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1. 发明专利

TWI541214B 壓電材料，壓電元件，多層壓電元件，多層壓電元件的製法，液體排放頭，液體排放裝置，超音波馬達，光學裝置，振動裝置，除塵裝置，成像裝置，以及電子裝置有权
简体标题：压电材料，压电组件，多层压电组件，多层压电组件的制法，液体排放头，液体排放设备，超音波马达，光学设备，振动设备，除尘设备，成像设备，以及电子设备
公开(公告)号：TWI541214B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW102130265
申请日：2013-08-23
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：渡邉之 , WATANABE, TAKAYUKI , 村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 上田未紀 , UEDA, MIKI
IPC分类号： C04B35/01
CPC分类号： H01L41/1873 , B05B17/0615 , B06B1/0603 , B08B7/02 , B41J2/14201 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3234 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3255 , C04B2235/3281 , C04B2235/3293 , C04B2235/96 , G02B27/0006 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/273 , H02N2/001 , H02N2/106 , H02N2/163

2. 发明专利

TW201546021A 壓電材料，壓電元件，與電子裝置审中-公开
简体标题：压电材料，压电组件，与电子设备
公开(公告)号：TW201546021A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104115389
申请日：2015-05-14
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 渡邉之 , WATANABE, TAKAYUKI , 松田堅義 , MATSUDA, TAKANORI , 大志万香菜子 , OSHIMA, KANAKO , 久保田純 , KUBOTA, MAKOTO
IPC分类号： C04B35/42 , H01L41/187
CPC分类号： H01L41/1871 , B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2/14274 , B41J2/161 , B41J2/1612 , B41J2/1632 , B41J2/1637 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3248 , C04B2235/3267 , C04B2235/3274 , C04B2235/3298 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , G02B7/10 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/0973 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163 , Y10T428/2982
摘要：本發明提供不含鉛並且在裝置驅動溫度範圍(-30℃至50℃)內具有優異的壓電常數和機械品質因數的壓電材料。壓電材料包括：含有由下述通式(1)表示的鈣鈦礦金屬氧化物的主要成分、和含有Mn的第一輔助成分，其中含有的Mn的量為0.002莫耳-0.015莫耳，相對於1莫耳的金屬氧化物。 (Ba1-yBiy)a(Ti1-x-zZrxFez)O3 (1)(其中0.010x0.060，0.001y0.015，0.001z0.015，0.950y/z1.050，和0.986a1.020)
简体摘要：本发明提供不含铅并且在设备驱动温度范围(-30℃至50℃)内具有优异的压电常数和机械品质因子的压电材料。压电材料包括：含有由下述通式(1)表示的钙钛矿金属氧化物的主要成分、和含有Mn的第一辅助成分，其中含有的Mn的量为0.002莫耳-0.015莫耳，相对于1莫耳的金属氧化物。 (Ba1-yBiy)a(Ti1-x-zZrxFez)O3 (1)(其中0.010x0.060，0.001y0.015，0.001z0.015，0.950y/z1.050，和0.986a1.020)

4. 发明专利

TW201433559A 用於成形塊之燒結鋯石材料审中-公开
简体标题：用于成形块之烧结锆石材料
公开(公告)号：TW201433559A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103105360
申请日：2014-02-18
申请人：聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
发明人：西緹奧利維 , CITTI, OLIVIER , 福卡德朱利安 P , FOURCADE, JULIEN P. , 卡斯美亞薩克安德亞 L , KAZMIERCZAK, ANDREA L. , 萊切維勒大衛 J , LECHEVALIER, DAVID J.
IPC分类号： C04B35/48 , C04B35/65 , C03B5/43 , C03B17/06
CPC分类号： C04B35/481 , C04B35/6263 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96
摘要：一種包括含鋯石(ZrSiO4)晶粒的本體之組成物，該本體係具有一存在於該等鋯石晶粒間且實質上均勻分布於該本體中之游離矽石晶間相。該本體包括一不大於該本體總重量的約2wt.%之游離矽石含量。
简体摘要：一种包括含锆石(ZrSiO4)晶粒的本体之组成物，该本体系具有一存在于该等锆石晶粒间且实质上均匀分布于该本体中之游离硅石晶间相。该本体包括一不大于该本体总重量的约2wt.%之游离硅石含量。

