专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

TW201027599A 具圓柱形進氣機構之ＭＯＣＶＤ反應器审中-公开
简体标题：具圆柱形进气机构之ＭＯＣＶＤ反应器
公开(公告)号：TW201027599A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098143082
申请日：2009-12-16
申请人：愛思強公司
发明人：布雷恩丹尼爾 , 施昂奧利佛
IPC分类号： H01L , C23C , C30B
CPC分类号： C23C16/45574 , C23C16/45508 , C23C16/4558 , C30B25/14 , C30B29/40
摘要：一種尤其是半導體薄膜的薄膜之沉積裝置,包括基本上對中心(11)旋轉對稱的反應室(1),其具有設在水平面上的載板(2)所構成的底板、在載板(2)垂直上方之反應室蓋板(3)、位在中心處載板(2)與反應室蓋板(3)之間而具有垂直上下相疊的進氣室(8,9,10)的進氣機構(4)、及在載板(2)垂直下方加熱載板(2)的加熱裝置(27);載板(2)上設有複數個與進氣機構(4)有一段距離的基板座(5),以容置欲塗佈的基板(6);最上方之進氣室(8)直接鄰接反應室蓋板(3),並連接將氫化物與載氣輸入反應室(1)的管路(14);最下方之進氣室(10)直接鄰接載板(2),並連接將氫化物與載氣輸入反應室(1)的管路(16),至少一個位在最下方進氣室(10)與最上方進氣室(8)之間的中間進氣室(9),係與將金屬有機化合物輸入反應室(1)的管路(15)連接。本發明使進氣室(8,9,10)朝向反應室(1)的一側被環形壁(22,23,24)包圍,而環形壁(22,23,24)具有複數個緊鄰的氣體流出孔(25),並具有一致的外徑,且具有無凸起而朝向反應室(1)的外壁。
简体摘要：一种尤其是半导体薄膜的薄膜之沉积设备,包括基本上对中心(11)旋转对称的反应室(1),其具有设在水平面上的载板(2)所构成的底板、在载板(2)垂直上方之反应室盖板(3)、位在中心处载板(2)与反应室盖板(3)之间而具有垂直上下相叠的进气室(8,9,10)的进气机构(4)、及在载板(2)垂直下方加热载板(2)的加热设备(27);载板(2)上设有复数个与进气机构(4)有一段距离的基板座(5),以容置欲涂布的基板(6);最上方之进气室(8)直接邻接反应室盖板(3),并连接将氢化物与载气输入反应室(1)的管路(14);最下方之进气室(10)直接邻接载板(2),并连接将氢化物与载气输入反应室(1)的管路(16),至少一个位在最下方进气室(10)与最上方进气室(8)之间的中间进气室(9),系与将金属有机化合物输入反应室(1)的管路(15)连接。本发明使进气室(8,9,10)朝向反应室(1)的一侧被环形壁(22,23,24)包围,而环形壁(22,23,24)具有复数个紧邻的气体流出孔(25),并具有一致的外径,且具有无凸起而朝向反应室(1)的外壁。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式