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1. 发明专利

TWI524407B 晶粒接合裝置、晶粒拾取裝置及晶粒拾取方法有权
简体标题：晶粒接合设备、晶粒十取设备及晶粒十取方法
公开(公告)号：TWI524407B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102106525
申请日：2013-02-25
申请人：捷進科技有限公司 , FASFORD TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：山本啓太 , YAMAMOTO, KEITA , 岡本直樹 , OKAMOTO, NAOKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67121 , H01L21/67132 , H01L2221/68381 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1132 , Y10T156/1179 , Y10T156/1744 , Y10T156/1944 , Y10T156/1983

2. 发明专利

TW201600312A 使用多階射出器自膠帶剝離半導體晶片之系統及方法审中-公开
简体标题：使用多阶射出器自胶带剥离半导体芯片之系统及方法
公开(公告)号：TW201600312A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104119571
申请日：2015-06-17
申请人：綜合製造科技有限公司 , MANUFACTURING INTEGRATION TECHNOLOGY LTD
发明人：鄺金文 , KWONG, KIM MONE , 林國耀 , LIM, KOK YEOW , 毛志強 , MAO, ZHI QIANG
IPC分类号： B29C63/00 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L21/6838 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68354 , H01L2221/68386 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1132 , Y10T156/1179 , Y10T156/1944 , Y10T156/1983
摘要：本發明揭露一種使用多階射出器自膠帶剝離半導體晶片之系統及方法。在該多階射出器中之殼體容納複數組膠帶移除觸點。將拾取與置放單元緩慢地移動以與該晶片接觸。利用真空源來產生真空，以便吸附該膠帶。諸如內部觸點、中間觸點及外部觸點之複數個觸點組藉由利用其相應致動機構，在各種階段獨立地或一起地在該膠帶之下移動。控制器可獨立地控制每個觸點之移動，以有效地自該晶片上移除或鬆脫該膠帶。拾取與置放單元可因此容易拾取該晶片而不對晶片造成任何損壞。
简体摘要：本发明揭露一种使用多阶射出器自胶带剥离半导体芯片之系统及方法。在该多阶射出器中之壳体容纳复数组胶带移除触点。将十取与置放单元缓慢地移动以与该芯片接触。利用真空源来产生真空，以便吸附该胶带。诸如内部触点、中间触点及外部触点之复数个触点组借由利用其相应致动机构，在各种阶段独立地或一起地在该胶带之下移动。控制器可独立地控制每个触点之移动，以有效地自该芯片上移除或松脱该胶带。十取与置放单元可因此容易十取该芯片而不对芯片造成任何损坏。

3. 发明专利

TW201540149A 用於分離晶片的設備和方法审中-公开
简体标题：用于分离芯片的设备和方法
公开(公告)号：TW201540149A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104110596
申请日：2015-04-01
申请人：普羅科技有限公司 , PROTEC CO., LTD.
发明人：高允成 , KO, YOUN SUNG
IPC分类号： H05K13/02
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/67132 , H01L2221/68336 , Y10T156/1179 , Y10T156/1983
摘要：本發明提供用於分離晶片的設備和方法，其中分離附接到膠帶的半導體晶片以便將所述半導體晶片供應以及安裝在封裝或電路板上。因此，可以有效地使半導體晶片與膠帶分離同時使傳遞到半導體晶片的撞擊最小化
简体摘要：本发明提供用于分离芯片的设备和方法，其中分离附接到胶带的半导体芯片以便将所述半导体芯片供应以及安装在封装或电路板上。因此，可以有效地使半导体芯片与胶带分离同时使传递到半导体芯片的撞击最小化

