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1. 发明专利

TW202018121A 藉由循環CVD形成保形碳化矽膜之方法审中-公开
简体标题：借由循环CVD形成保形碳化硅膜之方法
公开(公告)号：TW202018121A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108135694
申请日：2019-10-02
申请人：荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：深澤篤毅 , FUKAZAWA, ATSUKI , 財津優 , ZAITSU, MASARU
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/32 , C23C16/36 , H01L21/02
摘要：一種在具有凹槽圖案之基板上形成碳化矽膜的方法，該碳化矽膜於633 nm處所量測之反射指數為2.3或更高，該方法包括(i)以脈衝形式向置放有該基板之反應空間中供應有機矽烷前驅物，該前驅物具有式RSiH3，其中R為包括至少一個不飽和鍵之含烴部分；(ii)向該反應空間中連續供應電漿產生性氣體，該電漿產生性氣體選自由惰性氣體及氫化物氣體組成之群；(iii)向該反應空間連續施加RF功率以產生電漿，該電漿激發該前驅物；及(iv)重複步驟(i)至(iii)，藉此在該基板上形成碳化矽膜，該碳化矽膜於633 nm處所量測之反射指數為2.3或更高。
简体摘要：一种在具有凹槽图案之基板上形成碳化硅膜的方法，该碳化硅膜于633 nm处所量测之反射指数为2.3或更高，该方法包括(i)以脉冲形式向置放有该基板之反应空间中供应有机硅烷前驱物，该前驱物具有式RSiH3，其中R为包括至少一个不饱和键之含烃部分；(ii)向该反应空间中连续供应等离子产生性气体，该等离子产生性气体选自由惰性气体及氢化物气体组成之群；(iii)向该反应空间连续施加RF功率以产生等离子，该等离子激发该前驱物；及(iv)重复步骤(i)至(iii)，借此在该基板上形成碳化硅膜，该碳化硅膜于633 nm处所量测之反射指数为2.3或更高。

2. 发明专利

TWI693632B 化學沉積、處理及/或滲入裝置及其使用方法有权
简体标题：化学沉积、处理及/或渗入设备及其使用方法
公开(公告)号：TWI693632B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW107116804
申请日：2018-05-17
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：胡加勒羅伯特 , HUGGARE, ROBERT
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/683

3. 发明专利

TW201947059A 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構审中-公开
简体标题：借由循环沉积制程于基板上沉积氧化物膜之方法及相关设备结构
公开(公告)号：TW201947059A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108114718
申请日：2019-04-26
申请人：荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：湯福 , TANG, FU , 羅伊黛芬妮 , LONGRIE, DELPHINE , 徐鵬富 , HSU, PENG-FU
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/283
摘要：揭露一種藉由循環沉積於基板上沉積氧化物膜之方法。該方法可包含：利用該循環沉積製程之第一子循環的至少一沉積循環，將金屬氧化物膜沉積於基板上；以及利用該循環沉積製程之第二子循環的至少一沉積循環，將氧化矽膜直接沉積於該金屬氧化物膜上。此外亦揭露半導體裝置結構，其包含有本發明方法沉積而成之氧化物膜。
简体摘要：揭露一种借由循环沉积于基板上沉积氧化物膜之方法。该方法可包含：利用该循环沉积制程之第一子循环的至少一沉积循环，将金属氧化物膜沉积于基板上；以及利用该循环沉积制程之第二子循环的至少一沉积循环，将氧化硅膜直接沉积于该金属氧化物膜上。此外亦揭露半导体设备结构，其包含有本发明方法沉积而成之氧化物膜。

4. 发明专利

TWI675936B 氣體分配系統、包含該系統的反應器、以及使用該系統和反應器的方法有权
简体标题：气体分配系统、包含该系统的反应器、以及使用该系统和反应器的方法
公开(公告)号：TWI675936B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW104105965
申请日：2015-02-25
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：豪金斯馬克 , HAWKINS, MARK , 哈雷克布萊德利李奧納多 , HALLECK, BRADLEY LEONARD , 科斯恩內特湯姆 , KIRSCHENHEITER, TOM , 荷莎班傑明 , HOSSA, BENJAMIN , 波特波姆克雷 , POTTEBAUM, CLAY , 米斯奇斯克勞迪歐 , MISKYS, CLAUDIO
IPC分类号： C23C16/455 , C30B25/08

5. 发明专利

TW201837985A 在基板上形成結構之方法审中-公开
简体标题：在基板上形成结构之方法
公开(公告)号：TW201837985A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106143559
申请日：2017-12-12
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：科納本維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 馬耶斯珍威廉 , MAES, JAN WILLEM , 鍾布勒德伯特 , JONGBLOED, BERT , 卡赫爾克日什托夫卡米爾 , KACHEL, KRZYSZTOF KAMIL , 皮爾陸克斯迪特 , PIERREUX, DIETER , 狄羅大衛庫爾特 , DE ROEST, DAVID KURT
IPC分类号： H01L21/033
摘要：提供一種在基板上形成層之方法，其係以硬遮罩材料設置於該基板。該硬遮罩材料在N次浸潤循環期間藉由以下用浸潤材料浸潤：a)向反應腔室中之該基板上之硬遮罩材料設置第一前驅體持續第一時間段T1；b)移除該第一前驅體之一部分持續第二時間段T2；及，c)向該基板上之硬遮罩材料設置第二前驅體持續第三時間段T3，使得該第一及第二前驅體彼此反應，形成該浸潤材料。
简体摘要：提供一种在基板上形成层之方法，其系以硬遮罩材料设置于该基板。该硬遮罩材料在N次浸润循环期间借由以下用浸润材料浸润：a)向反应腔室中之该基板上之硬遮罩材料设置第一前驱体持续第一时间段T1；b)移除该第一前驱体之一部分持续第二时间段T2；及，c)向该基板上之硬遮罩材料设置第二前驱体持续第三时间段T3，使得该第一及第二前驱体彼此反应，形成该浸润材料。

