专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202027304A 深紫外LED裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：深紫外LED设备及其制造方法
公开(公告)号：TW202027304A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108130179
申请日：2019-08-23
申请人：日商丸文股份有限公司 , MARUBUN CORPORATION , 日商東芝機械股份有限公司 , TOSHIBA KIKAI KABUSHIKI KAISHA , 國立研究開發法人理化學研究所 , RIKEN , 日商愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC. , 日商東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. , 日商日本鎢合金股份有限公司 , NIPPON TUNGSTEN CO., LTD. , 日商大日本印刷股份有限公司 , DAI NIPPON PRINTING CO., LTD.
发明人：鹿嶋行雄 , KASHIMA, YUKIO , 松浦恵里子 , MATSUURA, ERIKO , 小久保光典 , KOKUBO, MITSUNORI , 田代貴晴 , TASHIRO, TAKAHARU , 平山秀樹 , HIRAYAMA, HIDEKI , 前田哲利 , MAEDA, NORITOSHI , 上村隆一郎 , KAMIMURA, RYUICHIRO , 長田大和 , OSADA, YAMATO , 古田寬治 , FURUTA, KANJI , 岩井武 , IWAI, TAKESHI , 青山洋平 , AOYAMA, YOHEI , 祝迫恭 , IWAISAKO, YASUSHI , 長野丞益 , NAGANO, TSUGUMI , 高木秀樹 , TAKAGI, HIDEKI , 倉島優一 , KURASHIMA, YUUICHI , 松前貴司 , MATSUMAE, TAKASHI
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/58
摘要：本發明係一種深紫外LED裝置，其特徵在於具有：封裝，其係於內側底面及內側側壁被覆有對於深紫外LED元件之設計波長λ(200 nm〜355 nm)具有91%以上之反射率之無機被覆膜之表面安裝型氮化鋁陶瓷封裝，且上述封裝之內側側壁角度為45度以上60度以下，且上述封裝之最表面利用石英窗密閉；及深紫外LED元件，其係裝設於上述封裝內，且自與藍寶石基板相反側依次具有反射電極層(Au)、金屬層(Ni)、p型GaN接觸層、p型AlGaN層、多重量子障壁層(或電子阻擋層)、多重量子井層、n型AlGaN層、AlN緩衝層、及上述藍寶石基板，且該深紫外LED元件具有反射型二維光子結晶，該反射型二維光子結晶具有設置於上述金屬層與上述p型GaN接觸層之厚度方向之範圍內，且不超過上述p型GaN接觸層與上述p型AlGaN層之界面之位置之複數個空孔，上述反射型二維光子結晶週期構造具有相對於TE偏振成分打開之光子帶隙，相對於上述設計波長λ之光，上述反射型二維光子結晶週期構造之週期a滿足布拉格之條件，且處於布拉格之條件式mλ/neff＝2a(其中，m：次數，λ：設計波長，neff：二維光子結晶之實效折射率，a：二維光子結晶之週期)之次數m滿足3≦m≦4，於將上述空孔之半徑設為R時，R/a比滿足0.30≦R/a≦0.40。
简体摘要：本发明系一种深紫外LED设备，其特征在于具有：封装，其系于内侧底面及内侧侧壁被覆有对于深紫外LED组件之设计波长λ(200 nm〜355 nm)具有91%以上之反射率之无机被覆膜之表面安装型氮化铝陶瓷封装，且上述封装之内侧侧壁角度为45度以上60度以下，且上述封装之最表面利用石英窗密闭；及深紫外LED组件，其系装设于上述封装内，且自与蓝宝石基板相反侧依次具有反射电极层(Au)、金属层(Ni)、p型GaN接触层、p型AlGaN层、多重量子障壁层(或电子阻挡层)、多重量子井层、n型AlGaN层、AlN缓冲层、及上述蓝宝石基板，且该深紫外LED组件具有反射型二维光子结晶，该反射型二维光子结晶具有设置于上述金属层与上述p型GaN接触层之厚度方向之范围内，且不超过上述p型GaN接触层与上述p型AlGaN层之界面之位置之复数个空孔，上述反射型二维光子结晶周期构造具有相对于TE偏振成分打开之光子带隙，相对于上述设计波长λ之光，上述反射型二维光子结晶周期构造之周期a满足布拉格之条件，且处于布拉格之条件式mλ/neff＝2a(其中，m：次数，λ：设计波长，neff：二维光子结晶之实效折射率，a：二维光子结晶之周期)之次数m满足3≦m≦4，于将上述空孔之半径设为R时，R/a比满足0.30≦R/a≦0.40。

