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    • 6. 发明专利
    • 電子零件及其製造方法
    • 电子零件及其制造方法
    • TW201241850A
    • 2012-10-16
    • TW101104535
    • 2012-02-13
    • 松下電器產業股份有限公司
    • 岩本忠司田代智之本田一光清水俊明山根直千千松誠
    • H01G
    • H01M2/30H01G9/008H01G9/012H01G9/02H01G9/145H01M10/0431Y02T10/7022Y10T29/49224
    • 本發明之電子零件包含電化學元件、電解質及外裝體。電化學元件則包含設有第1端部與第2端部之複數引線端子、陽極體與陰極體、隔片及絕緣材。陽極體與陰極體分別連接複數引線端子個別之第1端部。隔片夾設於陽極體與陰極體之間。絕緣材設在隔片、陽極體及陰極體之至少任一者上。電化學元件包含陽極體、隔片、陰極體依序積層而形成之第1端面,並自第1端面伸出複數引線端子之第2端部。電解質則浸滲於電化學元件中。外裝體容置有電化學元件與電解質。絕緣材在至少對應複數引線端子之第1端部之位置上覆蓋隔片,且,絕緣材之一端較第1端面更突出。
    • 本发明之电子零件包含电化学组件、电解质及外装体。电化学组件则包含设有第1端部与第2端部之复数引线端子、阳极体与阴极体、隔片及绝缘材。阳极体与阴极体分别连接复数引线端子个别之第1端部。隔片夹设于阳极体与阴极体之间。绝缘材设在隔片、阳极体及阴极体之至少任一者上。电化学组件包含阳极体、隔片、阴极体依序积层而形成之第1端面,并自第1端面伸出复数引线端子之第2端部。电解质则浸渗于电化学组件中。外装体容置有电化学组件与电解质。绝缘材在至少对应复数引线端子之第1端部之位置上覆盖隔片,且,绝缘材之一端较第1端面更突出。
    • 9. 发明专利
    • 引線框條帶,半導體裝置,及製造引線框之方法 LEADFRAME STRIP, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE METHOD OF FABRICATING A LEADFRAME
    • 引线框条带,半导体设备,及制造引线框之方法 LEADFRAME STRIP, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE METHOD OF FABRICATING A LEADFRAME
    • TWI322493B
    • 2010-03-21
    • TW095135015
    • 2006-09-21
    • 德州儀器公司
    • 唐納C 亞伯
    • H01L
    • H01L23/49582H01L23/3107H01L24/45H01L24/48H01L24/73H01L24/97H01L2224/32245H01L2224/45144H01L2224/48091H01L2224/48247H01L2224/48465H01L2224/48644H01L2224/48664H01L2224/73265H01L2224/85444H01L2224/85464H01L2224/97H01L2924/01006H01L2924/01013H01L2924/01014H01L2924/01015H01L2924/01027H01L2924/01028H01L2924/01029H01L2924/01032H01L2924/01033H01L2924/01046H01L2924/0105H01L2924/01057H01L2924/01075H01L2924/01078H01L2924/01079H01L2924/01082H01L2924/01322H01L2924/10329H01L2924/14H01L2924/181Y10T29/49121Y10T29/49124Y10T29/49224H01L2924/00014H01L2224/85H01L2224/83H01L2924/00012H01L2924/00
    • 本發明係關於一種具有一引線框之半導體裝置,該引線框具有一由一基底金屬(105)製成之結構,其中該結構係由一晶片貼裝襯墊(402)及複數個引線區段(403)組成。覆蓋該基底金屬的為(順序地):一鎳層(301),其在該基底金屬上;及一連續貴金屬層,其由一在該鎳層上之金層(201)及一在該金層上之最外鈀層(202)組成。一半導體晶片(410)附裝至晶片貼裝襯墊,且導電連接(412)自該晶片跨接至該等引線區段。聚合囊封化合物(420)覆蓋該晶片、該等連接及該等引線區段之部分。在具有直側邊之QFN裝置中,該化合物形成一與未經囊封之引線框表面上之最外鈀層共平面之表面(421)。 【創作特點】 申請人認識到對於使用為高可靠度半導體裝置定製之引線框結構而達成低成本裝置製造之新概念的需要。該等低成本引線框要提供至模製化合物之附著力、用於連接線之接合力、曝露引線框區段之可焊性與錫枝晶生長無危險之組合。
      當引線框及其製造方法足夠靈活以適用於不同半導體產品系列及廣泛範圍設計及裝配變化時,且達成朝向改良製程良率及裝置可靠度之目標的改良時,存在技術優勢。當使用已裝配之設備基礎完成此等技術創新使得不需要投資新製造機器時,存在其他技術優勢。
