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1. 发明专利

TW201812972A 倒裝元件處理器审中-公开
简体标题：倒装组件处理器
公开(公告)号：TW201812972A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129032
申请日：2017-08-25
申请人：宰體有限公司 , JT CORPORATION
发明人：柳弘俊 , YOO, HONG-JUN
IPC分类号： H01L21/677 , H01L27/146
CPC分类号： B65G47/90 , B65G49/06 , H01L21/67 , H01L21/677
摘要：本發明涉及一種倒裝元件處理器，詳言之，涉及從裝載多個元件的晶圓環等裝載部件拾取元件，並進行倒裝後再卸載的倒裝元件處理器。本發明揭露一種倒裝元件處理器，包括：裝載部件工作盤(200)，從裝載附著多個元件(1)的裝載部件(60)的裝載部件載體部(100)獲取裝載部件(60)，以水平方向移動裝載部件(60)；卸載部(300)，其從裝載部件工作盤(200)水平隔開佈置，並設有一個以上，從裝載部件(60)接到元件(1)並裝載的卸載部件(70)；第一傳送工具(400)，在裝載部件工作盤(200)從裝載部件(60)的拾取位置(P1)拾取元件(1)並進行倒裝，之後移動到傳遞位置(P2)；第二傳送工具(500)，在傳遞位置(P2)，從第一傳送工具(400)接收元件(1)，在卸載位置(P3)向卸載部件(70)卸下元件(1)。
简体摘要：本发明涉及一种倒装组件处理器，详言之，涉及从装载多个组件的晶圆环等装载部件十取组件，并进行倒装后再卸载的倒装组件处理器。本发明揭露一种倒装组件处理器，包括：装载部件工作盘(200)，从装载附着多个组件(1)的装载部件(60)的装载部件载体部(100)获取装载部件(60)，以水平方向移动装载部件(60)；卸载部(300)，其从装载部件工作盘(200)水平隔开布置，并设有一个以上，从装载部件(60)接到组件(1)并装载的卸载部件(70)；第一发送工具(400)，在装载部件工作盘(200)从装载部件(60)的十取位置(P1)十取组件(1)并进行倒装，之后移动到传递位置(P2)；第二发送工具(500)，在传递位置(P2)，从第一发送工具(400)接收组件(1)，在卸载位置(P3)向卸载部件(70)卸下组件(1)。

2. 发明专利

TW201812950A 去氣腔室和半導體處理裝置审中-公开
简体标题：去气腔室和半导体处理设备
公开(公告)号：TW201812950A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106102754
申请日：2017-01-25
申请人：大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司
发明人：賈強 , 丁培軍 , 趙夢欣 , 王厚工
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/22 , H01L21/67
摘要：本發明提供一種去氣腔室和半導體處理裝置。該去氣腔室包括腔體和片盒，腔體的側壁上開設有傳片口；片盒在腔體內可沿豎直方向移動，還包括設置在腔體內的加熱組件，加熱組件包括第一光源件和第二光源件，腔體以傳片口為界分為第一腔體和第二腔體；第一光源件位於第一腔體內，第二光源件位於第二腔體內；第一光源件和第二光源件用於對片盒內的晶片進行加熱。該去氣腔室使片盒內的晶片無論是在傳片口的上方區域，還是在傳片口的下方區域，均可以得到光源的加熱，從而確保了晶片在去氣製程和取放片程序中的製程溫度均衡。
简体摘要：本发明提供一种去气腔室和半导体处理设备。该去气腔室包括腔体和片盒，腔体的侧壁上开设有传片口；片盒在腔体内可沿竖直方向移动，还包括设置在腔体内的加热组件，加热组件包括第一光源件和第二光源件，腔体以传片口为界分为第一腔体和第二腔体；第一光源件位于第一腔体内，第二光源件位于第二腔体内；第一光源件和第二光源件用于对片盒内的芯片进行加热。该去气腔室使片盒内的芯片无论是在传片口的上方区域，还是在传片口的下方区域，均可以得到光源的加热，从而确保了芯片在去气制程和取放片进程中的制程温度均衡。