4. 发明专利

TW201501232A 剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：剥离设备、剥离系统、剥离方法及电脑记忆媒体
公开(公告)号：TW201501232A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103116276
申请日：2014-05-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田勝 , HONDA, MASARU , 坂本亮一 , SAKAMOTO, RYOUITI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/30
CPC分类号： H01L21/6838 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/62 , B32B2457/14 , H01L21/67092 , Y10T156/1137 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/19 , Y10T156/1961 , Y10T156/1983
摘要：本發明之課題為：適當地進行被處理基板與支撐基板的剝離處理。為解決上述課題，本發明提供一種剝離裝置30，用以將重合晶圓T進行剝離，該重合晶圓T配置於環狀之切割框F內側，並藉由貼附於切割框F之背面與被處理晶圓W之非接合面的切割膠帶P進行固持。該剝離裝置30包含：第1固持部110，將重合晶圓T中之被處理晶圓W進行固持；第2固持部150，將重合晶圓T中之支撐晶圓S進行固持；及位置調節部200，可相對於被固持在第1固持部110的重合晶圓T而任意進退，且抵接到該重合晶圓T中之支撐晶圓S的側面，而進行重合晶圓T的位置調節。
简体摘要：本发明之课题为：适当地进行被处理基板与支撑基板的剥离处理。为解决上述课题，本发明提供一种剥离设备30，用以将重合晶圆T进行剥离，该重合晶圆T配置于环状之切割框F内侧，并借由贴附于切割框F之背面与被处理晶圆W之非接合面的切割胶带P进行固持。该剥离设备30包含：第1固持部110，将重合晶圆T中之被处理晶圆W进行固持；第2固持部150，将重合晶圆T中之支撑晶圆S进行固持；及位置调节部200，可相对于被固持在第1固持部110的重合晶圆T而任意进退，且抵接到该重合晶圆T中之支撑晶圆S的侧面，而进行重合晶圆T的位置调节。

5. 发明专利

TW201401384A 將半導體晶片從箔拆下的方法审中-公开
简体标题：将半导体芯片从箔拆下的方法
公开(公告)号：TW201401384A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW102111159
申请日：2013-03-28
申请人：貝西瑞士股份有限公司 , BESI SWITZERLAND AG
发明人：巴梅特勒恩斯特 , BARMETTLER, ERNST , 赫斯奇勒富賓恩 , HURSCHLER, FABIAN , 普利斯布萊恩 , PULIS, BRIAN
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67005 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/67132 , H01L21/67739 , Y10S156/931 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1983
摘要：一種用於將半導體晶片從箔拆下的方法，使用包括具有直線支承邊緣和L型支承邊緣的板的管芯排出器，該方法包括：將板提升至蓋板的表面上方的高度H1。降低具有L型支承邊緣的第一對板。可選地，降低具有L型支承邊緣的第二對板。提升還未被降低的板至高度H2＞H1。交錯降低還未被降低的板，至少一個或幾個板未被降低。可選地，降低還未被降低的板至高度H3＜H2。降低板直到所有的板都被降低，以及移走晶片夾具，其中在降低最後三個板之前晶片夾具觸及半導體晶片。
简体摘要：一种用于将半导体芯片从箔拆下的方法，使用包括具有直线支承边缘和L型支承边缘的板的管芯排出器，该方法包括：将板提升至盖板的表面上方的高度H1。降低具有L型支承边缘的第一对板。可选地，降低具有L型支承边缘的第二对板。提升还未被降低的板至高度H2＞H1。交错降低还未被降低的板，至少一个或几个板未被降低。可选地，降低还未被降低的板至高度H3＜H2。降低板直到所有的板都被降低，以及移走芯片夹具，其中在降低最后三个板之前芯片夹具触及半导体芯片。

6. 发明专利

TW201335981A 剝離暫時黏合之半導體晶圓审中-公开
简体标题：剥离暂时黏合之半导体晶圆
公开(公告)号：TW201335981A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101140041
申请日：2012-10-29
申请人：蘇斯微科公司 , SUSS MICROTEC INC.
发明人：喬治葛瑞格 , GEORGE, GREGORY , 羅森索克里斯多夫 , ROSENTHAL, CHRISTOPHER
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/6835 , B32B38/10 , B32B38/1858 , B32B43/006 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , H01L21/00 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/67282 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , H01L21/68728 , H01L2221/683 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2221/6839 , Y10T156/11 , Y10T156/1142 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1184 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1961 , Y10T156/1967 , Y10T156/1978
摘要：描述之方法及裝置對一器件晶圓與一載體晶圓之間之一黏著劑黏合提供一受控微擾。該受控微擾(其可為機械、化學、熱或輻射)在未損壞該器件晶圓之下促進該兩個晶圓之分離。該受控微擾在連結該兩個晶圓之黏著劑內、在該黏著劑層內之一介面處(諸如在一釋放層與該黏著劑之間)或在一晶圓/黏著劑介面處起始一裂縫。可接著使用用於起始該裂縫之前述方法之任何者，或其等之組合而傳播該裂縫。
简体摘要：描述之方法及设备对一器件晶圆与一载体晶圆之间之一黏着剂黏合提供一受控微扰。该受控微扰(其可为机械、化学、热或辐射)在未损坏该器件晶圆之下促进该两个晶圆之分离。该受控微扰在链接该两个晶圆之黏着剂内、在该黏着剂层内之一界面处(诸如在一释放层与该黏着剂之间)或在一晶圆/黏着剂界面处起始一裂缝。可接着使用用于起始该裂缝之前述方法之任何者，或其等之组合而传播该裂缝。

