专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201711236A 壓電元件之製造方法审中-公开
简体标题：压电组件之制造方法
公开(公告)号：TW201711236A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105128805
申请日：2016-09-06
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：中山雅夫 , NAKAYAMA, MASAO , 平井栄樹 , HIRAI, EIJU , 清水稔弘 , SHIMIZU, TOSHIHIRO , 高部本規 , TAKABE, MOTOKI , 大澤栄治 , OSAWA, EIJI
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/08
CPC分类号： C23C14/185 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , C22F1/14 , C22F1/183 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/29
摘要：本發明提供一種抑制漏電流及電極之剝離而可靠性提高之壓電元件之製造方法。本發明係壓電元件300之製造方法，該壓電元件300具備第1電極60、壓電體層70、以及包含第1鉑層81a及第2鉑層81b之第2電極80，該製造方法係於設置於第1電極60上之壓電體層70上，藉由濺鍍法形成具有壓縮應力之第1鉑層81a，並以低於形成第1鉑層81a時之濺鍍功率，藉由濺鍍法於第1鉑層81a上形成具有拉伸應力之第2鉑層81b。
简体摘要：本发明提供一种抑制漏电流及电极之剥离而可靠性提高之压电组件之制造方法。本发明系压电组件300之制造方法，该压电组件300具备第1电极60、压电体层70、以及包含第1铂层81a及第2铂层81b之第2电极80，该制造方法系于设置于第1电极60上之压电体层70上，借由溅镀法形成具有压缩应力之第1铂层81a，并以低于形成第1铂层81a时之溅镀功率，借由溅镀法于第1铂层81a上形成具有拉伸应力之第2铂层81b。

4. 发明专利

TWI543196B 耐高溫且可導電之薄層有权
简体标题：耐高温且可导电之薄层
公开(公告)号：TWI543196B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW100109280
申请日：2011-03-18
申请人：衛克通國際有限公司 , VECTRON INTERNATIONAL GMBH
发明人：巴東又亨 , BARDONG, JOCHEN , 布魯克納古倫 , BRUCKNER, GUDRUN , 法赫貝爾格蕊娜 , FACHBERGER, RENE , 瓦爾伯特 , WALL, BERT
IPC分类号： H01B1/16 , H01B5/16 , B32B5/14 , H03H9/25 , C23C16/06
CPC分类号： H01B1/16 , C23C14/024 , C23C14/5806 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H03H9/14538

6. 发明专利

TW201504190A 壓電材料、壓電元件、及電子裝置审中-公开
简体标题：压电材料、压电组件、及电子设备
公开(公告)号：TW201504190A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103122849
申请日：2014-07-02
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 松田堅義 , MATSUDA, TAKANORI , 大志万香菜子 , OSHIMA, KANAKO , 林潤平 , HAYASHI, JUMPEI , 渡邉隆之 , WATANABE, TAKAYUKI , 田中秀典 , TANAKA, HIDENORI , 齋藤宏 , SAITO, HIROSHI
IPC分类号： C04B35/465 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/183 , B06B1/0644 , B41J2/14209 , B41J2/14233 , B41J2002/14217 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要：本發明涉及壓電材料、壓電元件和電子設備。提供一種在裝置驅動溫度範圍(-30℃至50℃)內具有令人滿意的壓電常數和機械品質因子的無鉛壓電材料。所述壓電材料包括含有式1所示鈣鈦礦型金屬氧化物的主成分，由Mn組成的第一副成分，和由Bi或Bi和Li組成的第二副成分。基於100重量份金屬氧化物，以金屬計，Mn的含量為0.040重量份或更多至0.500重量份或更少。基於100重量份金屬氧化物，以金屬計，Bi的含量為0.042重量份或更多至0.850重量份或更少，和Li的含量為0.028重量份或更少(包括0重量份)，(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3...(1)，其中，0.030x
简体摘要：本发明涉及压电材料、压电组件和电子设备。提供一种在设备驱动温度范围(-30℃至50℃)内具有令人满意的压电常数和机械品质因子的无铅压电材料。所述压电材料包括含有式1所示钙钛矿型金属氧化物的主成分，由Mn组成的第一副成分，和由Bi或Bi和Li组成的第二副成分。基于100重量份金属氧化物，以金属计，Mn的含量为0.040重量份或更多至0.500重量份或更少。基于100重量份金属氧化物，以金属计，Bi的含量为0.042重量份或更多至0.850重量份或更少，和Li的含量为0.028重量份或更少(包括0重量份)，(Ba1-xCax)a(Ti1-yZry)O3...(1)，其中，0.030x<0.090，0.030y0.080，和0.9860a1.0200。