3. 发明专利

TW201735217A 倒裝晶片鍵合裝置及鍵合方法审中-公开
简体标题：倒装芯片键合设备及键合方法
公开(公告)号：TW201735217A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106106664
申请日：2017-03-01
申请人：上海微電子裝備(集團)股份有限公司
发明人：陳飛彪 , CHEN, FEI-BIAO , 戈亞萍 , GE, YA-PING , 郭聳 , GUO, SONG , 齊景超 , QI, JING-CHAO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/52
CPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要：本發明提供了一種倒裝晶片鍵合裝置及鍵合方法，鍵合裝置包括供應單元，從載片中分離倒裝晶片及提供倒裝晶片，其包括翻轉裝置；轉接單元，從翻轉裝置接合倒裝晶片；位置調整單元，調整轉接單元上倒裝晶片的位置；鍵合單元，將轉接單元上的倒裝晶片鍵合到基底上；傳輸單元，傳輸轉接單元；控制單元，控制上述各單元的運動；轉接單元能夠接合多個倒裝晶片，由此一次能夠完成多個倒裝晶片的鍵合，節省了鍵合時間，提高了鍵合產率；並且在轉接單元傳輸的過程中經過位置調整單元，由位置調整單元對轉接單元上的倒裝晶片的位置進行調整，從而保證後續鍵合過程中倒裝晶片位置的精度，從而實現高精度的鍵合。
简体摘要：本发明提供了一种倒装芯片键合设备及键合方法，键合设备包括供应单元，从载片中分离倒装芯片及提供倒装芯片，其包括翻转设备；转接单元，从翻转设备接合倒装芯片；位置调整单元，调整转接单元上倒装芯片的位置；键合单元，将转接单元上的倒装芯片键合到基底上；传输单元，传输转接单元；控制单元，控制上述各单元的运动；转接单元能够接合多个倒装芯片，由此一次能够完成多个倒装芯片的键合，节省了键合时间，提高了键合产率；并且在转接单元传输的过程中经过位置调整单元，由位置调整单元对转接单元上的倒装芯片的位置进行调整，从而保证后续键合过程中倒装芯片位置的精度，从而实现高精度的键合。

4. 发明专利

TW201731061A 標記位置校正裝置與方法审中-公开
简体标题：标记位置校正设备与方法
公开(公告)号：TW201731061A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105113793
申请日：2016-05-04
申请人： EO科技股份有限公司 , EO TECHNICS CO., LTD.
发明人：崔相喆 , CHOI, SANG CHUL , 崔榮埈 , CHOI, YOUNG JUN , 金秀永 , KIM, SOO YOUNG
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/68
CPC分类号： H01L21/268 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L23/544
摘要：本發明揭露一種標記位置校正裝置及方法，於對晶圓上所具備的半導體晶片執行標記作業前，利用形成於透明基板的一面上的屏幕測定及校正標記的位置，藉此可在標記期間標記至每個半導體晶片上的準確的位置。並且，檢測到雷射束的位置與藉由雷射束而形成於屏幕上的標記地點的位置會因透明基板的折射率而彼此不同，但根據本發明概念，由於補償透明基板的折射率而運算標記地點的位置，因此可準確地校正標記位置。根據實施例的校正晶圓的標記位置的裝置包含：位置校正用構件，其包含透明基板及設置於透明基板上的屏幕；雷射頭，其對屏幕照射雷射束而形成標記地點；視覺相機，其獲得雷射束透過屏幕及透明基板而形成的檢測地點的位置資訊；運算部，其利用藉由視覺相機而獲得的檢測地點的位置資訊計算標記地點的位置資訊；及控制部，其對標記地點的位置資訊與設定於雷射頭上的標記位置資訊進行比較而使標記地點與標記位置一致。
简体摘要：本发明揭露一种标记位置校正设备及方法，于对晶圆上所具备的半导体芯片运行标记作业前，利用形成于透明基板的一面上的屏幕测定及校正标记的位置，借此可在标记期间标记至每个半导体芯片上的准确的位置。并且，检测到激光束的位置与借由激光束而形成于屏幕上的标记地点的位置会因透明基板的折射率而彼此不同，但根据本发明概念，由于补偿透明基板的折射率而运算标记地点的位置，因此可准确地校正标记位置。根据实施例的校正晶圆的标记位置的设备包含：位置校正用构件，其包含透明基板及设置于透明基板上的屏幕；激光头，其对屏幕照射激光束而形成标记地点；视觉相机，其获得激光束透过屏幕及透明基板而形成的检测地点的位置信息；运算部，其利用借由视觉相机而获得的检测地点的位置信息计算标记地点的位置信息；及控制部，其对标记地点的位置信息与设置于激光头上的标记位置信息进行比较而使标记地点与标记位置一致。