      本發明之一實施例為一種具有一由一基底金屬製成之結構的引線框條帶,其中該結構具有複數個表面。在該等基底金屬表面上為一貴金屬層,其包括一金層,繼之為一與該金層接觸之最外鈀層。此外,在該等基底金屬表面與該貴金屬層之間可存在一鎳層,使得該鎳層係與該等基底金屬表面接觸且與該金層接觸。
      就較佳厚度而言,該金層為在約2 nm與5 nm之間,較佳為約3 nm厚,該鈀層為在約5 nm與15 nm之間,較佳為約10 nm厚,且該鎳層為約0.5 μm與2.0 μm之間厚。貴金屬層之厚度及電解電鍍之較佳製程提供低成本引線框。鈀層提供至模製化合物之優良附著力,且連同下伏金層提供優良接合力及可焊性。
      本發明之另一實施例為一種半導體裝置,其具有一引線框,該引線框具有一由一基底金屬製成之結構,其中該結構包括一晶片貼裝襯墊及複數個引線區段。覆蓋該基底金屬的為一貴金屬層,其由一與該基底金屬接觸之金層及一與該金層接觸之最外鈀層組成。或者,在該基底金屬與該貴金屬層之間可存在一鎳層,使得該鎳層係與該等基底金屬接觸且與該金層接觸。一半導體晶片附裝至晶片貼裝襯墊,且導電連接自該晶片跨接至該等引線區段。聚合囊封材料覆蓋該晶片、該等連接及該等引線區段之部分。
      本發明之另一實施例為一種用於製造一引線框之方法。提供一具有複數個表面之基底金屬結構。在該等表面中之每一者上電鍍一附著至基底金屬之金屬層堆疊。雖然電解電鍍為一較佳方法,但無電極電鍍(electroless plating)為一替代方法。此等電鍍步驟由以下步驟組成(順序地):電鍍一金層,較佳為約3 nm厚,以大體上覆蓋該基底金屬;及電鍍一鈀層,較佳為約10 nm厚,以大體上覆蓋該金層。可在該基底金屬與該金層之間電鍍一約0.5 μm與2.0 μm厚之鎳層。所有電鍍步驟可在不使用遮罩或選擇性電鍍之狀況下執行,且因此為低成本。
      屬於本發明之技術優勢為:未對電鍍步驟使用有毒材料或鬚晶材料、增強倒裝接合能力、增強至模製化合物之附著力且改良水分含量裝置之品質。此外,所需之電鍍製程不昂貴且易於製造。
    • 本发明系关于一种具有一引线框之半导体设备,该引线框具有一由一基底金属(105)制成之结构,其中该结构系由一芯片贴装衬垫(402)及复数个引线区段(403)组成。覆盖该基底金属的为(顺序地):一镍层(301),其在该基底金属上;及一连续贵金属层,其由一在该镍层上之金层(201)及一在该金层上之最外钯层(202)组成。一半导体芯片(410)附装至芯片贴装衬垫,且导电连接(412)自该芯片跨接至该等引线区段。聚合囊封化合物(420)覆盖该芯片、该等连接及该等引线区段之部分。在具有直侧边之QFN设备中,该化合物形成一与未经囊封之引线框表面上之最外钯层共平面之表面(421)。 【创作特点】 申请人认识到对于使用为高可靠度半导体设备定制之引线框结构而达成低成本设备制造之新概念的需要。该等低成本引线框要提供至模制化合物之附着力、用于连接线之接合力、曝露引线框区段之可焊性与锡枝晶生长无危险之组合。 当引线框及其制造方法足够灵活以适用于不同半导体产品系列及广泛范围设计及装配变化时,且达成朝向改良制程良率及设备可靠度之目标的改良时,存在技术优势。当使用已装配之设备基础完成此等技术创新使得不需要投资新制造机器时,存在其他技术优势。 本发明之一实施例为一种具有一由一基底金属制成之结构的引线框条带,其中该结构具有复数个表面。在该等基底金属表面上为一贵金属层,其包括一金层,继之为一与该金层接触之最外钯层。此外,在该等基底金属表面与该贵金属层之间可存在一镍层,使得该镍层系与该等基底金属表面接触且与该金层接触。 就较佳厚度而言,该金层为在约2 nm与5 nm之间,较佳为约3 nm厚,该钯层为在约5 nm与15 nm之间,较佳为约10 nm厚,且该镍层为约0.5 μm与2.0 μm之间厚。贵金属层之厚度及电解电镀之较佳制程提供低成本引线框。钯层提供至模制化合物之优良附着力,且连同下伏金层提供优良接合力及可焊性。 本发明之另一实施例为一种半导体设备,其具有一引线框,该引线框具有一由一基底金属制成之结构,其中该结构包括一芯片贴装衬垫及复数个引线区段。覆盖该基底金属的为一贵金属层,其由一与该基底金属接触之金层及一与该金层接触之最外钯层组成。或者,在该基底金属与该贵金属层之间可存在一镍层,使得该镍层系与该等基底金属接触且与该金层接触。一半导体芯片附装至芯片贴装衬垫,且导电连接自该芯片跨接至该等引线区段。聚合囊封材料覆盖该芯片、该等连接及该等引线区段之部分。 本发明之另一实施例为一种用于制造一引线框之方法。提供一具有复数个表面之基底金属结构。在该等表面中之每一者上电镀一附着至基底金属之金属层堆栈。虽然电解电镀为一较佳方法,但无电极电镀(electroless plating)为一替代方法。此等电镀步骤由以下步骤组成(顺序地):电镀一金层,较佳为约3 nm厚,以大体上覆盖该基底金属;及电镀一钯层,较佳为约10 nm厚,以大体上覆盖该金层。可在该基底金属与该金层之间电镀一约0.5 μm与2.0 μm厚之镍层。所有电镀步骤可在不使用遮罩或选择性电镀之状况下运行,且因此为低成本。 属于本发明之技术优势为:未对电镀步骤使用有毒材料或须晶材料、增强倒装接合能力、增强至模制化合物之附着力且改良水分含量设备之品质。此外,所需之电镀制程不昂贵且易于制造。