2. 发明专利

TW202023066A III族氮化物半導體發光元件及其製造方法审中-公开
简体标题： III族氮化物半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW202023066A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108145849
申请日：2019-12-13
申请人：日商同和電子科技股份有限公司 , DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.
发明人：渡邉康弘 , WATANABE, YASUHIRO
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/14 , H01L33/06 , H01L21/20
摘要：本發明提供一種兼具高發光輸出及優異的可靠性的III族氮化物半導體發光元件及其製造方法。根據本發明的III族氮化物半導體發光元件於基板上依次具備n型半導體層、發光層、p型AlGaN電子阻擋層、p型接觸層及p側反射電極，來自所述發光層的發光的發光中心波長為250 nm以上且330 nm以下，所述p型AlGaN電子阻擋層的Al組成比為0.40以上且0.80以下，所述p型接觸層的膜厚為10 nm以上且50 nm以下，且所述p型接觸層具有Al組成比為0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接觸層。
简体摘要：本发明提供一种兼具高发光输出及优异的可靠性的III族氮化物半导体发光组件及其制造方法。根据本发明的III族氮化物半导体发光组件于基板上依次具备n型半导体层、发光层、p型AlGaN电子阻挡层、p型接触层及p侧反射电极，来自所述发光层的发光的发光中心波长为250 nm以上且330 nm以下，所述p型AlGaN电子阻挡层的Al组成比为0.40以上且0.80以下，所述p型接触层的膜厚为10 nm以上且50 nm以下，且所述p型接触层具有Al组成比为0.03以上且0.25以下的p型AlGaN接触层。

3. 发明专利

TWI690632B III族氮化物單結晶製造裝置、使用該裝置之III族氮化物單結晶之製造方法、及氮化鋁單結晶有权
简体标题： III族氮化物单结晶制造设备、使用该设备之III族氮化物单结晶之制造方法、及氮化铝单结晶
公开(公告)号：TWI690632B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW104136873
申请日：2015-11-09
申请人：日商德山股份有限公司 , TOKUYAMA CORPORATION
发明人：永島徹 , NAGASHIMA, TORU , 福田真行 , FUKUDA, MASAYUKI
IPC分类号： C30B35/00 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/8252 , H01L33/32

4. 发明专利

TWI689611B ＩＩＩ族氮化物積層體及具有該積層體之發光元件有权
简体标题：ＩＩＩ族氮化物积层体及具有该积层体之发光组件
公开(公告)号：TWI689611B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105106646
申请日：2016-03-04
申请人：日商斯坦雷電氣股份有限公司 , STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
发明人：古家大士 , FURUYA, HIROSHI , 小幡俊之 , OBATA, TOSHIYUKI , 木下亨 , KINOSHITA, TORU
IPC分类号： C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L33/12 , H01L33/32

5. 发明专利

TWI681570B 發光元件及發光元件之製造方法有权
简体标题：发光组件及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TWI681570B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW105102044
申请日：2016-01-22
申请人：日商斯坦雷電氣股份有限公司 , STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
发明人：小幡俊之 , OBATA, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/32

6. 发明专利

TW201903830A 用於形成光電元件之生長底材與製作這種底材之方法，以及這種底材在微顯示螢幕領域之應用审中-公开
简体标题：用于形成光电组件之生长底材与制作这种底材之方法，以及这种底材在微显示屏幕领域之应用
公开(公告)号：TW201903830A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107108791
申请日：2018-03-15
申请人：法商索泰克公司 , SOITEC
发明人：梭塔大衛 , SOTTA, DAVID , 雷道斯奧利維耶 , LEDOUX, OLIVIER , 波寧奧利維耶 , BONNIN, OLIVIER , 貝圖尚馬克 , BETHOUX, JEAN-MARC , 洛基歐摩根 , LOGIOU, MORGANE , 卡米隆拉斐爾 , CAULMILONE, RAPHAEL
IPC分类号： H01L21/02 , H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/44
摘要：本發明係關於一種用於製作光電元件之生長底材(1)，其包含一生長介質(2)，以及設置在生長介質(2)上，具有第一晶格參數之第一結晶半導體島狀物群(3a)及具有不同於第一晶格參數之第二晶格參數之第二結晶半導體島狀物群(3b)。本發明也涉及一種用於製作該生長底材之方法，以及一種在該生長底材上統一製作複數個光電元件之方法。本發明適用於提供單晶微型面板、發光二極體或微型顯示螢幕。
简体摘要：本发明系关于一种用于制作光电组件之生长底材(1)，其包含一生长介质(2)，以及设置在生长介质(2)上，具有第一晶格参数之第一结晶半导体岛状物群(3a)及具有不同于第一晶格参数之第二晶格参数之第二结晶半导体岛状物群(3b)。本发明也涉及一种用于制作该生长底材之方法，以及一种在该生长底材上统一制作复数个光电组件之方法。本发明适用于提供单晶微型皮肤、发光二极管或微型显示屏幕。