7. 发明专利

TWI383440B 保護膠帶剝離方法及使用此種方法的裝置有权
简体标题：保护胶带剥离方法及使用此种方法的设备
公开(公告)号：TWI383440B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW095110845
申请日：2006-03-29
申请人：日東電工股份有限公司 , NITTO DENKO CORPORATION
发明人：宮本三郎 , MIYAMOTO, SABURO , 金島安治 , KANESHIMA, YASUJI , 山本雅之 , YAMAMOTO, MASAYUKI
IPC分类号： H01L21/304 , B32B7/00
CPC分类号： B29C63/0013 , H01L21/67132 , H01L2221/6839 , Y10T156/1105 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/19 , Y10T156/1906 , Y10T156/1978

8. 发明专利

TW201239978A 自薄膜移除至少一晶片型半導體零件之裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING AT LEAST ONE CHIP-TYPE SEMICONDUCTOR COMPONENT FROM A FILM 审中-公开
简体标题：自薄膜移除至少一芯片型半导体零件之设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR REMOVING AT LEAST ONE CHIP-TYPE SEMICONDUCTOR COMPONENT FROM A FILM
公开(公告)号：TW201239978A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW101104657
申请日：2012-02-14
申请人：賽米控電子公司
发明人：史塔特亞明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67144 , Y10T156/1105 , Y10T156/1132 , Y10T156/1179 , Y10T156/1906 , Y10T156/1944 , Y10T156/1983
摘要：本申請案係有關於一種用以從黏著薄膜移除至少一晶片型半導體零件之裝置及一種操作該裝置之方法,此方法包括下列步驟:相對於薄膜配置抬起裝置,其中抬起裝置之接觸區域壓靠在薄膜之第二主表面上,第二主表面相對於在第一主表面上所配置且要被抬起之晶片型半導體零件;藉由分配真空調整裝置將用於所有吸引切口之固定真空値或用於不同吸引切口或數組吸引切口之不同真空値施加至抬起裝置之數個吸引切口;藉由以在抬起裝置之分配切口中所配置之抬起手段抬起薄膜,使在接觸區域中之該薄膜部分變形;藉由移除裝置從薄膜移除該至少一半導體零件。
简体摘要：本申请案系有关于一种用以从黏着薄膜移除至少一芯片型半导体零件之设备及一种操作该设备之方法,此方法包括下列步骤:相对于薄膜配置抬起设备,其中抬起设备之接触区域压靠在薄膜之第二主表面上,第二主表面相对于在第一主表面上所配置且要被抬起之芯片型半导体零件;借由分配真空调整设备将用于所有吸引切口之固定真空値或用于不同吸引切口或数组吸引切口之不同真空値施加至抬起设备之数个吸引切口;借由以在抬起设备之分配切口中所配置之抬起手段抬起薄膜,使在接触区域中之该薄膜部分变形;借由移除设备从薄膜移除该至少一半导体零件。

