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    • 3. 发明专利
    • 接觸探針的製造方法
    • 接触探针的制造方法
    • TW201329458A
    • 2013-07-16
    • TW101131802
    • 2012-08-31
    • 住友電氣工業股份有限公司SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
    • 千葉幸文CHIBA, YUKIFUMI新田耕司NITTA, KOJI德田健之TOKUDA, TAKESHI
    • G01R1/067G01R3/00
    • G01R1/067C25D1/00C25D1/20G01R1/06716G01R1/06761G01R1/07357G01R3/00Y10T29/49002
    • 接觸探針(10)之製造方法係具備有以下工程。微影工程,其係藉由微影,對形成在導電性基板上的阻劑,形成接觸探針(10)的圖案、包圍其周圍的框狀的連結桿(20)的圖案、及將該等兩圖案相連結的連結部(30)的圖案,藉此獲得樹脂模。電鑄工程,其係藉由電鑄而在樹脂模形成由金屬材料所成之層,形成接觸探針(10)與連結桿(20)利用連結部(30)而一體化的金屬構造體(1)。去除工程,其係將樹脂模及導電性基板去除。鍍敷工程,其係在去除工程之後,藉由電鍍,在金屬構造體(1)的表面形成鍍敷層。分離工程,其係在鍍敷工程之後,將接觸探針(10)由金屬構造體(1)切離。藉此,可提供一種可在表面輕易形成均一厚度之鍍敷層之接觸探針(10)之製造方法。
    • 接触探针(10)之制造方法系具备有以下工程。微影工程,其系借由微影,对形成在导电性基板上的阻剂,形成接触探针(10)的图案、包围其周围的框状的链接杆(20)的图案、及将该等两图案相链接的链接部(30)的图案,借此获得树脂模。电铸工程,其系借由电铸而在树脂模形成由金属材料所成之层,形成接触探针(10)与链接杆(20)利用链接部(30)而一体化的金属构造体(1)。去除工程,其系将树脂模及导电性基板去除。镀敷工程,其系在去除工程之后,借由电镀,在金属构造体(1)的表面形成镀敷层。分离工程,其系在镀敷工程之后,将接触探针(10)由金属构造体(1)切离。借此,可提供一种可在表面轻易形成均一厚度之镀敷层之接触探针(10)之制造方法。
    • 4. 发明专利
    • 接觸探針銷及檢查方法
    • 接触探针销及检查方法
    • TW201237423A
    • 2012-09-16
    • TW100142322
    • 2011-11-18
    • 神戶製鋼所股份有限公司鋼臂功科研股份有限公司
    • 平野貴之古保里隆
    • G01R
    • G01R1/06738G01R1/06761H01R13/03H01R13/2492
    • 本發明係提供一種將兼具導電性與耐久性之碳膜,對著先端被分割之基材而形成之類的接觸探針銷,即使在使用環境成為高溫之類的狀況下,也能夠極力減低錫(Sn)的附著、長期間延續並保持安定的電性的接觸之接觸探針銷,及採用接觸探針銷之有用的檢查方法。本發明係一種具有被分割成2個以上突起之先端,以該突起反覆接觸被檢面之接觸探針銷,有關一種在至少前述突起之表面,形成含有金屬元素之碳膜,在前述突起之各頂部,具有對著接觸被檢面之方向略垂直方向之平坦面,並且,該平坦面之合計面積為500μm 2 以上、5000μm 2 以下之接觸探針銷。
    • 本发明系提供一种将兼具导电性与耐久性之碳膜,对着先端被分割之基材而形成之类的接触探针销,即使在使用环境成为高温之类的状况下,也能够极力减低锡(Sn)的附着、长期间延续并保持安定的电性的接触之接触探针销,及采用接触探针销之有用的检查方法。本发明系一种具有被分割成2个以上突起之先端,以该突起反复接触被检面之接触探针销,有关一种在至少前述突起之表面,形成含有金属元素之碳膜,在前述突起之各顶部,具有对着接触被检面之方向略垂直方向之平坦面,并且,该平坦面之合计面积为500μm 2 以上、5000μm 2 以下之接触探针销。
    • 5. 发明专利
    • 電性接點構件 ELECTRIC CONTACT MEMBER
    • 电性接点构件 ELECTRIC CONTACT MEMBER
    • TW201135238A
    • 2011-10-16
    • TW099133304
    • 2010-09-30
    • 神戶製鋼所股份有限公司鋼臂功科研股份有限公司
    • 平野貴之山口證宮本隆志
    • G01R
    • H01B5/00G01R1/06738G01R1/06761H01R13/03
    • 本發明是提供一種電性接點構件,可極力降低至少具有角的這種電性接點構件在使用時構成問題的這種碳皮膜的剝離,能夠長期保持穩定的電性接觸。一種電性接點構件,是在具有角的前端部與被測體反覆接觸的電性接點構件,其特徵為:包括:基材;和形成在前述前端部的基材表面上,含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的襯底層;和形成在該襯底層表面上的中間層;和形成在該中間層的表面上,含有金屬和該金屬的碳化物中的至少一個的碳皮膜,並且,前述中間層為層疊構造,其具有:含有Ni或Ni合金的內側層;和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一種的外側層。
