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1. 发明专利

TWI685583B 有機金屬化學氣相沉積設備有权
简体标题：有机金属化学气相沉积设备
公开(公告)号：TWI685583B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW108110083
申请日：2019-03-22
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：梁祐笙 , LIANG, YU-SHENG , 邱建欽 , CHIU, CHIEN-CHIN , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 須田昇 , SUDA, NOBORU , 米野純次 , KOMENO, JUNJI
IPC分类号： C23C16/18 , C23C16/448

2. 发明专利

TW201825707A 化學氣相沈積設備审中-公开
简体标题：化学气相沉积设备
公开(公告)号：TW201825707A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106143367
申请日：2017-12-11
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：米野純次 , KOMENO, JUNJI , 須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG
IPC分类号： C23C16/54 , C23C16/455
摘要：一種化學氣相沈積設備包含一壓載氣體源以及一質量流量控制器，其中壓載氣體源設置於一分離裝置之上游側，並經由控制壓載氣體的流速來控制一反應腔室中的壓力。由於反應腔室以及與壓載氣體源連接之節點間之空間較小，因而使反應腔室之壓力響應加快。
简体摘要：一种化学气相沉积设备包含一压载气体源以及一质量流量控制器，其中压载气体源设置于一分离设备之上游侧，并经由控制压载气体的流速来控制一反应腔室中的压力。由于反应腔室以及与压载气体源连接之节点间之空间较小，因而使反应腔室之压力响应加快。

3. 发明专利

TW202003899A 氣相成膜裝置审中-公开
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TW202003899A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108119469
申请日：2019-06-05
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORP.
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 薛士雍 , SHIEH, SHIH-YUNG , 黃燦華 , HUANG, TSAN-HUA
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40
摘要：本發明之氣相成膜裝置包括晶座，其上設有多個基板，晶座的相對面設有對向面構件。對向面構件包括多個朝晶座方向突出的凸出部，定義至少一流動通道，反應氣體通過流動通道後，沉積在基板上，其中至少一凸部包含隔熱結構。氣相成膜裝置更包含加熱元件設置於晶座的一側，且相對於對向面構件。
简体摘要：本发明之气相成膜设备包括晶座，其上设有多个基板，晶座的相对面设有对向面构件。对向面构件包括多个朝晶座方向突出的凸出部，定义至少一流动信道，反应气体通过流动信道后，沉积在基板上，其中至少一凸部包含隔热结构。气相成膜设备更包含加热组件设置于晶座的一侧，且相对于对向面构件。

4. 发明专利

TW201531589A 氣相成膜裝置审中-公开
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TW201531589A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103133413
申请日：2014-09-26
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 盧柏菁 , LU, PO CHING , 薛士雍 , SHIEH, SHIH YUNG , 鍾步青 , CHUNG, BU CHIN
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/4584
摘要：提供一種可以較少氣體消耗量同時實現高揮發成分元素分壓、較快流速然後和緩的成膜速度曲線之三要素的成膜裝置。反應器構造係由圓板狀晶座、基板自轉公轉之機構、對向於該圓板狀晶座之對向面形成構件、噴射部、材料氣體之導入部以及氣體排氣部來加以構成。基板係藉由基板保持構件(Wafer Holder)加以保持，基板保持構件係被保持於圓板狀晶座之承受部。圓板狀晶座係相對其中心軸旋轉，同時基板會自轉。對向面形成構件由於係放射狀地交互形成有扇形之凹部及凸部的構造，故流道高度會在周圍方向改變。因此，可以較少載體氣體流量實現與以往裝置之最佳條件相同的成膜品質，可讓揮發成分元素之材料氣體分壓較以往要大幅提高。
简体摘要：提供一种可以较少气体消耗量同时实现高挥发成分元素分压、较快流速然后和缓的成膜速度曲线之三要素的成膜设备。反应器构造系由圆板状晶座、基板自转公转之机构、对向于该圆板状晶座之对向面形成构件、喷射部、材料气体之导入部以及气体排气部来加以构成。基板系借由基板保持构件(Wafer Holder)加以保持，基板保持构件系被保持于圆板状晶座之承受部。圆板状晶座系相对其中心轴旋转，同时基板会自转。对向面形成构件由于系放射状地交互形成有扇形之凹部及凸部的构造，故流道高度会在周围方向改变。因此，可以较少载体气体流量实现与以往设备之最佳条件相同的成膜品质，可让挥发成分元素之材料气体分压较以往要大幅提高。

5. 发明专利

TWI521089B 氣相成膜裝置有权
简体标题：气相成膜设备
公开(公告)号：TWI521089B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW103133413
申请日：2014-09-26
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 盧柏菁 , LU, PO CHING , 薛士雍 , SHIEH, SHIH YUNG , 鍾步青 , CHUNG, BU CHIN
IPC分类号： C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45508 , C23C16/303 , C23C16/45563 , C23C16/4584

6. 发明专利

TWI694170B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI694170B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW108103706
申请日：2019-01-31
申请人：漢民科技股份有限公司 , HERMES-EPITEK CORPORATION
发明人：須田昇 , SUDA, NOBORU , 大石隆宏 , OISHI, TAKAHIRO , 米野純次 , KOMENO, JUNJI , 陳哲霖 , CHEN, CHE LIN , 劉奕宏 , LIU, YI HUNG
IPC分类号： C23C16/458

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