专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 实用新型

TWM571381U 紅外線反射透明複合膜有权
简体标题：红外线反射透明复合膜
公开(公告)号：TWM571381U
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW107209690
申请日：2018-07-14
申请人：林晉慶 , LIN, CHINCHING , 楊佩欣
发明人：林晉慶 , LIN, CHINCHING , 楊佩欣 , YANG, PEIHSIN
IPC分类号： C04B35/495 , G02B5/22

2. 发明专利

TW201833059A 介電陶瓷組成物审中-公开
简体标题：介电陶瓷组成物
公开(公告)号：TW201833059A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107104646
申请日：2018-02-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：盧俊安 , LU, CHUN-AN , 林鴻欽 , LIN, HONG-CHING , 陳炯雄 , CHEN, CHIUNG-HSIUNG , 蔡苑鈴 , TSAI, YUAN-LING
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/443 , H01B3/12
摘要：一種介電陶瓷組成物，包括具有三方複三正方錐面晶體結構的第一無機成分、具有六八面體晶體結構的第二無機成分以及所述三方複三正方錐面晶體結構與所述六八面體晶體結構的固溶體部，其形成於所述第一無機成分與所述第二無機成分之間。
简体摘要：一种介电陶瓷组成物，包括具有三方复三正方锥面晶体结构的第一无机成分、具有六八面体晶体结构的第二无机成分以及所述三方复三正方锥面晶体结构与所述六八面体晶体结构的固溶体部，其形成于所述第一无机成分与所述第二无机成分之间。

3. 发明专利

TW201710081A 強介電體薄膜層合基板、強介電體薄膜元件、及強介電體薄膜層合基板之製造方法审中-公开
简体标题：强介电体薄膜层合基板、强介电体薄膜组件、及强介电体薄膜层合基板之制造方法
公开(公告)号：TW201710081A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105107911
申请日：2016-03-15
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：堀切文正 , HORIKIRI, FUMIMASA , 柴田憲治 , SHIBATA, KENJI , 渡辺和俊 , WATANABE, KAZUTOSHI , 野口将希 , NOGUCHI, MASAKI , 末永和史 , SUENAGA, KAZUFUMI
IPC分类号： B32B18/00 , C04B35/495 , H01B3/12 , H01L27/16 , H01L27/20 , H01L41/187 , H01L41/047 , G01J5/12 , H01L37/02 , H01L41/29
CPC分类号： H01L41/187 , C23C14/34 , H01L27/105 , H01L37/02 , H01L41/047 , H01L41/09 , H01L41/113 , H01L41/29 , H01L41/312 , H01L41/316 , H01L41/45
摘要：本發明係以提供於薄膜元件進行引線結合時，使高於以往之接合強度成為可能的鈮酸系強介電體薄膜層合基板及從該層合基板切取的強介電體薄膜元件作為目的。本發明之強介電體薄膜層合基板係於基板上依序層合有下部電極層、強介電體薄膜層、上部電極密著層、以及上部電極層的強介電體薄膜層合基板，其特徵為，前述下部電極層係由Pt或Pt合金所構成，前述強介電體薄膜層係由(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)所構成，前述上部電極層係由Au所構成，前述上部電極密著層係由比Ti更難氧化性金屬且不與Au生成金屬間化合物而可成為固溶型合金之金屬所構成，將前述上部電極密著層之一部分與前述上部電極層之一部分進行合金化。
简体摘要：本发明系以提供于薄膜组件进行引线结合时，使高于以往之接合强度成为可能的铌酸系强介电体薄膜层合基板及从该层合基板切取的强介电体薄膜组件作为目的。本发明之强介电体薄膜层合基板系于基板上依序层合有下部电极层、强介电体薄膜层、上部电极密着层、以及上部电极层的强介电体薄膜层合基板，其特征为，前述下部电极层系由Pt或Pt合金所构成，前述强介电体薄膜层系由(K1-xNax)NbO3(0.4≦x≦0.7)所构成，前述上部电极层系由Au所构成，前述上部电极密着层系由比Ti更难氧化性金属且不与Au生成金属间化合物而可成为固溶型合金之金属所构成，将前述上部电极密着层之一部分与前述上部电极层之一部分进行合金化。

