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1. 发明专利

TWI663122B 光學膜、光學膜組件及其製造方法有权
简体标题：光学膜、光学膜组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI663122B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106127096
申请日：2017-08-10
申请人：國立中央大學
发明人：陳昇暉 , 詹世豪 , 曾少澤 , 廖博輝
IPC分类号： C01B21/068 , G02B1/00 , B32B9/04 , C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/54

2. 发明专利

TWI606126B 一種聚醯亞胺無膠柔性印刷線路板的製備方法有权
简体标题：一种聚酰亚胺无胶柔性印刷线路板的制备方法
公开(公告)号：TWI606126B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105141982
申请日：2016-12-19
申请人：蘇州衛鵬機電科技有限公司 , SUZHOU WEIPENG ELECTRICAL TECHNOLOGY CO.,LTD
发明人：孟月東 , MENG, YUEDONG , 常鵬 , CHANG, PENG , 蔡剛強 , CAI, GANGQIANG
IPC分类号： C23C14/02 , H05K3/18

3. 发明专利

TWI588276B 成膜遮罩之製造方法有权
简体标题：成膜遮罩之制造方法
公开(公告)号：TWI588276B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102139890
申请日：2013-11-04
申请人： V科技股份有限公司 , V TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：工藤修二 , KUDO, SYUJI , 柳川良勝 , YANAGAWA, YOSHIKATSU , 後藤隆之 , GOTO, TAKAYUKI
IPC分类号： C23C14/02
CPC分类号： B23K26/402 , B05C21/005 , B23K26/0869 , B23K26/382 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , C23C14/042

4. 发明专利

TWI548643B 聚二甲基矽氧烷複合結構之製造方法有权
简体标题：聚二甲基硅氧烷复合结构之制造方法
公开(公告)号：TWI548643B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW104114760
申请日：2015-05-08
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：曾繁根 , TSENG, FANGANG , 王本誠 , WANG, PENCHENG , 李東原 , LEE, TUNG YUA , 林峻霆 , LIN, CHUN TING
IPC分类号： C07F7/18 , C23C14/22 , C23C14/02
CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/024 , C23C14/5873

5. 发明专利

TW201621071A 用於玻璃基板之硒化製程設備审中-公开
简体标题：用于玻璃基板之硒化制程设备
公开(公告)号：TW201621071A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW103143080
申请日：2014-12-10
申请人：國家中山科學研究院 , NATIONAL CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：潘文珏 , PAN, WEN CHUEH , 徐滄銘 , HSU, TSANG MING , 韋士珊 , WEI, SHIH SHAN , 陳燦桐 , CHEN, TSAN TUNG , 李人傑 , LI, JEN CHIEH
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/50 , C23C14/58 , H01L31/0264 , H01L31/18
摘要：本發明係提供一種用於玻璃基板之硒化製程設備包括設置於腔體中的第一加熱單元；運載加熱模組設置於腔體且位於第一加熱單元下方，運載加熱模組藉由惰性氣體以減少其與玻璃基板之間的接觸所形成之熱痕跡(thermal mark)，並帶動玻璃基板進行運動及對玻璃基板加熱，並藉由惰性氣體之熱對流，以均勻化玻璃基板之熱分佈；硒蒸氣進氣模組與腔體相連接，以將硒蒸氣導入腔體中；以及氣體回收模組與腔體相連接，以回收硒蒸氣以及惰性氣體。另外，本發明設置一上加熱模組，可以適當之波長將大部分能量施加於薄膜上，藉以對薄膜進行快速之昇、降溫。藉此，本發明可避免玻璃基板長時間處於軟化點之上的溫度，亦可依製程之需求提高硒化溫度以降低硒化製程所需時間達到省時之功效，且回收腔體中之硒蒸氣及惰性氣體可再利用以進而降低材料成本。
简体摘要：本发明系提供一种用于玻璃基板之硒化制程设备包括设置于腔体中的第一加热单元；运载加热模块设置于腔体且位于第一加热单元下方，运载加热模块借由惰性气体以减少其与玻璃基板之间的接触所形成之热痕迹(thermal mark)，并带动玻璃基板进行运动及对玻璃基板加热，并借由惰性气体之热对流，以均匀化玻璃基板之热分布；硒蒸气进气模块与腔体相连接，以将硒蒸气导入腔体中；以及气体回收模块与腔体相连接，以回收硒蒸气以及惰性气体。另外，本发明设置一上加热模块，可以适当之波长将大部分能量施加于薄膜上，借以对薄膜进行快速之升、降温。借此，本发明可避免玻璃基板长时间处于软化点之上的温度，亦可依制程之需求提高硒化温度以降低硒化制程所需时间达到省时之功效，且回收腔体中之硒蒸气及惰性气体可再利用以进而降低材料成本。

