容器(C2)之另一方的端子、及開關(S2)中有電流通過之另一方的端子係在連接點(B)相連接。
简体摘要：开关(S1、S2)为MOS晶体管开关。端子(11)连接于电容器(C1)之一方的端子、及接受可控制开关(S1)之通电及断电之控制信号的开关(S1)之控制端子(101)。端子(12)连接于电容器(C2)之一方的端子、开关(S1)中有电流通过之一方的端子、及接收可控制开关(S2)之通电及断电之控制信号的开关(S2)之控制端子(102)。于电容器(C1)之另一方的端子、开关(S1)中有电流通过之另一方的端子、及开关(S2)中有电流通过之一方的端子系在连接点(A)相连接。电容器(C2)之另一方的端子、及开关(S2)中有电流通过之另一方的端子系在连接点(B)相连接。

7. 发明专利

TW201800627A 鑽石基板的製造方法、鑽石基板及鑽石自支撐基板审中-公开
简体标题：钻石基板的制造方法、钻石基板及钻石自支撑基板
公开(公告)号：TW201800627A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106033
申请日：2017-02-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 國立大學法人金澤大學 , KANAZAWA UNIVERSITY
发明人：野口仁 , NOGUCHI, HITOSHI , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO , 牧野俊晴 , MAKINO, TOSHIHARU , 小倉政彦 , OGURA, MASAHIKO , 加藤宙光 , KATO, HIROMITSU , 川島宏幸 , KAWASHIMA, HIROYUKI , 桑原大輔 , KUWAHARA, DAISUKE , 山崎聡 , YAMASAKI, SATOSHI , 竹内大輔 , TAKEUCHI, DAISUKE , 徳田規夫 , TOKUDA, NORIO , 猪熊孝夫 , INOKUMA, TAKAO , 松本翼 , MATSUMOTO, TSUBASA
IPC分类号： C30B25/04 , C30B25/18 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02 , H01L29/16
CPC分类号： C30B25/04 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02057 , H01L21/02085 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L29/1602
摘要：提供一種差排缺陷可以被充分減低的鑽石基板的製造方法，以及高品質的鑽石基板以及鑽石自支撐基板。所述鑽石基板的製造方法的特徵在於：包括，將基底表面上圖案狀的鑽石設置的第一工程，從第一工程設置的圖案狀的鑽石使鑽石成長，第一工程設置的圖案狀的鑽石中的圖案間隙中使鑽石形成的第二工程，上述第一工程設置的圖案狀的鑽石去除，第二工程形成的鑽石構成的圖案狀的鑽石形成的第三工程，從第三工程形成的圖案狀的鑽石使鑽石成長以及第三工程形成的圖案狀的鑽石中的圖案間隙中鑽石形成的第四工程。
简体摘要：提供一种差排缺陷可以被充分减低的钻石基板的制造方法，以及高品质的钻石基板以及钻石自支撑基板。所述钻石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的钻石设置的第一工程，从第一工程设置的图案状的钻石使钻石成长，第一工程设置的图案状的钻石中的图案间隙中使钻石形成的第二工程，上述第一工程设置的图案状的钻石去除，第二工程形成的钻石构成的图案状的钻石形成的第三工程，从第三工程形成的图案状的钻石使钻石成长以及第三工程形成的图案状的钻石中的图案间隙中钻石形成的第四工程。

8. 发明专利

TW201712340A 腎臟病之病態生物標記审中-公开
简体标题：肾脏病之病态生物标记
公开(公告)号：TW201712340A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105118450
申请日：2016-06-13
申请人：國立大學法人金澤大學 , KANAZAWA UNIVERSITY , 資生堂股份有限公司 , SHISEIDO COMPANY, LTD.
发明人：和田隆志 , WADA, TAKASHI , 古市賢吾 , FURUICHI, KENGO , 坂井宣彥 , SAKAI, NORIHIKO , 岩田恭宜 , IWATA, YASUNORI , 原章規 , HARA, AKINORI , 中出祐介 , NAKADE, YUSUKE , 浜瀨健司 , HAMASE, KENJI , 三次百合香 , MIYOSHI, YURIKA , 中根舞子 , NAKANE, MAIKO , 三田真史 , MITA, MASASHI
IPC分类号： G01N33/68
CPC分类号： G01N33/68
摘要：本發明之課題在於開發一種可實現早期或輕度之腎損傷之診斷的分析方法。本發明係基於自糞便或腸內容物基於D體及/或L體之胺基酸量而算出腎損傷之病態指標值。藉由將該病態指標值與由腎功能衰竭患者群及健康者群之病態指標值所確定之閾值進行比較，可實現輕度之腎損傷患者群之診斷。
简体摘要：本发明之课题在于开发一种可实现早期或轻度之肾损伤之诊断的分析方法。本发明系基于自粪便或肠内容物基于D体及/或L体之氨基酸量而算出肾损伤之病态指针值。借由将该病态指针值与由肾功能衰竭患者群及健康者群之病态指针值所确定之阈值进行比较，可实现轻度之肾损伤患者群之诊断。

9. 发明专利

TW201016754A 聚合物之製造方法审中-公开
简体标题：聚合物之制造方法
公开(公告)号：TW201016754A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098123481
申请日：2009-07-10
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , 國立大學法人金澤大學 , JSR股份有限公司
发明人：下田達也 , 川尻陵 , 磯邊清 , 中井英隆 , 松木安生
IPC分类号： C08G
CPC分类号： C08G77/60 , C07F7/0896
摘要：本發明係關於聚合物之製造方法，其特徵為使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的二核金屬錯合物之存在下反應。R4-nMHn（1）（式（1）中，R係1價有機基，M係矽原子或鍺原子，n係2或3）[CpM（μ-CH2）]2（2）（式（2）中，Cp係環戊二烯基系配位子，M係從Rh及Ir所選出的金屬原子，M-M間係雙鍵）。
简体摘要：本发明系关于聚合物之制造方法，其特征为使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的二核金属错合物之存在下反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R系1价有机基，M系硅原子或锗原子，n系2或3）[CpM（μ-CH2）]2（2）（式（2）中，Cp系环戊二烯基系配位子，M系从Rh及Ir所选出的金属原子，M-M间系双键）。

10. 发明专利

TW201012854A 聚矽烷之製造方法审中-公开
简体标题：聚硅烷之制造方法
公开(公告)号：TW201012854A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098123478
申请日：2009-07-10
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , 國立大學法人金澤大學 , JSR股份有限公司
发明人：下田達也 , 川尻陵 , 磯邊清 , 中井英隆 , 松木安生
IPC分类号： C08G , B01J
CPC分类号： C08G77/60
摘要：本發明之聚矽烷之製造方法，其特徵在於：使以下述式(2)所示之環狀矽烷化合物為代表之特定的矽烷化合物在以下述式(4)所示之雙核金屬錯合物之存在下反應：SijH2j(2)(式(2)中，j為3~10的整數)[CpM(μ-CH2)]2(4)(式(4)中，Cp為環戊二烯基系配位子，M為選自Rh及Ir之金屬原子，M-M間為雙鍵)。
简体摘要：本发明之聚硅烷之制造方法，其特征在于：使以下述式(2)所示之环状硅烷化合物为代表之特定的硅烷化合物在以下述式(4)所示之双核金属错合物之存在下反应：SijH2j(2)(式(2)中，j为3~10的整数)[CpM(μ-CH2)]2(4)(式(4)中，Cp为环戊二烯基系配位子，M为选自Rh及Ir之金属原子，M-M间为双键)。

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