4. 发明专利

TWI538895B 介電體陶瓷組合物、介電體陶瓷、電子零件以及通信機器有权
简体标题：介电体陶瓷组合物、介电体陶瓷、电子零件以及通信机器
公开(公告)号：TWI538895B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW103112092
申请日：2014-04-01
申请人： TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：嵐友宏 , ARASHI, TOMOHIRO , 田口修 , TAGUCHI, OSAMU , 河田智明 , KAWATA, TOMOAKI
IPC分类号： C04B35/495 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/453 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , H01G4/1209 , Y10T428/2982

5. 发明专利

TW201613826A 紅外線吸收粉末的製作方法审中-公开
简体标题：红外线吸收粉末的制作方法
公开(公告)号：TW201613826A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW103135548
申请日：2014-10-14
申请人：台虹科技股份有限公司 , TAIFLEX SCIENTIFIC CO., LTD.
发明人：莊佳哲 , CHUANG, CHIA CHE , 高有志 , KAO, YU CHIH , 盧振國 , LU, CHEN KUO , 李冠諭 , LI, KUAN YU , 洪子景 , HUNG, TZU CHING , 李建興 , LEE, CHIEN HSIN
IPC分类号： C01G41/02 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/645
摘要：紅外線吸收粉末的製作方法包含將含鎢鹽類溶於水中以形成一溶液；烘乾該溶液以得到一粉末；以及於一負壓環境中對該粉末進行煆燒處理以得到該紅外線吸收粉末。
简体摘要：红外线吸收粉末的制作方法包含将含钨盐类溶于水中以形成一溶液；烘干该溶液以得到一粉末；以及于一负压环境中对该粉末进行煅烧处理以得到该红外线吸收粉末。

6. 发明专利

TW201439005A 鎢酸鋯审中-公开
简体标题：钨酸锆
公开(公告)号：TW201439005A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103101250
申请日：2014-01-14
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：高村博 , TAKAMURA, HIROSHI , 成田里安 , NARITA, SATOYASU , 鈴木了 , SUZUKI, RYO
IPC分类号： C01G41/00 , C04B35/495 , C04B35/622
CPC分类号： C01G41/00 , C01P2002/72 , C04B35/495 , C04B2235/3244 , C04B2235/3258 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/76
摘要：本案發明提供一種鎢酸鋯，其將X射線繞射中位於2 θ=21.4~21.8°之繞射波峰的強度設為100%之情形時，位於2 θ=23.5~23.9°之波峰為92~115%。先前有結晶化之合成花費長時間的問題，目前為止未進展到製品之應用。於實驗室級別雖有使用鉑坩堝進行製作之報告，但不適於量產化。又，氧化鎢有容易揮發(於950℃-2h重量減少0.3%)、難以進行組成之控制的問題。本案發明之課題在於藉由調整組成與提昇品質而提昇產率，於極短時間內進行向結晶化之合成，從而降低製造成本。
简体摘要：本案发明提供一种钨酸锆，其将X射线绕射中位于2 θ=21.4~21.8°之绕射波峰的强度设为100%之情形时，位于2 θ=23.5~23.9°之波峰为92~115%。先前有结晶化之合成花费长时间的问题，目前为止未进展到制品之应用。于实验室级别虽有使用铂坩埚进行制作之报告，但不适于量产化。又，氧化钨有容易挥发(于950℃-2h重量减少0.3%)、难以进行组成之控制的问题。本案发明之课题在于借由调整组成与提升品质而提升产率，于极短时间内进行向结晶化之合成，从而降低制造成本。