7. 发明专利

TWI643943B 研磨組成物，及使用該研磨組成物之基板的研磨方法有权
简体标题：研磨组成物，及使用该研磨组成物之基板的研磨方法
公开(公告)号：TWI643943B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW104109376
申请日：2015-03-24
申请人：日商昭和電工股份有限公司 , SHOWA DENKO K. K.
发明人：藤本広志 , FUJIMOTO, HIROSHI , 黒岩美鈴 , KUROIWA, MISUZU
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L33/32 , H01L21/304 , B24B37/00

8. 发明专利

TWI639251B ｎｐｎ型氮化物半導體發光元件之製造方法及ｎｐｎ型氮化物半導體發光元件有权
简体标题：ｎｐｎ型氮化物半导体发光组件之制造方法及ｎｐｎ型氮化物半导体发光组件
公开(公告)号：TWI639251B
公开(公告)日：2018-10-21
申请号：TW104106194
申请日：2015-02-26
申请人：學校法人名城大學 , MEIJO UNIVERSITY
发明人：竹內哲也 , TAKEUCHI, TETSUYA , 桑野侑香 , KUWANO, YUKA , 岩谷素顯 , IWAYA, MOTOAKI , 赤崎勇 , AKASAKI, ISAMU
IPC分类号： H01L33/14 , H01L33/32

9. 发明专利

TW201837248A 柱狀微發光二極體及其製造方法审中-公开
简体标题：柱状微发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：TW201837248A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106112153
申请日：2017-04-12
申请人：光鋐科技股份有限公司 , EPILEDS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：黃德利 , HUANG, TE-LEE , 許明森 , HSU, MING-SEN
IPC分类号： C30B29/38 , H01L33/00 , H01L33/32
摘要：一種柱狀微發光二極體，其包括第一透明基板、氮化鎵層、複數個遮罩、第二透明基板及複數個金屬電極。氮化鎵層設置於第一透明基板之上，複數個遮罩設置於氮化鎵層之上，各遮罩彼此間隔設置並在其間具有間隙。通入三甲基鎵在氮化鎵層一段時間，停止通入三甲基鎵，再通入氨氣在氮化鎵層一段時間，停止通入氨氣，上述循環為成長週期，氮化鎵層經過多次成長週期而在各間隙成長複數個氮化鎵柱，接著複數個金屬電極設置於第二透明基板之下，第二透明基板黏附複數個氮化鎵柱，且第一透明基板和第二透明基板皆為透明，各氮化鎵柱往其上或其下發光。
简体摘要：一种柱状微发光二极管，其包括第一透明基板、氮化镓层、复数个遮罩、第二透明基板及复数个金属电极。氮化镓层设置于第一透明基板之上，复数个遮罩设置于氮化镓层之上，各遮罩彼此间隔设置并在其间具有间隙。通入三甲基镓在氮化镓层一段时间，停止通入三甲基镓，再通入氨气在氮化镓层一段时间，停止通入氨气，上述循环为成长周期，氮化镓层经过多次成长周期而在各间隙成长复数个氮化镓柱，接着复数个金属电极设置于第二透明基板之下，第二透明基板黏附复数个氮化镓柱，且第一透明基板和第二透明基板皆为透明，各氮化镓柱往其上或其下发光。

10. 发明专利

TW201833889A 來自微像素顯示器之偏振光發射及其製造方法审中-公开
简体标题：来自微像素显示器之偏振光发射及其制造方法
公开(公告)号：TW201833889A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106142130
申请日：2017-12-01
申请人：美商傲思丹度科技公司 , OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：艾爾-葛洛力哈森 S , EL-GHOROURY, HUSSEIN S. , 德米爾納塔立 , DEMILLE, NATALIE
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/32 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/58
摘要：本發明揭示一種用於藉由針對一電子發射式顯示裝置內之光發射結構利用半導體材料之非極性、半極性或經應變之c面結晶面而在一堆疊式多色彩發射式顯示裝置中達成所發射可見光或其他光之選擇性偏振狀態的方法及設備。
简体摘要：本发明揭示一种用于借由针对一电子发射式显示设备内之光发射结构利用半导体材料之非极性、半极性或经应变之c面结晶面而在一堆栈式多色彩发射式显示设备中达成所发射可见光或其他光之选择性偏振状态的方法及设备。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式