9. 发明专利

TW200741842A 晶圓處理裝置 WAFER PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：晶圆处理设备 WAFER PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200741842A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096101852
申请日：2007-01-18
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：雨谷稔 AMETANI, MINORU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T156/1179 , Y10T156/19 , Y10T156/1906
摘要：本發明提供一種用於處理一晶圓(20)之晶圓處理裝置(10),該晶圓(20)係於其上形成有至少一電路圖案之前表面(21)上附著有一表面保護膜(110),該晶圓處理裝置(10)包括:一切割帶施用單元(30),其用於將一切割帶(3)附著於一框架(36)及該晶圓上;一剩餘切割帶捲取單元(40),其用於捲取附著於該框架及該晶圓上之該切割帶的剩餘部分;及一表面保護膜剝落單元(50),其用於使用一剝落帶(4)而將該表面保護膜自該晶圓剝落。該切割帶施用單元、該剩餘切割帶捲取單元及該表面保護膜剝落單元中之至少一者以其次序可滑動地配置於共同軌道(91、92)上。因此,可容易地裝載帶及進行對每一單元之維護工作。
简体摘要：本发明提供一种用于处理一晶圆(20)之晶圆处理设备(10),该晶圆(20)系于其上形成有至少一电路图案之前表面(21)上附着有一表面保护膜(110),该晶圆处理设备(10)包括:一切割带施用单元(30),其用于将一切割带(3)附着于一框架(36)及该晶圆上;一剩余切割带卷取单元(40),其用于卷取附着于该框架及该晶圆上之该切割带的剩余部分;及一表面保护膜剥落单元(50),其用于使用一剥落带(4)而将该表面保护膜自该晶圆剥落。该切割带施用单元、该剩余切割带卷取单元及该表面保护膜剥落单元中之至少一者以其次序可滑动地配置于共同轨道(91、92)上。因此,可容易地装载带及进行对每一单元之维护工作。

10. 发明专利

TW200504809A 高量轉換晶粒為基體之方法和系統 METHOD AND SYSTEM FOR HIGH VOLUME TRANSFER OF DIES TO SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：高量转换晶粒为基体之方法和系统 METHOD AND SYSTEM FOR HIGH VOLUME TRANSFER OF DIES TO SUBSTRATES
公开(公告)号：TW200504809A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093117078
申请日：2004-06-14
申请人：馬翠斯股份有限公司 MATRICS, INC.
发明人：麥克阿尼森 ARNESON, MICHAEL R. , 威廉班弟 BANDY, WILLIAM R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/95 , G06K7/0095 , G06K19/041 , G06K19/045 , G06K19/077 , G06K19/07718 , G11B7/26 , G11B23/0021 , G11B23/0042 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/68 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2221/68322 , H01L2221/68354 , H01L2223/54473 , H01L2224/16 , H01L2224/75 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , Y10S438/976 , Y10T29/49018 , Y10T29/49117 , Y10T29/49124 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , Y10T29/49798 , Y10T29/49833 , Y10T29/53178 , Y10T29/53187 , Y10T29/5327 , Y10T29/53422 , Y10T156/1075 , Y10T156/1142 , Y10T156/1179 , Y10T156/1906 , Y10T156/1978 , Y10T156/1983 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：說明一種轉移晶粒自晶圓至基體之方法，系統，及裝備。大量之晶粒可自晶圓直接轉移至基體膜片之對應基體上。在另一方面，大量晶粒可自支持表面轉移至基體膜片之對應基體上。在另一方面，大量晶粒可自晶圓或支持表面轉移至中間表面，諸如晶粒板。晶粒板可具有小窟構製於其中，其中駐留晶粒。在其他情形，晶粒可駐留於晶粒板之表面上。晶粒板之晶粒然後可轉移至基體膜片之對應基體上。鑿出板，鑿出滾子，或可擴張材料可用以轉移晶粒自晶粒板至基體。
简体摘要：说明一种转移晶粒自晶圆至基体之方法，系统，及装备。大量之晶粒可自晶圆直接转移至基体膜片之对应基体上。在另一方面，大量晶粒可自支持表面转移至基体膜片之对应基体上。在另一方面，大量晶粒可自晶圆或支持表面转移至中间表面，诸如晶粒板。晶粒板可具有小窟构制于其中，其中驻留晶粒。在其他情形，晶粒可驻留于晶粒板之表面上。晶粒板之晶粒然后可转移至基体膜片之对应基体上。凿出板，凿出滚子，或可扩张材料可用以转移晶粒自晶粒板至基体。

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