5. 发明专利

TW201432963A 壓電材料、壓電元件、及電子設備审中-公开
简体标题：压电材料、压电组件、及电子设备
公开(公告)号：TW201432963A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102148769
申请日：2013-12-27
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：渡邉之 , WATANABE, TAKAYUKI , 村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 古田達雄 , FURUTA, TATSUO
IPC分类号： H01L41/187
CPC分类号： B41J2/14201 , B41J2/14233 , B41J2002/14258 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3236 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H01L41/43 , H02N2/106 , H02N2/163
摘要：一種壓電材料，包括由以下通式(1)表示的金屬氧化物，Mn含量是0.04重量份以上且0.36重量份以下，Li含量α是0.0013重量份以上且0.0280重量份以下，Bi含量β是0.042重量份以上且0.850重量份以下，含量α、β滿足0.5≦(α．MB)/(β．ML)≦1，(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3 (1) (其中，x、y、z、a滿足0.09≦x≦0.30，0.025≦y≦0.074，0≦z≦0.02，0.986≦a≦1.02)。根據本發明實施方式的壓電材料不含鉛，具有在壓電元件的操作溫度範圍內低程度的壓電性能的溫度依賴性，且具有良好的壓電性質。
简体摘要：一种压电材料，包括由以下通式(1)表示的金属氧化物，Mn含量是0.04重量份以上且0.36重量份以下，Li含量α是0.0013重量份以上且0.0280重量份以下，Bi含量β是0.042重量份以上且0.850重量份以下，含量α、β满足0.5≦(α．MB)/(β．ML)≦1，(Ba1-xCax)a(Ti1-y-zZrySnz)O3 (1) (其中，x、y、z、a满足0.09≦x≦0.30，0.025≦y≦0.074，0≦z≦0.02，0.986≦a≦1.02)。根据本发明实施方式的压电材料不含铅，具有在压电组件的操作温度范围内低程度的压电性能的温度依赖性，且具有良好的压电性质。

6. 发明专利

TW201228992A 積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW201228992A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100134866
申请日：2011-09-27
申请人：太陽誘電股份有限公司
发明人：竹岡伸介
IPC分类号： C04B , H01G
CPC分类号： H01G4/12 , B32B18/00 , C04B35/486 , C04B35/62675 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3248 , C04B2235/3267 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/442 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/78 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2237/348 , H01G4/1236 , H01G4/30 , Y10T29/435
摘要：本發明係使用以CaZrO3作為主成分之介電陶瓷，而提供一種比介電係數及電容之溫度係數較低、壽命特性優異之將Cu用於內部電極之積層陶瓷電容器。本發明之積層陶瓷電容器係具有複數層介電層、與埋設於該介電層間之以Cu作為主成分之內部電極、及與該內部電極之一端電性連接之外部電極者，並且上述介電層含有包含CaZrO3系化合物之主成分、與含有Mn、B、Si及Li之副成分，上述介電層中形成有包含上述主成分之主相、含有Ca與上述副成分之至少一種之偏析相、及至少含有Ca與Zr之二次相，該二次相中之Ca相對於Zr之比小於上述主相中之Ca相對於Zr之比，且於上述內部電極所挾持之上述介電層之剖面上，上述二次相於計數其直徑為100 nm以上者之情形時，換算成每10 μm見方，平均為30個以下。
简体摘要：本发明系使用以CaZrO3作为主成分之介电陶瓷，而提供一种比介电系数及电容之温度系数较低、寿命特性优异之将Cu用于内部电极之积层陶瓷电容器。本发明之积层陶瓷电容器系具有复数层介电层、与埋设于该介电层间之以Cu作为主成分之内部电极、及与该内部电极之一端电性连接之外部电极者，并且上述介电层含有包含CaZrO3系化合物之主成分、与含有Mn、B、Si及Li之副成分，上述介电层中形成有包含上述主成分之主相、含有Ca与上述副成分之至少一种之偏析相、及至少含有Ca与Zr之二次相，该二次相中之Ca相对于Zr之比小于上述主相中之Ca相对于Zr之比，且于上述内部电极所挟持之上述介电层之剖面上，上述二次相于计数其直径为100 nm以上者之情形时，换算成每10 μm见方，平均为30个以下。