7. 发明专利

TW201425265A 積層陶瓷電容用介電陶瓷材料审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容用介电陶瓷材料
公开(公告)号：TW201425265A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101151326
申请日：2012-12-28
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：王錫福 , WANG, SEA FUE , 賴元正 , LAI, YUAN CHENG , 李建樺 , LI, JIAN HUA , 陳明華 , CHEN, MING HUA
IPC分类号： C04B35/495 , H01B3/12 , H01G9/07
摘要：一種介電陶瓷材料，該介電陶瓷材料的組成以鈮酸鈉(NaNbO3)為主，並混合至少一添加物，該添加物選自(CaNbO3)、鈮酸鍶(SrNbO3)及其任意組合所組成的群組其中之一種，其中，當該添加物包含鈮酸鈣時，鈮酸鈣之莫耳百分比介於5至50%。而，當該添加物包含鈮酸鍶時，鈮酸鍶之莫耳百分比介於5至40%。
简体摘要：一种介电陶瓷材料，该介电陶瓷材料的组成以铌酸钠(NaNbO3)为主，并混合至少一添加物，该添加物选自(CaNbO3)、铌酸锶(SrNbO3)及其任意组合所组成的群组其中之一种，其中，当该添加物包含铌酸钙时，铌酸钙之莫耳百分比介于5至50%。而，当该添加物包含铌酸锶时，铌酸锶之莫耳百分比介于5至40%。

8. 发明专利

TW201411897A 壓電材料、壓電元件及電子設備审中-公开
简体标题：压电材料、压电组件及电子设备
公开(公告)号：TW201411897A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102130264
申请日：2013-08-23
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：渡邉之 , WATANABE, TAKAYUKI , 村上俊介 , MURAKAMI, SHUNSUKE , 上田未紀 , UEDA, MIKI
IPC分类号： H01L41/187 , C04B35/495
CPC分类号： H01L41/1873 , B06B1/0611 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/495 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/62695 , C04B35/64 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3255 , C04B2235/3281 , C04B2235/604 , C04B2235/768 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/85 , G02B27/0006 , H01L41/0471 , H01L41/0477 , H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/273 , H01L41/277 , H01L41/297 , H01L41/333 , H02N2/106 , H02N2/163 , H02N2/183 , H04N5/2171 , H04N5/23209
摘要：本發明提供一種不含鉛及鉀的壓電材料，其具有高相對密度、高居里溫度、及高機械品質因子，並表現良好的壓電性。以相對於如下通式(1)所代表的1莫耳金屬氧化物計，該壓電材料含有0.04莫耳%或更高且2.00莫耳%或更低的Cu。通式(1)((Na1-zLiz)xBa1-y)(NbyTi1-y)O3 (該式中，0.70≦x≦0.99，0.75≦y≦0.99，及0＜z＜0.15)。
简体摘要：本发明提供一种不含铅及钾的压电材料，其具有高相对密度、高居里温度、及高机械品质因子，并表现良好的压电性。以相对于如下通式(1)所代表的1莫耳金属氧化物计，该压电材料含有0.04莫耳%或更高且2.00莫耳%或更低的Cu。通式(1)((Na1-zLiz)xBa1-y)(NbyTi1-y)O3 (该式中，0.70≦x≦0.99，0.75≦y≦0.99，及0＜z＜0.15)。