6. 发明专利

TWI537402B 具有ＤＬＣ（類鑽碳）塗層的組件及施加ＤＬＣ塗層的方法有权
简体标题：具有ＤＬＣ（类钻碳）涂层的组件及施加ＤＬＣ涂层的方法
公开(公告)号：TWI537402B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101117560
申请日：2012-05-17
申请人： HEF公司 , H. E. F.
发明人：歐克里斯多福 , HEAU, CHRISTOPHE , 巴比倫勞倫特 , BOMBILLON, LAURENT , 莫林皮瑞爾菲力浦 , MAURIN-PERRIER, PHILIPPE
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/06 , C23C28/04
CPC分类号： C23C14/0611 , C23C14/022 , C23C14/024 , C23C14/0605 , C23C28/044 , C23C28/046 , C23C28/048 , Y10T428/30

7. 发明专利

TWI503512B 高溫高效太陽熱能吸收膜及其製造方法有权
简体标题：高温高效太阳热能吸收膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI503512B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101146472
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 廖文祺 , LIAO, WEN CHI , 吳信賢 , WU, SEAN , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG
IPC分类号： F24J2/46 , C23C14/02
CPC分类号： Y02E10/40

8. 发明专利

TW201536935A 半導體膜之製備审中-公开
简体标题：半导体膜之制备
公开(公告)号：TW201536935A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104103312
申请日：2015-01-30
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：德許穆克瑞傑迪珮克 , DESHMUKH, RANJAN DEEPAK , 扈克理貝卡 , HOOKER, REBEKAH , 米斯基威克保威爾 , MISKIEWICZ, PAWEL , 史奈德喬格 , SCHNEIDER, JOERG , 諾沃尼馬休斯 , NOWOTNY, MATHIAS
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/08 , H01L31/0445 , H01L31/0264
CPC分类号： H01L31/0322 , C01F7/30 , C01G3/02 , C01G9/02 , C01G15/00 , C01G19/006 , C01G19/02 , C01G49/06 , C01P2006/40 , C07F1/08 , C07F3/06 , C07F5/003 , C07F5/069 , C07F7/2244 , C07F15/025 , C09D5/24 , C09D11/52 , H01L21/02551 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , H01L31/1864
摘要：本發明係關於一種前驅物材料，其可經分解以形成半導體及金屬氧化物，或更通常係用於電子組件之材料。該等前驅物包括氧肟酸根配位基之金屬錯合物。本發明進一步係關於一種製備包括各種金屬(例如Cu/In/Zn/Ga/Sn)及氧、硒及/或硫之無機薄膜的方法。該等薄膜可用於光伏打面板(太陽能電池)、其他半導體或電子裝置、及其他使用此類膜之應用。該方法使用包含具有氧肟酸根配位基之前驅物錯合物的分子、金屬。在本方法中此等可與硫族化物源或氧組合。示例性地，在低溫下製備具有高純度之各種金屬氧化物及I-III-VI2類型之銅基黃銅礦。
简体摘要：本发明系关于一种前驱物材料，其可经分解以形成半导体及金属氧化物，或更通常系用于电子组件之材料。该等前驱物包括氧肟酸根配位基之金属错合物。本发明进一步系关于一种制备包括各种金属(例如Cu/In/Zn/Ga/Sn)及氧、硒及/或硫之无机薄膜的方法。该等薄膜可用于光伏打皮肤(太阳能电池)、其他半导体或电子设备、及其他使用此类膜之应用。该方法使用包含具有氧肟酸根配位基之前驱物错合物的分子、金属。在本方法中此等可与硫族化物源或氧组合。示例性地，在低温下制备具有高纯度之各种金属氧化物及I-III-VI2类型之铜基黄铜矿。

9. 发明专利

TWI468637B 均熱板及應用該均熱板的基片處理設備有权
简体标题：均热板及应用该均热板的基片处理设备
公开(公告)号：TWI468637B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW100144284
申请日：2011-12-02
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 , BEIJING NMC CO., LTD
发明人：趙夢欣 , 劉旭 , 丁培軍 , 王厚工 , 夏威 , 文莉輝
IPC分类号： F28F3/02 , H01L21/324 , C23C14/02
CPC分类号： C23C16/46 , C23C14/02 , H01L21/67103

10. 发明专利

TWI689605B 連續型熱傳導鍍膜系統有权
简体标题：连续型热传导镀膜系统
公开(公告)号：TWI689605B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW108113888
申请日：2019-04-19
申请人：友威科技股份有限公司 , UVAT TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：李原吉 , LI, YUAN-CHI , 劉品均 , LIU, PIN-CHUN , 楊峻杰 , YANG, CHUN-CHIEN , 蔡明展 , TSAI, MING-CHAN
IPC分类号： C23C14/02 , C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/56 , H01L23/373

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