    • 本发明是提供一种电性接点构件,可极力降低至少具有角的这种电性接点构件在使用时构成问题的这种碳皮膜的剥离,能够长期保持稳定的电性接触。一种电性接点构件,是在具有角的前端部与被测体反复接触的电性接点构件,其特征为:包括:基材;和形成在前述前端部的基材表面上,含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的衬底层;和形成在该衬底层表面上的中间层;和形成在该中间层的表面上,含有金属和该金属的碳化物中的至少一个的碳皮膜,并且,前述中间层为层叠构造,其具有:含有Ni或Ni合金的内侧层;和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一种的外侧层。
    • 6. 发明专利
    • 半導體檢查裝置用接觸探測針
    • 半导体检查设备用接触探测针
    • TW201131171A
    • 2011-09-16
    • TW099127302
    • 2010-08-16
    • 神戶製鋼所股份有限公司
    • 伊藤弘高山本兼司
    • G01R
    • G01R3/00G01R1/06761H01R13/03
    • 目的在於提供一種半導體檢查裝置用接觸探測針,其是在探測針與焊料接觸時,防止作為焊料主要成分的錫黏著在探測針的接觸部,而將抗錫黏著性優異的非晶質碳系導電性皮膜形成於基材表面而成的半導體檢查裝置用接觸探測針。一種在導電性基材表面形成非晶質碳系導電性皮膜而成的半導體檢查裝置用接觸探測針,其特徵為:上述非晶質碳系導電性皮膜具有如下外表面:在原子力顯微鏡下4���m2的掃描範圍中,表面粗糙度(Ra)為6.0nm以下,平方根斜率(R���q)為0.28以下,表面形態的凸部的前端曲率半徑的平均値(R)為180nm以上。
    • 目的在于提供一种半导体检查设备用接触探测针,其是在探测针与焊料接触时,防止作为焊料主要成分的锡黏着在探测针的接触部,而将抗锡黏着性优异的非晶质碳系导电性皮膜形成于基材表面而成的半导体检查设备用接触探测针。一种在导电性基材表面形成非晶质碳系导电性皮膜而成的半导体检查设备用接触探测针,其特征为:上述非晶质碳系导电性皮膜具有如下外表面:在原子力显微镜下4���m2的扫描范围中,表面粗糙度(Ra)为6.0nm以下,平方根斜率(R���q)为0.28以下,表面形态的凸部的前端曲率半径的平均値(R)为180nm以上。
    • 7. 发明专利
    • 接觸探針及探針單元 CONTACT PROBE AND PROBE UNIT
    • 接触探针及探针单元 CONTACT PROBE AND PROBE UNIT
    • TW201042264A
    • 2010-12-01
    • TW099111237
    • 2010-04-09
    • 日本發條股份有限公司
    • 風間俊男
    • G01R
    • G01R1/06761H01R13/2464H01R13/2485
    • 本發明之接觸探針包括:由維克氏硬度450以上之導電性材料所組成的線狀芯材(21)、由電阻率5.00×10 -8 Ω‧m以下的導電性材料所組成,並包覆芯材(21)的外周的導電性包覆材料(22)、由絕緣性材料組成,並包覆導電性包覆材料(22)的外周的絕緣被膜(23)、由縱彈性係數1.00×10 4 kgf/mm 2 以上的彈性材料所組成,並包覆絕緣被膜(23)外周的彈性包覆材料(24)、以及包覆彈性包覆材料(24)外周的鍍膜(25);且該接觸探針形成為軸對稱的形狀。
    • 本发明之接触探针包括:由维克氏硬度450以上之导电性材料所组成的线状芯材(21)、由电阻率5.00×10 -8 Ω‧m以下的导电性材料所组成,并包覆芯材(21)的外周的导电性包覆材料(22)、由绝缘性材料组成,并包覆导电性包覆材料(22)的外周的绝缘被膜(23)、由纵弹性系数1.00×10 4 kgf/mm 2 以上的弹性材料所组成,并包覆绝缘被膜(23)外周的弹性包覆材料(24)、以及包覆弹性包覆材料(24)外周的镀膜(25);且该接触探针形成为轴对称的形状。
    • 8. 发明专利
    • 測試探針 POGO PINS
    • 测试探针 POGO PINS
    • TW200949254A
    • 2009-12-01
    • TW097118543
    • 2008-05-20
    • 祐邦科技股份有限公司
    • 陳彬龍陳皇志
    • G01R
    • G01R1/06761G01R1/07314
    • 本發明揭露一種測試探針,本發明之技術手段主要為將探針針尖處的表面上,鍍上奈米鍍膜厚度為1~20奈米的導電性高分子材料,經由這種鍍膜過程,本發明之測試治具之探針奈米鍍膜,對IC元件測試而言,可有效地使探針具備不沾黏、高導電性,並具備以下效益,降低探針清潔的頻率、提升IC元件測試良率、提升機台使用率,降低整體測試成本,延長探針使用壽命,降低材料成本,而達到創造客戶附加價值,更藉由導電高分子奈米鍍膜,使得金屬材質之探針只需原本五分之一的鍍金厚度,即可達到相同導電度,更進而達到降低整體探針材料成本的目的。
    • 本发明揭露一种测试探针,本发明之技术手段主要为将探针针尖处的表面上,镀上奈米镀膜厚度为1~20奈米的导电性高分子材料,经由这种镀膜过程,本发明之测试治具之探针奈米镀膜,对IC组件测试而言,可有效地使探针具备不沾黏、高导电性,并具备以下效益,降低探针清洁的频率、提升IC组件测试良率、提升机台使用率,降低整体测试成本,延长探针使用寿命,降低材料成本,而达到创造客户附加价值,更借由导电高分子奈米镀膜,使得金属材质之探针只需原本五分之一的镀金厚度,即可达到相同导电度,更进而达到降低整体探针材料成本的目的。