9. 发明专利

TW201808859A 壓電材料用填料、複合壓電材料及複合壓電元件、複合壓電材料用填料及鈮酸鹼金屬化合物的製造方法审中-公开
简体标题：压电材料用填料、复合压电材料及复合压电组件、复合压电材料用填料及铌酸碱金属化合物的制造方法
公开(公告)号：TW201808859A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106120803
申请日：2017-06-22
申请人：日本化學工業股份有限公司 , NIPPON CHEMICAL INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：田邉信司 , TANABE, SHINJI , 國田肇 , KUNITA, HAJIME , 菊地俊介 , KIKUCHI, SHUNSUKE
IPC分类号： C04B35/495 , C08K3/00 , C08L101/00 , H01L41/193 , H01L41/37 , C04B35/64
CPC分类号： C01G33/00 , H01G7/06 , H01L41/113 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/43
摘要：一種壓電材料用填料，其特徵在於：其為鈮酸鹼金屬化合物粒子，所述鈮酸鹼金屬化合物粒子中，以原子換算計，鉀的莫耳數相對於鈉及鉀的莫耳數的合計的比（K/（Na+K））為0.460～0.495，且以原子換算計，鹼金屬元素的莫耳數的合計相對於鈮的莫耳數的比（（Li+Na+K）/Nb）為0.995～1.005。根據本發明，可提供一種具有優異的壓電特性的壓電材料用填料及提供一種包含該壓電材料用填料與高分子矩陣的複合壓電材料。
简体摘要：一种压电材料用填料，其特征在于：其为铌酸碱金属化合物粒子，所述铌酸碱金属化合物粒子中，以原子换算计，钾的莫耳数相对于钠及钾的莫耳数的合计的比（K/（Na+K））为0.460～0.495，且以原子换算计，碱金属元素的莫耳数的合计相对于铌的莫耳数的比（（Li+Na+K）/Nb）为0.995～1.005。根据本发明，可提供一种具有优异的压电特性的压电材料用填料及提供一种包含该压电材料用填料与高分子矩阵的复合压电材料。

10. 发明专利

TW201803833A 抗還原高溫穩定之複合介電陶瓷材料及其製造方法审中-公开
简体标题：抗还原高温稳定之复合介电陶瓷材料及其制造方法
公开(公告)号：TW201803833A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105122739
申请日：2016-07-19
申请人：禾伸堂企業股份有限公司 , HOLY STONE ENTERPRISE CO., LTD.
发明人：王錫福 , WANG, SEA FUE , 李建樺 , LI, JIAN HUA , 黃彥博 , HUNG, YEN PO , 賴元正 , LAI, YUAN CHENG
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要：本發明係提供一種抗還原高溫穩定之複合介電陶瓷材料及其製造方法，係包括有主成份(1-x)(BaTiO3)-x(Ba2LiTa5O15)依照相對莫耳比例配製組成100莫耳複合介電陶瓷，並依照每100莫耳的主成份計算相當添加量混合至少一種氧化物副成份，該氧化物除了可選自Li2TiO3、BaSiO3、(Ba0.6Ca0.4)SiO3及SiO2作為燒結助劑使用，使具有良好的促進燒結緻密化之功效外，亦可選用CaO、MnO、MgO作為提高介電穩定性使用，特別係CaO除了可提高抵抗還原氣氛之能力以外，同時具有增加電阻係數的優點。因此，隨著各氧化物副成份的添加及相互影響，複合介電陶瓷材料(1-x)(BaTiO3)-x(Ba2LiTa5O15)在-55℃~200℃間的TCC曲線變化率除了明顯受到抑制之外，且介電常數K值亦能獲得有效改善。
简体摘要：本发明系提供一种抗还原高温稳定之复合介电陶瓷材料及其制造方法，系包括有主成份(1-x)(BaTiO3)-x(Ba2LiTa5O15)依照相对莫耳比例配制组成100莫耳复合介电陶瓷，并依照每100莫耳的主成份计算相当添加量混合至少一种氧化物副成份，该氧化物除了可选自Li2TiO3、BaSiO3、(Ba0.6Ca0.4)SiO3及SiO2作为烧结助剂使用，使具有良好的促进烧结致密化之功效外，亦可选用CaO、MnO、MgO作为提高介电稳定性使用，特别系CaO除了可提高抵抗还原气氛之能力以外，同时具有增加电阻系数的优点。因此，随着各氧化物副成份的添加及相互影响，复合介电陶瓷材料(1-x)(BaTiO3)-x(Ba2LiTa5O15)在-55℃~200℃间的TCC曲线变化率除了明显受到抑制之外，且介电常数K值亦能获得有效改善。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式