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1. 发明专利

TW443019B 脊狀波導半導體雷射之自我對準製造方法及其結構失效
简体标题：嵴状波导半导体激光之自我对准制造方法及其结构
公开(公告)号：TW443019B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW089102796
申请日：2000-02-18
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：袁榮亨
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/06226 , H01S5/2224 , H01S5/2231
摘要：本發明揭露一種脊狀波導半導體雷射之自我對準製造方法及其結構，其包含的背脊頂表面完全露出與金屬電極層接觸，降低了歐姆接觸電阻，背脊的兩側壁表面與雙通道表面覆蓋一高導熱之介電層，外緣的平台表面則覆蓋另一低介電值之介電層，使製得的雷射二極體具有高散熱與低電容的元件特性;製程中無須藉由對準形成開孔而能達成背脊與金屬電極具有良好的歐姆接觸，而且關鍵步驟運用了終點偵測功能作精確的控制，以利用活性離子蝕刻機進行大面積勻均性的蝕刻，使得雷射元件的製作成本降低且良率提昇，同時製程也變得很有效率。
简体摘要：本发明揭露一种嵴状波导半导体激光之自我对准制造方法及其结构，其包含的背嵴顶表面完全露出与金属电极层接触，降低了欧姆接触电阻，背嵴的两侧壁表面与双信道表面覆盖一高导热之介电层，外缘的平台表面则覆盖另一低介电值之介电层，使制得的激光二极管具有高散热与低电容的组件特性;制程中无须借由对准形成开孔而能达成背嵴与金属电极具有良好的欧姆接触，而且关键步骤运用了终点侦测功能作精确的控制，以利用活性离子蚀刻机进行大面积匀均性的蚀刻，使得激光组件的制作成本降低且良率提升，同时制程也变得很有效率。

2. 发明专利

TW507406B 半導體雷射裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体激光设备及其制造方法
公开(公告)号：TW507406B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090114285
申请日：2001-06-13
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：宮下宗治 , 佐佐木素子 , 小野健一
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/2202 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/2231 , H01S5/32325
摘要： [課題]本發明係提供一種啟始電流(threshold current)低、電流-光輸出(current-optical output)特性的溫度特性的劣化少、光束(beam)的特性好的半導體雷射裝置。[解決手段]將具有帶狀的開口24的n-A1InP的電流阻擋層22配置在第1上包覆層(upper clad layer)20上，然後以 p-A10.5Ga0.5As的緩衝層26來覆蓋對向該開口24的第1上包覆層20和電流阻擋層22，因為在該緩衝層26上配設有由 p-(A10.7Ga0.3)0.5In0.5P所構成的的第2上包覆層28，而對成長左面對開口24的電流阻擋層22的表面上的結晶層中的格子缺陷(lattice defect)的發生有抑制的效果。
简体摘要： [课题]本发明系提供一种启始电流(threshold current)低、电流-光输出(current-optical output)特性的温度特性的劣化少、光束(beam)的特性好的半导体激光设备。[解决手段]将具有带状的开口24的n-A1InP的电流阻挡层22配置在第1上包覆层(upper clad layer)20上，然后以 p-A10.5Ga0.5As的缓冲层26来覆盖对向该开口24的第1上包覆层20和电流阻挡层22，因为在该缓冲层26上配设有由 p-(A10.7Ga0.3)0.5In0.5P所构成的的第2上包覆层28，而对成长左面对开口24的电流阻挡层22的表面上的结晶层中的格子缺陷(lattice defect)的发生有抑制的效果。

3. 发明专利

TWI359543B 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TWI359543B
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW097108667
申请日：2008-03-12
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：岡貴郁 , 阿部真司
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要：【課題】在穩定地防止波導脊之半導體層與電極層之接觸
面積減少，且防止該半導體層中的蝕刻損傷。
【解決手段】本發明係在半導體疊層構造之表面上形成阻
劑圖案76，藉由乾式蝕刻形成波導脊40，在將阻劑圖案76殘留在波導脊40之表面上的情形下直接在n－GaN基板12上形成SiO2膜78，接著將波導脊40頂部上的SiO2膜78露出，而形成具有與p－GaN層74之下面相同程度之高度的表面而埋設通道38之SiO2膜78的阻劑圖案82，以阻劑圖案82為遮罩而去除SiO2膜78，在SiO2膜78形成開口部44a，藉由使用有機溶媒的濕式蝕刻來去除阻劑圖案76與阻劑圖案82，而形成p側電極46。
简体摘要：【课题】在稳定地防止波导嵴之半导体层与电极层之接触面积减少，且防止该半导体层中的蚀刻损伤。【解决手段】本发明系在半导体叠层构造之表面上形成阻剂图案76，借由干式蚀刻形成波导嵴40，在将阻剂图案76残留在波导嵴40之表面上的情形下直接在n－GaN基板12上形成SiO2膜78，接着将波导嵴40顶部上的SiO2膜78露出，而形成具有与p－GaN层74之下面相同程度之高度的表面而埋设信道38之SiO2膜78的阻剂图案82，以阻剂图案82为遮罩而去除SiO2膜78，在SiO2膜78形成开口部44a，借由使用有机溶媒的湿式蚀刻来去除阻剂图案76与阻剂图案82，而形成p侧电极46。

4. 发明专利

TW200903936A 半導體光元件之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE 失效
简体标题：半导体光组件之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR OPTICAL DEVICE
公开(公告)号：TW200903936A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097108667
申请日：2008-03-12
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：岡貴郁 TAKAFUMI OKA , 阿部真司 SHINJI ABE
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2086 , H01S5/2202 , H01S5/2214 , H01S5/34333
摘要： [課題]在穩定地防止波導脊之半導體層與電極層之接觸面積減少,且防止該半導體層中的蝕刻損傷。[解決手段]本發明係在半導體疊層構造之表面上形成阻劑圖案76,藉由乾式蝕刻形成波導脊40,在將阻劑圖案76殘留在波導脊40之表面上的情形下直接在n-GaN基板12上形成SiO2膜78,接著將波導脊40頂部上的SiO2膜78露出,而形成具有與p-GaN層74之下面相同程度之高度的表面而埋設通道38之SiO2膜78的阻劑圖案82,以阻劑圖案82為遮罩而去除SiO2膜78,在SiO2膜78形成開口部44a,藉由使用有機溶媒的濕式蝕刻來去除阻劑圖案76與阻劑圖案82,而形成p側電極46。
简体摘要： [课题]在稳定地防止波导嵴之半导体层与电极层之接触面积减少,且防止该半导体层中的蚀刻损伤。[解决手段]本发明系在半导体叠层构造之表面上形成阻剂图案76,借由干式蚀刻形成波导嵴40,在将阻剂图案76残留在波导嵴40之表面上的情形下直接在n-GaN基板12上形成SiO2膜78,接着将波导嵴40顶部上的SiO2膜78露出,而形成具有与p-GaN层74之下面相同程度之高度的表面而埋设信道38之SiO2膜78的阻剂图案82,以阻剂图案82为遮罩而去除SiO2膜78,在SiO2膜78形成开口部44a,借由使用有机溶媒的湿式蚀刻来去除阻剂图案76与阻剂图案82,而形成p侧电极46。

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