5. 发明专利

TWI594023B 極化結構、製造極化結構之方法以及包含極化結構之顯示裝置有权
简体标题：极化结构、制造极化结构之方法以及包含极化结构之显示设备
公开(公告)号：TWI594023B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102106473
申请日：2013-02-25
申请人：三星顯示器有限公司 , SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.
发明人：李鐘洙 , LEE, JONG-SOO , 梁承要 , YANG, SEUNG-YO , 李尚玟 , YI, SANG-MIN
IPC分类号： G02B5/30 , H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： G02B5/3083 , F21V9/14 , H01L21/67

6. 发明专利

TW201718929A 時間多工化化學傳輸系統审中-公开
简体标题：时间多任务化化学传输系统
公开(公告)号：TW201718929A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105123507
申请日：2016-07-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：朱爾瑞約翰 , DREWERY, JOHN
IPC分类号： C23C16/455 , F17D3/01
CPC分类号： H01L21/00 , G05D7/0641 , H01L21/67 , Y10T137/87249
摘要：一種氣體傳輸系統在複數特定時間處傳輸複數不同的製程氣體組成予一共用供給線。複數儲槽係流體連接至該共用供給線，每一該儲槽具有其自己的進料控制閥以控制該儲槽至該共用供給線的連接。該複數儲槽的每一者具有對應之經連接的質量流量控制器與傳輸控制閥以控制在複數特定時間處自該儲槽內流至一製程模組之製程氣體的氣流。該共用供給線以時間分割的方式操作以利用複數不同的製程氣體組成填充該複數儲槽。該該複數儲槽的該複數質量流量控制器與該複數傳輸控制閥根據預定的調度操作以時間精準地將一或多種製程氣體組成傳輸至該製程模組。該複數儲槽係依需要受到填充以滿足該預定調度。
简体摘要：一种气体传输系统在复数特定时间处传输复数不同的制程气体组成予一共享供给线。复数储槽系流体连接至该共享供给线，每一该储槽具有其自己的进料控制阀以控制该储槽至该共享供给线的连接。该复数储槽的每一者具有对应之经连接的质量流量控制器与传输控制阀以控制在复数特定时间处自该储槽内流至一制程模块之制程气体的气流。该共享供给线以时间分割的方式操作以利用复数不同的制程气体组成填充该复数储槽。该该复数储槽的该复数质量流量控制器与该复数传输控制阀根据预定的调度操作以时间精准地将一或多种制程气体组成传输至该制程模块。该复数储槽系依需要受到填充以满足该预定调度。

7. 发明专利

TWI582883B 反應腔室的上蓋開啓機構及反應腔室有权
简体标题：反应腔室的上盖开启机构及反应腔室
公开(公告)号：TWI582883B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW103146506
申请日：2014-12-31
申请人：北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
发明人：張鵬
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： F16J13/16 , H01L21/67

