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1. 发明专利

TWI514509B 基座支承部分及包含基座支承部分的磊晶生長設備有权
简体标题：基座支承部分及包含基座支承部分的磊晶生长设备
公开(公告)号：TWI514509B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW103109134
申请日：2014-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：岡部輝 , OKABE, AKIRA , 森吉信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C30B25/12 , C23C16/4412 , C23C16/45563 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/481 , H01L21/02617 , H01L21/6719 , H01L21/687 , H01L21/68735 , H01L21/68742 , Y10S269/903

2. 发明专利

TWI624553B 使用磊晶生長之薄膜形成方法及磊晶生長裝置有权
简体标题：使用磊晶生长之薄膜形成方法及磊晶生长设备
公开(公告)号：TWI624553B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103109132
申请日：2014-03-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：岡部輝 , OKABE, AKIRA , 森吉信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/56

3. 发明专利

TWI685586B 用於外延成長設備的腔室元件（三）有权
简体标题：用于外延成长设备的腔室组件（三）
公开(公告)号：TWI685586B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105109502
申请日：2016-03-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14 , H01L21/205

4. 发明专利

TW201817913A 用於磊晶腔室的上圓錐审中-公开
简体标题：用于磊晶腔室的上圆锥
公开(公告)号：TW201817913A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106126157
申请日：2017-08-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU , 青木裕司 , AOKI, YUJI
IPC分类号： C23C16/48 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要：本文中描述了一種磊晶沉積腔室，如高生長速率磊晶腔室，所述磊晶沉積腔室在腔室中圓頂上方具有上部錐體，用於控制空氣流。所述上部錐體在所述腔室中具有由兩個或更多個間隙分離的第一部件和第二部件，每個部件具有部分圓柱形區域和從所述部分圓柱形區域延伸的部分圓錐形區域，所述部分圓柱形區域具有第一凹形內表面、第一凸形外表面、以及所述第一凹形內表面的固定曲率半徑，所述部分圓錐形區域具有第二凹形內表面、第二凸形外表面、以及所述第二凹形內表面的變化曲率半徑，其中所述第二凹形內表面從所述部分圓柱形區域延伸至小於所述固定曲率半徑的第二曲率半徑。
简体摘要：本文中描述了一种磊晶沉积腔室，如高生长速率磊晶腔室，所述磊晶沉积腔室在腔室中圆顶上方具有上部锥体，用于控制空气流。所述上部锥体在所述腔室中具有由两个或更多个间隙分离的第一部件和第二部件，每个部件具有部分圆柱形区域和从所述部分圆柱形区域延伸的部分圆锥形区域，所述部分圆柱形区域具有第一凹形内表面、第一凸形外表面、以及所述第一凹形内表面的固定曲率半径，所述部分圆锥形区域具有第二凹形内表面、第二凸形外表面、以及所述第二凹形内表面的变化曲率半径，其中所述第二凹形内表面从所述部分圆柱形区域延伸至小于所述固定曲率半径的第二曲率半径。

5. 发明专利

TW201700775A 用於外延成長設備的腔室元件（三）审中-公开
简体标题：用于外延成长设备的腔室组件（三）
公开(公告)号：TW201700775A
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW105109502
申请日：2016-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , C23C16/45587 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/481 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/06 , F24C15/10 , H01L21/02532 , H01L21/68785
摘要：揭示了用於磊晶生長裝置的腔室部件。反應腔室由頂板來界定和形成。反應氣體在側壁中所設置的反應氣體供應路徑中整流，使得在反應腔室中的反應氣體的流動方向上的水平分量對應於從反應氣體供應路徑的開口的中心延伸的方向上的水平分量。對磊晶生長裝置的上側壁、基座和整流板的改進已使得提高了基板上形成的磊晶層的均勻性和形成速度，從而使得產量更高並且缺陷更少。
简体摘要：揭示了用于磊晶生长设备的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在反应腔室中的反应气体的流动方向上的水平分量对应于从反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对磊晶生长设备的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的磊晶层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。

6. 实用新型

TWM531050U 用於磊晶生長裝置的腔室部件（二）有权
简体标题：用于磊晶生长设备的腔室部件（二）
公开(公告)号：TWM531050U
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW105204238
申请日：2016-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , C23C16/45587 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/481 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/06 , F24C15/10 , H01L21/02532 , H01L21/68785

7. 发明专利

TWI679298B 用於基板背側變色控制的支撐組件有权
简体标题：用于基板背侧变色控制的支撑组件
公开(公告)号：TWI679298B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105100687
申请日：2016-01-11
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 青木裕司 , AOKI, YUJI , 迪蒙特彼得 , DEMONTE, PETER , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： C23C16/458 , H01L21/67 , C23C16/455

8. 实用新型

TWM561321U 用於磊晶腔室的錐體及包含該錐體的處理腔室有权
简体标题：用于磊晶腔室的锥体及包含该锥体的处理腔室
公开(公告)号：TWM561321U
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106211383
申请日：2017-08-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU , 青木裕司 , AOKI, YUJI
IPC分类号： H01L21/20 , H01L23/00

9. 实用新型

TWM535866U 用於外延成長設備的腔室元件（一）有权
简体标题：用于外延成长设备的腔室组件（一）
公开(公告)号：TWM535866U
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW105204237
申请日：2016-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , C23C16/45587 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/481 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/06 , F24C15/10 , H01L21/02532 , H01L21/68785

10. 发明专利

TW201635340A 用於外延成長設備的腔室元件（一）审中-公开
简体标题：用于外延成长设备的腔室组件（一）
公开(公告)号：TW201635340A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105109495
申请日：2016-03-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：大木慎一 , OKI, SHINICHI , 森義信 , MORI, YOSHINOBU
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/45502 , C23C16/45565 , C23C16/4558 , C23C16/45587 , C23C16/4581 , C23C16/4585 , C23C16/481 , C30B25/12 , C30B25/14 , C30B29/06 , F24C15/10 , H01L21/02532 , H01L21/68785
摘要：揭示了用於磊晶生長裝置的腔室部件。反應腔室由頂板來界定和形成。反應氣體在側壁中所設置的反應氣體供應路徑中整流，使得在反應腔室中的反應氣體的流動方向上的水平分量對應於從反應氣體供應路徑的開口的中心延伸的方向上的水平分量。對磊晶生長裝置的上側壁、基座和整流板的改進已使得提高了基板上形成的磊晶層的均勻性和形成速度，從而使得產量更高並且缺陷更少。
简体摘要：揭示了用于磊晶生长设备的腔室部件。反应腔室由顶板来界定和形成。反应气体在侧壁中所设置的反应气体供应路径中整流，使得在反应腔室中的反应气体的流动方向上的水平分量对应于从反应气体供应路径的开口的中心延伸的方向上的水平分量。对磊晶生长设备的上侧壁、基座和整流板的改进已使得提高了基板上形成的磊晶层的均匀性和形成速度，从而使得产量更高并且缺陷更少。

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