6. 发明专利

TW201837979A 半導體處理裝置审中-公开
简体标题：半导体处理设备
公开(公告)号：TW201837979A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106143570
申请日：2017-12-12
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：狄羅大衛庫爾特 , DE ROEST, DAVID KURT , 科納本維爾納 , KNAEPEN, WERNER , 卡赫爾克日什托夫 , KACHEL, KRZYSZTOF
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要：揭示一種用於在一半導體處理裝置內形成一結構之裝置及方法。該裝置包括一第一反應腔室，該第一反應腔室經組構以固持具有一第一層之至少一個基板。該裝置亦包括一前驅體遞送系統，該前驅體遞送系統經組構以藉由將一第一前驅體及一第二前驅體依序脈衝至該基板上而執行浸潤。該裝置亦可包括一第一移除系統，該第一移除系統經組構以用於移除設置於該基板上之該第一層之至少一部分，同時留下一浸潤材料，其中浸潤及移除該第一層之至少一部分發生於同一個半導體處理裝置內。亦揭示一種在一半導體處理裝置內形成一結構之方法，該方法包括在一反應腔室中提供用於處理之一基板，該基板具有設置於該基板上之一第一層。該方法亦可包括藉由將一第一前驅體及一第二前驅體依序脈衝至該基板上而執行一第一層浸潤，其中一浸潤材料自該第一前驅體及該第二前驅體的反應而形成於該第一層中。該方法亦可包括在執行浸潤之後移除設置於該基板上之該第一層之至少一部分，其中浸潤及移除該第一層之至少一部分發生於同一個半導體處理裝置內。
简体摘要：揭示一种用于在一半导体处理设备内形成一结构之设备及方法。该设备包括一第一反应腔室，该第一反应腔室经组构以固持具有一第一层之至少一个基板。该设备亦包括一前驱体递送系统，该前驱体递送系统经组构以借由将一第一前驱体及一第二前驱体依序脉冲至该基板上而运行浸润。该设备亦可包括一第一移除系统，该第一移除系统经组构以用于移除设置于该基板上之该第一层之至少一部分，同时留下一浸润材料，其中浸润及移除该第一层之至少一部分发生于同一个半导体处理设备内。亦揭示一种在一半导体处理设备内形成一结构之方法，该方法包括在一反应腔室中提供用于处理之一基板，该基板具有设置于该基板上之一第一层。该方法亦可包括借由将一第一前驱体及一第二前驱体依序脉冲至该基板上而运行一第一层浸润，其中一浸润材料自该第一前驱体及该第二前驱体的反应而形成于该第一层中。该方法亦可包括在运行浸润之后移除设置于该基板上之该第一层之至少一部分，其中浸润及移除该第一层之至少一部分发生于同一个半导体处理设备内。

7. 发明专利

TWI625758B 遠程電漿系統、提供中間反應物種給反應器之反應腔室的方法和電漿增進的化學氣相沉積系統有权
简体标题：远程等离子系统、提供中间反应物种给反应器之反应腔室的方法和等离子增进的化学气相沉积系统
公开(公告)号：TWI625758B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103106022
申请日：2014-02-24
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：威克勒傑瑞德李 , WINKLER, JERELD LEE
IPC分类号： H01J37/32

8. 发明专利

TWI692545B 形成高Ｐ型摻雜鍺錫膜的方法以及包含該等膜的結構和裝置有权
简体标题：形成高Ｐ型掺杂锗锡膜的方法以及包含该等膜的结构和设备
公开(公告)号：TWI692545B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW105119533
申请日：2016-06-22
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：馬各提斯喬 , MARGETIS, JOE , 托勒約翰 , TOLLE, JOHN
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/06 , C23C16/22 , H01L29/06 , H01L29/161 , H01L29/78

9. 发明专利

TWI685913B 半導體反應室之噴淋頭有权
简体标题：半导体反应室之喷淋头
公开(公告)号：TWI685913B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW102136496
申请日：2013-10-09
申请人：荷蘭商ASM智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B. V.
发明人：懷特卡爾 , WHITE, CARL , 杜恩泰德 , DUNN, TODD , 席羅艾瑞克 , SHERO, ERIC , 方杜魯利亞凱勒 , FONDURULIA, KYLE
IPC分类号： H01L21/683

10. 发明专利

TW202004943A 與氫自由基一起使用的設備及使用該設備的方法审中-公开
简体标题：与氢自由基一起使用的设备及使用该设备的方法
公开(公告)号：TW202004943A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108108225
申请日：2019-03-12
申请人：荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：林興 , LIN, XING , 魏創 , WEI, CHUANG , 王文濤 , WANG, WENTAO , 高培培 , GAO, PEIPEI , 王非 , WANG, FEI , 喬希斯瓦蘭布貝西巴卜 , JOTHEESWARAN, BUBESH BABU
IPC分类号： H01L21/67 , B08B17/06 , B08B5/00 , C23C16/40 , H01J37/00
摘要：本發明揭示一種適合用於在單一製程室內由基板移除碳基汙染物及氧基汙染物兩者的系統及方法。
简体摘要：本发明揭示一种适合用于在单一制程室内由基板移除碳基污染物及氧基污染物两者的系统及方法。

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