7. 发明专利

TW201414027A 蝕刻溶液，用於製造壓電元件的方法以及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻溶液，用于制造压电组件的方法以及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201414027A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134199
申请日：2013-09-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：藤井満 , FUJII, TAKAMICHI , 向山明博 , MUKAIYAMA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/332 , C09K13/08 , H01L41/0477 , H01L41/1876
摘要：本發明提供了一種用於蝕刻壓電薄膜的蝕刻溶液，用於製造壓電元件的方法以及蝕刻方法，其中所述壓電薄膜具有在形成於基底(substrate)上的下部電極上生長成柱狀結構的鈣鈦礦結構的薄膜，並且在薄膜與所述下部電極的界面上具有燒綠石層，其中所述蝕刻溶液至少包含：包含緩衝氫氟酸(BHF)、氟化氫(HF)以及稀釋的氫氟酸(DHF)這三者中至少任一者的氫氟酸型化學製品；以及硝酸，並且具有按重量計小於10%的鹽酸濃度以及為1/4或更小的鹽酸與硝酸的重量比(鹽酸/硝酸)。本發明還提供了一種製造壓電元件的方法以使用蝕刻溶液執行蝕刻。
简体摘要：本发明提供了一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液，用于制造压电组件的方法以及蚀刻方法，其中所述压电薄膜具有在形成于基底(substrate)上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜，并且在薄膜与所述下部电极的界面上具有烧绿石层，其中所述蚀刻溶液至少包含：包含缓冲氢氟酸(BHF)、氟化氢(HF)以及稀释的氢氟酸(DHF)这三者中至少任一者的氢氟酸型化学制品；以及硝酸，并且具有按重量计小于10%的盐酸浓度以及为1/4或更小的盐酸与硝酸的重量比(盐酸/硝酸)。本发明还提供了一种制造压电组件的方法以使用蚀刻溶液运行蚀刻。

8. 发明专利

TW201411897A 壓電材料、壓電元件及電子設備审中-公开
简体标题：压电材料、压电组件及电子设备
公开(公告)号：TW201411897A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102130264
申请日：2013-08-23
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：渡邉之 , WATANABE, TAKAYUKI , 村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 上田未紀 , UEDA, MIKI
IPC分类号： H01L41/187 , C04B35/495
CPC分类号： H01L41/1873 , B06B1/0611 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3281 , C04B2235/604 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/273 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/333 , H02N2/106 , H02N2/163 , H02N2/183 , H04N5/2171 , H04N5/23209
摘要：本發明提供一種不含鉛及鉀的壓電材料，其具有高相對密度、高居里溫度、及高機械品質因子，並表現良好的壓電性。以相對於如下通式(1)所代表的1莫耳金屬氧化物計，該壓電材料含有0.04莫耳%或更高且2.00莫耳%或更低的Cu。通式(1)((Na1-zLiz)xBa1-y)(NbyTi1-y)O3 (該式中，0.70≦x≦0.99，0.75≦y≦0.99，及0＜z＜0.15)。
简体摘要：本发明提供一种不含铅及钾的压电材料，其具有高相对密度、高居里温度、及高机械品质因子，并表现良好的压电性。以相对于如下通式(1)所代表的1莫耳金属氧化物计，该压电材料含有0.04莫耳%或更高且2.00莫耳%或更低的Cu。通式(1)((Na1-zLiz)xBa1-y)(NbyTi1-y)O3 (该式中，0.70≦x≦0.99，0.75≦y≦0.99，及0＜z＜0.15)。