8. 发明专利

TWI569338B 將半導體晶片從箔拆下的方法有权
简体标题：将半导体芯片从箔拆下的方法
公开(公告)号：TWI569338B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102111159
申请日：2013-03-28
申请人：貝西瑞士股份有限公司 , BESI SWITZERLAND AG
发明人：巴梅特勒恩斯特 , BARMETTLER, ERNST , 赫斯奇勒富賓恩 , HURSCHLER, FABIAN , 普利斯布萊恩 , PULIS, BRIAN
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L21/67005 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/67132 , H01L21/67739 , Y10S156/931 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1168 , Y10T156/1179 , Y10T156/1983

9. 发明专利

TW201628056A 晶片接合系統及方法审中-公开
简体标题：芯片接合系统及方法
公开(公告)号：TW201628056A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104144715
申请日：2015-12-31
申请人：上海微電子裝備有限公司
发明人：陳勇輝 , 唐世弋 , 李會麗
IPC分类号： H01L21/02 , H01L23/538
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/67
摘要：一種晶片接合系統及方法，使用用於提供晶片的第一運動台，將晶片位置重新排列並承載著轉接板的第二運動台，以及承載與晶片接合的基底的第三運動台，使用兩個運動機構在三個運動台之間進行抓取晶片、放置晶片，當運動機構從第一運動台上抓取晶片放置在第二運動台時，可以按照晶片最終與基底接合時的形態而將晶片放置在第二運動台上，也就是將晶片按照與基底接合的形態進行重新排列，這樣將轉接板一次性翻轉後，將已重新排列後的晶片與基底接合時，無需再次排列，這樣整個晶片接合系統中，實現翻轉的機構只需實現一次翻轉，就可以將所有晶片按照技藝要求與基底一次性接合，這樣提高生產效率，節省時間，滿足量產化需求。
简体摘要：一种芯片接合系统及方法，使用用于提供芯片的第一运动台，将芯片位置重新排列并承载着转接板的第二运动台，以及承载与芯片接合的基底的第三运动台，使用两个运动机构在三个运动台之间进行抓取芯片、放置芯片，当运动机构从第一运动台上抓取芯片放置在第二运动台时，可以按照芯片最终与基底接合时的形态而将芯片放置在第二运动台上，也就是将芯片按照与基底接合的形态进行重新排列，这样将转接板一次性翻转后，将已重新排列后的芯片与基底接合时，无需再次排列，这样整个芯片接合系统中，实现翻转的机构只需实现一次翻转，就可以将所有芯片按照技艺要求与基底一次性接合，这样提高生产效率，节省时间，满足量产化需求。

10. 发明专利

TW201611159A 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201611159A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104123434
申请日：2015-07-20
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：山本隆治 , YAMAMOTO, RYUJI , 鎌倉司 , KAMAKURA, TSUKASA , 廣瀨義朗 , HIROSE, YOSHIRO , 島本聰 , SHIMAMOTO, SATOSHI
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/02334 , C23C16/4405 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02178 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02194 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/67
摘要：本發明係抑制於實施過成膜處理之處理室內之微粒之產生。本發明中進行如下步驟：向處理室內搬入基板之步驟；於處理室內，由具備加熱器之支撐台支撐基板之步驟；將支撐有基板之支撐台配置於第1位置，於將加熱器設為開啟之狀態下，向處理室內供給處理氣體而於基板上形成膜之步驟；將膜形成後之基板自處理室內搬出之步驟；及將支撐台配置於較第1位置更接近處理室內之頂壁部之第2位置，於將加熱器設為開啟之狀態下，向處理室內供給反應性氣體之步驟。
简体摘要：本发明系抑制于实施过成膜处理之处理室内之微粒之产生。本发明中进行如下步骤：向处理室内搬入基板之步骤；于处理室内，由具备加热器之支撑台支撑基板之步骤；将支撑有基板之支撑台配置于第1位置，于将加热器设为打开之状态下，向处理室内供给处理气体而于基板上形成膜之步骤；将膜形成后之基板自处理室内搬出之步骤；及将支撑台配置于较第1位置更接近处理室内之顶壁部之第2位置，于将加热器设为打开之状态下，向处理室内供给反应性气体之步骤。

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