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1. 发明专利

TW201340429A 壓電元件和其製造方法以及電子元件製造方法审中-公开
简体标题：压电组件和其制造方法以及电子组件制造方法
公开(公告)号：TW201340429A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW102110027
申请日：2013-03-21
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：藤井満 , FUJII, TAKAMICHI , 向山明博 , MUKAIYAMA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/22
CPC分类号： H01L41/047 , G01C19/5663 , H01L41/0475 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/33 , Y10T29/42
摘要：壓電元件包括：基板；提供在基板上的下電極；以疊層的方式設置在下電極上的壓電膜，壓電膜是由在原子組成百分比中包含6原子%以上的從V族及VI族中選出的至少一型的金屬元素的鈦鋯酸鉛（PZT）所形成；以疊層的方式設置在壓電膜上的氧化物電極層；以疊層的方式設置在氧化物電極層上的包含抗氧化貴金屬的第一金屬電極層；以疊層的方式設置在第一金屬電極層上的第二金屬電極層；以及藉由打線接合連接至第二金屬電極層的線。
简体摘要：压电组件包括：基板；提供在基板上的下电极；以叠层的方式设置在下电极上的压电膜，压电膜是由在原子组成百分比中包含6原子%以上的从V族及VI族中选出的至少一型的金属元素的钛锆酸铅（PZT）所形成；以叠层的方式设置在压电膜上的氧化物电极层；以叠层的方式设置在氧化物电极层上的包含抗氧化贵金属的第一金属电极层；以叠层的方式设置在第一金属电极层上的第二金属电极层；以及借由打线接合连接至第二金属电极层的线。

2. 发明专利

TW201414027A 蝕刻溶液，用於製造壓電元件的方法以及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻溶液，用于制造压电组件的方法以及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201414027A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134199
申请日：2013-09-24
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：藤井満 , FUJII, TAKAMICHI , 向山明博 , MUKAIYAMA, AKIHIRO
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： H01L41/332 , C09K13/08 , H01L41/0477 , H01L41/1876
摘要：本發明提供了一種用於蝕刻壓電薄膜的蝕刻溶液，用於製造壓電元件的方法以及蝕刻方法，其中所述壓電薄膜具有在形成於基底(substrate)上的下部電極上生長成柱狀結構的鈣鈦礦結構的薄膜，並且在薄膜與所述下部電極的界面上具有燒綠石層，其中所述蝕刻溶液至少包含：包含緩衝氫氟酸(BHF)、氟化氫(HF)以及稀釋的氫氟酸(DHF)這三者中至少任一者的氫氟酸型化學製品；以及硝酸，並且具有按重量計小於10%的鹽酸濃度以及為1/4或更小的鹽酸與硝酸的重量比(鹽酸/硝酸)。本發明還提供了一種製造壓電元件的方法以使用蝕刻溶液執行蝕刻。
简体摘要：本发明提供了一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液，用于制造压电组件的方法以及蚀刻方法，其中所述压电薄膜具有在形成于基底(substrate)上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜，并且在薄膜与所述下部电极的界面上具有烧绿石层，其中所述蚀刻溶液至少包含：包含缓冲氢氟酸(BHF)、氟化氢(HF)以及稀释的氢氟酸(DHF)这三者中至少任一者的氢氟酸型化学制品；以及硝酸，并且具有按重量计小于10%的盐酸浓度以及为1/4或更小的盐酸与硝酸的重量比(盐酸/硝酸)。本发明还提供了一种制造压电组件的方法以使用蚀刻溶液运行蚀刻。

3. 发明专利

TW201414026A 壓電元件及其使用方法审中-公开
简体标题：压电组件及其使用方法
公开(公告)号：TW201414026A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102133380
申请日：2013-09-14
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：藤井満 , FUJII, TAKAMICHI
IPC分类号： H01L41/08 , H01L41/22
CPC分类号： H01L41/042 , H01L41/0472 , H01L41/0825 , H01L41/1876 , H01L41/257
摘要：壓電元件包括壓電器件部，該壓電器件部的壓電材料的雙極性極化-電場(Pr-E)遲滯特性具有非對稱的偏置性，在將絕對值小的第1矯頑電場設為Ec1、絕對值大的第2矯頑電場設為Ec2且將矯頑電場的偏置率定義為[(Ec2+Ec1)/(Ec2-Ec1)]×100[%]時，壓電器件部使用偏置率為20%以上的壓電體膜，且以比第1矯頑電場小的電場強度進行動作。而且，壓電元件包括更新電壓施加電路，該更新電壓施加電路為了保持該元件的動作性能，施加比使元件動作的電場強度大且為第1矯頑電場的絕對值| Ec1 |的3倍以下的電場強度的電壓，從而使壓電體膜的極化狀態恢復。
简体摘要：压电组件包括压电器件部，该压电器件部的压电材料的双极性极化-电场(Pr-E)迟滞特性具有非对称的偏置性，在将绝对值小的第1矫顽电场设为Ec1、绝对值大的第2矫顽电场设为Ec2且将矫顽电场的偏置率定义为[(Ec2+Ec1)/(Ec2-Ec1)]×100[%]时，压电器件部使用偏置率为20%以上的压电体膜，且以比第1矫顽电场小的电场强度进行动作。而且，压电组件包括更新电压施加电路，该更新电压施加电路为了保持该组件的动作性能，施加比使组件动作的电场强度大且为第1矫顽电场的绝对值| Ec1 |的3倍以下的电场强度的电压，从而使压电体膜的极化状态恢复。

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