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1. 发明专利

TWI488320B 表面鍍膜結構及其製造方法有权
简体标题：表面镀膜结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI488320B
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：TW101147687
申请日：2012-12-14
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG , 郭泰照 , KUO, TAI CHAO , 吳信賢 , WU, SEAN , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： H01L31/052 , H01L35/34
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

2. 发明专利

TWI456092B 耐高溫且高吸收力之金屬表面鍍膜方法有权
简体标题：耐高温且高吸收力之金属表面镀膜方法
公开(公告)号：TWI456092B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101146474
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 周鉅強 , CHOU, CHU CHIANG , 陳建至 , CHEN, JIAN ZHI , 鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 吳信賢 , WU, SEAN
IPC分类号： C25D11/16 , C25D11/08 , C25D11/34

3. 发明专利

TW201423006A 高溫高效太陽熱能吸收膜及其製造方法审中-公开
简体标题：高温高效太阳热能吸收膜及其制造方法
公开(公告)号：TW201423006A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146472
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 廖文祺 , LIAO, WEN CHI , 吳信賢 , WU, SEAN , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG
IPC分类号： F24J2/46 , C23C14/02
CPC分类号： Y02E10/40
摘要：一種高溫高效太陽熱能吸收膜及其製造方法，其製造方法包括下列步驟：A.以一金屬作為基材；B.在該基材上噴焊一碳化鎢層；C.在該碳化鎢層上執行一雷射雕刻操作，使該碳化鎢層上形成複數凹陷狀之微結構；D.在該碳化鎢層及微結構上塗佈一層類鑽碳薄膜或氮化鋁；該太陽熱能吸收膜係包括：一基材；一碳化鎢層係噴焊於該基材上；複數微結構係利用雷射雕刻方式形成於該碳化鎢層上；一塗佈層係塗佈於該碳化鎢層及微結構上，該塗佈層係為一類鑽碳薄膜或氮化鋁。藉以具有耐高溫、高吸收率及低放射率之優點。
简体摘要：一种高温高效太阳热能吸收膜及其制造方法，其制造方法包括下列步骤：A.以一金属作为基材；B.在该基材上喷焊一碳化钨层；C.在该碳化钨层上运行一激光雕刻操作，使该碳化钨层上形成复数凹陷状之微结构；D.在该碳化钨层及微结构上涂布一层类钻碳薄膜或氮化铝；该太阳热能吸收膜系包括：一基材；一碳化钨层系喷焊于该基材上；复数微结构系利用激光雕刻方式形成于该碳化钨层上；一涂布层系涂布于该碳化钨层及微结构上，该涂布层系为一类钻碳薄膜或氮化铝。借以具有耐高温、高吸收率及低放射率之优点。

4. 发明专利

TW201422849A 耐高溫且高吸收力之金屬表面鍍膜方法审中-公开
简体标题：耐高温且高吸收力之金属表面镀膜方法
公开(公告)号：TW201422849A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146474
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 周鉅強 , CHOU, CHU CHIANG , 陳建至 , CHEN, JIAN ZHI , 鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 吳信賢 , WU, SEAN
IPC分类号： C25D11/16 , C25D11/08 , C25D11/34
摘要：一種耐高溫且高吸收力之金屬表面鍍膜方法，包括下列步驟：A.提供一金屬基材，並對前述金屬基材施予一清潔之前處理；B.將前述金屬基材施予一拋光處理；C.對前述金屬基材施予陽極處理，前述陽極處理之額定電壓係控制在40伏特至60伏特，處理的額定溫度係控制在0°C至10°C，以在前述金屬基材上形成一具有微細孔洞之多孔氧化層；由於金屬基材在陽極處理時就先將額定溫度控制在低溫，以確保多孔結構的穩定成長，並且也設定較低之額定電壓來減緩溶解速率，而生產出高吸收率之成品。
简体摘要：一种耐高温且高吸收力之金属表面镀膜方法，包括下列步骤：A.提供一金属基材，并对前述金属基材施予一清洁之前处理；B.将前述金属基材施予一抛光处理；C.对前述金属基材施予阳极处理，前述阳极处理之额定电压系控制在40伏特至60伏特，处理的额定温度系控制在0°C至10°C，以在前述金属基材上形成一具有微细孔洞之多孔氧化层；由于金属基材在阳极处理时就先将额定温度控制在低温，以确保多孔结构的稳定成长，并且也设置较低之额定电压来减缓溶解速率，而生产出高吸收率之成品。