7. 发明专利

TW201136865A 具高氧化鋯含量之耐火產品 REFRACTORY PRODUCT HAVING A HIGH ZIRCONIA CONTENT 审中-公开
简体标题：具高氧化锆含量之耐火产品 REFRACTORY PRODUCT HAVING A HIGH ZIRCONIA CONTENT
公开(公告)号：TW201136865A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100103485
申请日：2011-01-28
申请人：聖高拜歐洲實驗及研究中心
发明人：卡波迪伊莎貝拉 , 甘比爾米契爾
IPC分类号： C04B , C03B
CPC分类号： C03B5/43 , C04B35/481 , C04B35/484 , C04B35/657 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/72 , C04B2235/727 , C04B2235/95
摘要：本發明係關於一種熔鑄耐火產品，其基於氧化物之重量百分比及總共100%的氧化物包含：ZrO2+Hf2O：補足至100% 4.0%＜SiO2＜6.5% Al2O3≦0.75% 0.2%＜B2O3＜1.5% 0.3%＜Ta2O5 Nb2O5+Ta2O5＜1.4% Na2O+K2O＜0.05% BaO＜0.2% P2O5＜0.15% Fe2O3+TiO2＜0.55% 其他氧化物種類：＜1.5%，Al2O3/B2O3質量含量之A/B比例係小於或等於1.50。本發明亦有關在玻璃熔爐中之應用。
简体摘要：本发明系关于一种熔铸耐火产品，其基于氧化物之重量百分比及总共100%的氧化物包含：ZrO2+Hf2O：补足至100% 4.0%＜SiO2＜6.5% Al2O3≦0.75% 0.2%＜B2O3＜1.5% 0.3%＜Ta2O5 Nb2O5+Ta2O5＜1.4% Na2O+K2O＜0.05% BaO＜0.2% P2O5＜0.15% Fe2O3+TiO2＜0.55% 其他氧化物种类：＜1.5%，Al2O3/B2O3质量含量之A/B比例系小于或等于1.50。本发明亦有关在玻璃熔炉中之应用。

8. 发明专利

TW200951094A 摻雜燒結產物 DOPED SINTERED PRODUCT 审中-公开
简体标题：掺杂烧结产物 DOPED SINTERED PRODUCT
公开(公告)号：TW200951094A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098112527
申请日：2009-04-15
申请人：聖高拜歐洲實驗及研究中心
发明人：塞提奧利維 , 佛卡德朱利安
IPC分类号： C04B , C03B
CPC分类号： C04B35/481 , C03B5/43 , C04B35/482 , C04B2235/32 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3409 , C04B2235/447 , C04B2235/72 , C04B2235/9669 , F27D1/0006 , Y02P40/57
摘要：本發明係關於一種由始料精製之燒結產物，該始料含有75-99％鋯石(以基於氧化物之質量百分比計)且具有以下平均重量化學組成(以基於氧化物之質量百分比計)：60％≦ZrO2≦72.8％；27％≦SiO2≦36％；0.1％≦B2O3+GeO2+P2O5+Sb2O3+Nb2O5+Ta2O5+V2O5；0.1％≦ZnO+PbO+CdO；B2O3+GeO2+P2O5+Sb2O3+Nb2O5+Ta2O5+V2O5+ZnO+PbO+CdO≦5％；0％≦Al2O3+TiO2+MgO+Fe2O3+NiO+MnO2+CoO+CuO≦5％；其他氧化物：≦1.5％，總計100％。該燒結產物尤其用於玻璃熔爐中。
简体摘要：本发明系关于一种由始料精制之烧结产物，该始料含有75-99％锆石(以基于氧化物之质量百分比计)且具有以下平均重量化学组成(以基于氧化物之质量百分比计)：60％≦ZrO2≦72.8％；27％≦SiO2≦36％；0.1％≦B2O3+GeO2+P2O5+Sb2O3+Nb2O5+Ta2O5+V2O5；0.1％≦ZnO+PbO+CdO；B2O3+GeO2+P2O5+Sb2O3+Nb2O5+Ta2O5+V2O5+ZnO+PbO+CdO≦5％；0％≦Al2O3+TiO2+MgO+Fe2O3+NiO+MnO2+CoO+CuO≦5％；其他氧化物：≦1.5％，总计100％。该烧结产物尤其用于玻璃熔炉中。