9. 发明专利

TW200529480A 介電元件,壓電元件,噴墨頭以及其製造方法 DIELECTRIC ELEMENT, PIEZOELECTRIC ELEMENT, INK JET HEAD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME HEAD 审中-公开
简体标题：介电组件,压电组件,喷墨头以及其制造方法 DIELECTRIC ELEMENT, PIEZOELECTRIC ELEMENT, INK JET HEAD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME HEAD
公开(公告)号：TW200529480A
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：TW094100090
申请日：2005-01-03
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA , 舟窪浩 FUNAKUBO, HIROSHI
发明人：青木活水 AOKI, KATSUMI , 武田憲一 TAKEDA, KENICHI , 福井哲朗 FUKUI, TETSURO , 舟窪浩 FUNAKUBO, HIROSHI , 岡本庄司 OKAMOTO, SHOJI , 淺野剛司 OSANO, GOJI
IPC分类号： H01L , B41J
CPC分类号： B41J2/14233 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319
摘要：本發明提供一在一共同基板上優先導向或單軸導向之晶體結構介電層。本發明即便在一普通的基板上方可以薄膜製程製作出所欲品質之介電元件，而此介電元件係依序設有一下電極層、介電層與一上電極層，其中各層均為優先導向或是單軸導向，並透過pseudo–Voigt函數的決定而具有特定之半頻寬。
简体摘要：本发明提供一在一共同基板上优先导向或单轴导向之晶体结构介电层。本发明即便在一普通的基板上方可以薄膜制程制作出所欲品质之介电组件，而此介电组件系依序设有一下电极层、介电层与一上电极层，其中各层均为优先导向或是单轴导向，并透过pseudo–Voigt函数的决定而具有特定之半带宽。

10. 发明专利

TW201742217A 壓電元件审中-公开
简体标题：压电组件
公开(公告)号：TW201742217A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106116799
申请日：2017-05-22
申请人：日本電波工業股份有限公司 , NIHON DEMPA KOGYO CO., LTD.
发明人：菊池賢一 , KIKUCHI, KENICHI
IPC分类号： H01L23/49 , H01L41/02 , H03H9/02
CPC分类号： H01L41/0913 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/18 , H01L41/313
摘要：本發明提供一種壓電元件。在具有利用引線（33）將基底（21）的配線電極（25）與晶片（11）的引出電極（15b）連接的構造的壓電元件中，能夠比以前降低由引線引起的應力。在引出電極（15b）的包含連接著引線（33）的部分（15x）且比所述部分（15x）稍寬的區域與晶片（11）之間，具備減小引線的應力的緩衝層（35）。緩衝層（35）包含被稱作永久抗蝕劑的樹脂。在引出電極（15a）的位置，利用矽酮系導電性黏接劑（31）將晶片（11）的與引線（33）連接的面的相反面與基底（21）的配線電極（23）連接。
简体摘要：本发明提供一种压电组件。在具有利用引线（33）将基底（21）的配线电极（25）与芯片（11）的引出电极（15b）连接的构造的压电组件中，能够比以前降低由引线引起的应力。在引出电极（15b）的包含连接着引线（33）的部分（15x）且比所述部分（15x）稍宽的区域与芯片（11）之间，具备减小引线的应力的缓冲层（35）。缓冲层（35）包含被称作永久抗蚀剂的树脂。在引出电极（15a）的位置，利用硅酮系导电性黏接剂（31）将芯片（11）的与引线（33）连接的面的相反面与基底（21）的配线电极（23）连接。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式