5. 发明专利

TWI503512B 高溫高效太陽熱能吸收膜及其製造方法有权
简体标题：高温高效太阳热能吸收膜及其制造方法
公开(公告)号：TWI503512B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW101146472
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 廖文祺 , LIAO, WEN CHI , 吳信賢 , WU, SEAN , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG
IPC分类号： F24J2/46 , C23C14/02
CPC分类号： Y02E10/40

6. 发明专利

TWI500897B 太陽能集熱器之薄膜成型方法有权
简体标题：太阳能集热器之薄膜成型方法
公开(公告)号：TWI500897B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW101146473
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 吳信賢 , WU, SEAN , 鐘世賓 , JHONG, SHIH BIN , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 陳剛毅 , CHEN, KANG I
IPC分类号： F24J2/48 , F24J2/04
CPC分类号： Y02E10/44

7. 发明专利

TW201424021A 表面鍍膜結構及其製造方法审中-公开
简体标题：表面镀膜结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201424021A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101147687
申请日：2012-12-14
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG , 郭泰照 , KUO, TAI CHAO , 吳信賢 , WU, SEAN , 陳剛毅 , CHEN, KANG I , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/058 , H01L35/34
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本發明係揭露一種表面鍍膜結構及其製造方法，適用於太陽熱電系統。此表面鍍膜結構包含基板、緩衝中介層、吸收層及抗反射層。基板由耐高溫、高導熱係數材質所構成，再使用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法於基板上接續沉積緩衝中介層、吸收層及抗反射層。緩衝中介層為鬆弛基板與吸收層之間熱膨脹應力；吸收層為吸收及捕陷太陽光的膜層，具有陷光效果的立體多孔狀陷光結構；抗反射層則為降低太陽光反射率，增加吸收層吸收光線比例及進一步提升陷光效果。
简体摘要：本发明系揭露一种表面镀膜结构及其制造方法，适用于太阳热电系统。此表面镀膜结构包含基板、缓冲中介层、吸收层及抗反射层。基板由耐高温、高导热系数材质所构成，再使用化学气相沉积法或物理气相沉积法于基板上接续沉积缓冲中介层、吸收层及抗反射层。缓冲中介层为松弛基板与吸收层之间热膨胀应力；吸收层为吸收及捕陷太阳光的膜层，具有陷光效果的三維多孔状陷光结构；抗反射层则为降低太阳光反射率，增加吸收层吸收光线比例及进一步提升陷光效果。

8. 发明专利

TW201423007A 太陽能集熱器之薄膜成型方法审中-公开
简体标题：太阳能集热器之薄膜成型方法
公开(公告)号：TW201423007A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101146473
申请日：2012-12-10
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：鄭金祥 , CHENG, CHING HSIANG , 吳信賢 , WU, SEAN , 鐘世賓 , JHONG, SHIH BIN , 江雨龍 , JIANG, YEU LONG , 鄭宗杰 , CHENG, TSUNG CHIEH , 陳剛毅 , CHEN, KANG I
IPC分类号： F24J2/48
CPC分类号： Y02E10/44
摘要：本發明係有關於一種太陽能集熱器之薄膜成型方法，係為了在太陽能集熱器上成型具有高吸收率及低放射率之太陽能選擇式吸收薄膜。本發明包括有下列步驟：Ａ、粗糙化金屬基板導熱層；Ｂ、成型矽薄膜吸收層；Ｃ、成型氮化鋁抗反射層。前述粗糙化金屬基板導熱層可有效將入射太陽光導入並減少反射量，粗造化之表面亦可增加與前述矽薄膜吸收層之接合力，有效減少薄膜劈裂現象，而前述氮化鋁抗反射層可以增加太陽熱能吸收率、減少放射率，且氮化鋁之熱膨脹係數與矽相接近，在高溫操作下將可有效減少前述矽薄膜吸收層及氮化鋁抗反射層之間的熱應力。
简体摘要：本发明系有关于一种太阳能集热器之薄膜成型方法，系为了在太阳能集热器上成型具有高吸收率及低放射率之太阳能选择式吸收薄膜。本发明包括有下列步骤：Ａ、粗糙化金属基板导热层；Ｂ、成型硅薄膜吸收层；Ｃ、成型氮化铝抗反射层。前述粗糙化金属基板导热层可有效将入射太阳光导入并减少反射量，粗造化之表面亦可增加与前述硅薄膜吸收层之接合力，有效减少薄膜噼裂现象，而前述氮化铝抗反射层可以增加太阳热能吸收率、减少放射率，且氮化铝之热膨胀系数与硅相接近，在高温操作下将可有效减少前述硅薄膜吸收层及氮化铝抗反射层之间的热应力。

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