9. 发明专利

TW200938513A 熔融陶瓷產品、製造方法及用途 MOLTEN CERAMIC PRODUCT, METHOD OF FABRICATION AND USE 审中-公开
简体标题：熔融陶瓷产品、制造方法及用途 MOLTEN CERAMIC PRODUCT, METHOD OF FABRICATION AND USE
公开(公告)号：TW200938513A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097150076
申请日：2008-12-22
申请人：聖高拜歐洲實驗及研究中心 SAINT-GOBAIN CENTRE DE RECHERCHES ET D'ETUDES EUROPEEN
发明人：艾曼紐諾耐特 NONNET, EMMANUEL , 伊凡斯鮑沙特洛克斯 BOUSSANT ROUX, YVES , 艾瑞克翰斯 HANUS, ERIC
IPC分类号： C04B
CPC分类号： C04B35/484 , C04B35/481 , C04B35/4885 , C04B35/49 , C04B35/653 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3248 , C04B2235/3418 , C04B2235/528 , C04B2235/5296 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96
摘要：本發明提供一種呈球度大於或等於0.6之粒子形式之熔融產品,以氧化物之重量百分比計,其具有以下化學組成(總計為100%):(ZrO2+HfO2):補充至100%,6%≦CeO2≦31%,0.8%≦Y2O3≦8.5%,0%≦Al2O3≦30%,0%≦SiO2≦17%,0≦TiO2≦8.5%,0≦MgO≦6%,及其他氧化物≦1%,其限制條件為經由以“C"表示重量比率CeO2/(ZrO2+HfO2)且以“Y"表示重量比率Y2O3/(ZrO2+HfO2),則0≦C≦0.6且Y≧0.02,且
Min(63.095.Y^2-11.214.Y+0.4962;0.25)≦C (I),且C≦250.Y^2-49.1.Y+2.6 (II)。
简体摘要：本发明提供一种呈球度大于或等于0.6之粒子形式之熔融产品,以氧化物之重量百分比计,其具有以下化学组成(总计为100%):(ZrO2+HfO2):补充至100%,6%≦CeO2≦31%,0.8%≦Y2O3≦8.5%,0%≦Al2O3≦30%,0%≦SiO2≦17%,0≦TiO2≦8.5%,0≦MgO≦6%,及其他氧化物≦1%,其限制条件为经由以“C"表示重量比率CeO2/(ZrO2+HfO2)且以“Y"表示重量比率Y2O3/(ZrO2+HfO2),则0≦C≦0.6且Y≧0.02,且 Min(63.095.Y^2-11.214.Y+0.4962;0.25)≦C (I),且C≦250.Y^2-49.1.Y+2.6 (II)。

10. 发明专利

TW200935468A 介電體陶瓷組合物及電子元件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRIC DEVICE 审中-公开
简体标题：介电体陶瓷组合物及电子组件 DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION AND ELECTRIC DEVICE
公开(公告)号：TW200935468A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097147793
申请日：2008-12-09
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：阿滿三四郎 SANSHIRO AMAN , 宮內真理 MARI MIYAUCHI , 秀明 HIDEAKI SEKI
IPC分类号： H01G
CPC分类号： C04B35/49 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B35/638 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3236 , C04B2235/3241 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3277 , C04B2235/3287 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：一種介電體陶瓷組合物,其特徵在於具有BaTiO3與BaZrO3,且由複數個介電體粒子20與粒界相30所構成,以BaTiO3為主成分的介電體粒子20是第一介電體粒子21,以BaZrO3為主成分的介電體粒子20是第二介電體粒子22,以第一介電體粒子21平均晶粒粒徑為D1、第二介電體粒子22平均晶粒粒徑為D2的情況中,D2對D1之比(D2/D1)為0.04~0.33,D2為0.02~0.25��m,第二介電體粒子22的總個數對第一介電體粒子21的總個數之比為0.10~2。藉由本發明,可提供具優異的破壞電壓而適用於高額定電壓(例如100V或以上)的中高壓用途的介電體陶瓷組合物。
简体摘要：一种介电体陶瓷组合物,其特征在于具有BaTiO3与BaZrO3,且由复数个介电体粒子20与粒界相30所构成,以BaTiO3为主成分的介电体粒子20是第一介电体粒子21,以BaZrO3为主成分的介电体粒子20是第二介电体粒子22,以第一介电体粒子21平均晶粒粒径为D1、第二介电体粒子22平均晶粒粒径为D2的情况中,D2对D1之比(D2/D1)为0.04~0.33,D2为0.02~0.25��m,第二介电体粒子22的总个数对第一介电体粒子21的总个数之比为0.10~2。借由本发明,可提供具优异的破坏电压而适用于高额定电压(例如100V或以上)的中高压用途的介电体陶瓷组合物。

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