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    • 1. 发明专利
    • 自動進料系統及進料方法
    • 自动进料系统及进料方法
    • TW201817929A
    • 2018-05-16
    • TW106107635
    • 2017-03-08
    • 上海新昇半導體科技有限公司ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 汪燕WANG, YAN劉源LIU, YUAN
    • C30B35/00
    • 本發明提供了一種自動進料系統及進料方法,透過進料口向坩堝內進行填料,並且在填料過程中,透過液壓缸的上下運動使所述坩堝產生搖擺,令所述坩堝中所填的料分佈均勻。進一步的,監控裝置對稱重秤的讀數進行監測以控制該填料過程,若填料過程完成,關閉所述進料口,控制所述坩堝和/或所述多個進料口相對移動使所述坩堝對位於下一個進料口,繼續向所述坩堝內填料。本發明提供的自動進料系統及進料方法能夠避免人工填料時因操作不當造成坩堝破裂以及所填的料容易被雜質金屬污染的問題。
    • 本发明提供了一种自动进料系统及进料方法,透过进料口向坩埚内进行填料,并且在填料过程中,透过液压缸的上下运动使所述坩埚产生摇摆,令所述坩埚中所填的料分布均匀。进一步的,监控设备对称重秤的读数进行监测以控制该填料过程,若填料过程完成,关闭所述进料口,控制所述坩埚和/或所述多个进料口相对移动使所述坩埚对位于下一个进料口,继续向所述坩埚内填料。本发明提供的自动进料系统及进料方法能够避免人工填料时因操作不当造成坩埚破裂以及所填的料容易被杂质金属污染的问题。
    • 6. 发明专利
    • 宏觀劃痕長度測量裝置
    • 宏观划痕长度测量设备
    • TW201841283A
    • 2018-11-16
    • TW106126978
    • 2017-08-09
    • 上海新昇半導體科技有限公司ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 王燕WANG, YAN劉源LIU, YUAN
    • H01L21/67H01L21/66
    • 本發明提供一種宏觀劃痕長度測量裝置,包括:旋轉夾具,所述旋轉夾具的頂部沿其周向設有滑槽;光源;尺規,所述尺規的上表面沿其長度方向設有刻度,所述尺規的一端經由一固定裝置固定於所述滑槽處;所述固定裝置一端置於所述滑槽內,且可帶動所述尺規以所述固定裝置的軸向中心線為中心在平行於所述旋轉夾具上表面的平面內旋轉及帶動所述尺規沿所述滑槽的長度方向滑動。本發明的宏觀劃痕長度測量裝置可以在目檢的同時精確測量晶圓表面任意位置處的宏觀劃痕;本發明的宏觀劃痕長度測量裝置具有結構簡單、操作方便及測量精度高等優點。
    • 本发明提供一种宏观划痕长度测量设备,包括:旋转夹具,所述旋转夹具的顶部沿其周向设有滑槽;光源;尺规,所述尺规的上表面沿其长度方向设有刻度,所述尺规的一端经由一固定设备固定于所述滑槽处;所述固定设备一端置于所述滑槽内,且可带动所述尺规以所述固定设备的轴向中心线为中心在平行于所述旋转夹具上表面的平面内旋转及带动所述尺规沿所述滑槽的长度方向滑动。本发明的宏观划痕长度测量设备可以在目检的同时精确测量晶圆表面任意位置处的宏观划痕;本发明的宏观划痕长度测量设备具有结构简单、操作方便及测量精度高等优点。
    • 8. 发明专利
    • 校正晶片及其製造方法
    • 校正芯片及其制造方法
    • TW201826424A
    • 2018-07-16
    • TW106110385
    • 2017-03-28
    • 上海新昇半導體科技有限公司ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 劉源LIU, YUAN邦凡蒂 保羅BONFANTI, PAOLO
    • H01L21/67
    • 在本發明提供了一種校正晶片及其製造方法,所述校正晶片包括校正粒子和基板晶片,將二氧化鈰粒子作為校正粒子,因為二氧化鈰的熔點高不易被高能量雷射損傷,並且該二氧化鈰粒子有11種半徑大小;相應的所述基板晶片被劃分成M(M為1~11的自然數)個掃描區,每個掃描區內有2~6組半徑大小相同的所述校正粒子。當對半徑大小不同的粒子進行校正時,雷射光束在不同的掃描區內掃描,這樣避免了雷射光束照射在全部的粒子上,對粒子造成損傷。
    • 在本发明提供了一种校正芯片及其制造方法,所述校正芯片包括校正粒子和基板芯片,将二氧化铈粒子作为校正粒子,因为二氧化铈的熔点高不易被高能量激光损伤,并且该二氧化铈粒子有11种半径大小;相应的所述基板芯片被划分成M(M为1~11的自然数)个扫描区,每个扫描区内有2~6组半径大小相同的所述校正粒子。当对半径大小不同的粒子进行校正时,激光光束在不同的扫描区内扫描,这样避免了激光光束照射在全部的粒子上,对粒子造成损伤。
    • 9. 发明专利
    • 晶圓表面平坦度測量系統
    • 晶圆表面平坦度测量系统
    • TW201822288A
    • 2018-06-16
    • TW106115519
    • 2017-05-10
    • 上海新昇半導體科技有限公司ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
    • 牛景豪NIU, JINHAO劉源LIU, YUAN
    • H01L21/66H01L21/67
    • 本發明提供一種晶圓表面平坦度測量系統,包括:托盤、夾片夾、機械手臂、測量腔室及傳送裝置;托盤內設有通孔,夾片夾位於通孔的側壁上;測量腔室上設有與其內部相連通的入口;托盤處於垂直狀態時遠離機械手臂的一側設有與通孔相連通的開口;測量腔室內對應於入口的位置由上至下依次設有第一感測器、第二感測器及第三感測器;控制器,與第一感測器、第二感測器及第三感測器相連接。通過在測量腔室內設置第一感測器及第三感測器,可以測量托盤處於垂直狀態時與測量腔室入口的相對高度,並在托盤處於垂直狀態時的高度有偏差時及時予以自動調整,以確保托盤可以順利經由入口進入測量腔室,整個過程不需要人工作業,大大節省了人力,提高了工作效率。
    • 本发明提供一种晶圆表面平坦度测量系统,包括:托盘、夹片夹、机械手臂、测量腔室及发送设备;托盘内设有通孔,夹片夹位于通孔的侧壁上;测量腔室上设有与其内部相连通的入口;托盘处于垂直状态时远离机械手臂的一侧设有与通孔相连通的开口;测量腔室内对应于入口的位置由上至下依次设有第一传感器、第二传感器及第三传感器;控制器,与第一传感器、第二传感器及第三传感器相连接。通过在测量腔室内设置第一传感器及第三传感器,可以测量托盘处于垂直状态时与测量腔室入口的相对高度,并在托盘处于垂直状态时的高度有偏差时及时予以自动调整,以确保托盘可以顺利经由入口进入测量腔室,整个过程不需要人工作业,大大节省了人力,提高了工作效率。