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    • 6. 发明专利
    • 製造壓電陶瓷的方法
    • 制造压电陶瓷的方法
    • TW449758B
    • 2001-08-11
    • TW089114526
    • 2000-07-20
    • 村田製作所股份有限公司
    • 木村 雅彥安藤 陽
    • H01BH01GH01LH03H
    • C04B35/465C04B35/495C04B35/653H01L41/1878H01L41/41
    • 一種主要包括CaBi4Ti4O15或其他具有層狀鈣鈦礦晶體結構,在常溫下顯示鐵電性的化合物的陶瓷組合物。將該組合物樣品置於氧化鋁燒箱中,其中分散有粉末氧化鋯,以防止咬住,樣品上放置氧化鋁蓋板。然後加熱至高於陶瓷組合物熔點(如1245℃)的溫度1265℃,使其熔融或半熔融。之後退火和固化,製得顆粒取向的陶瓷。此種方法能從主要包含具有層狀鈣鈦礦晶體結構的化合物的陶瓷組合物製造顆粒取向的陶瓷,可提高壓電陶瓷的機電係數。
    • 一种主要包括CaBi4Ti4O15或其他具有层状钙钛矿晶体结构,在常温下显示铁电性的化合物的陶瓷组合物。将该组合物样品置于氧化铝烧箱中,其中分散有粉末氧化锆,以防止咬住,样品上放置氧化铝盖板。然后加热至高于陶瓷组合物熔点(如1245℃)的温度1265℃,使其熔融或半熔融。之后退火和固化,制得颗粒取向的陶瓷。此种方法能从主要包含具有层状钙钛矿晶体结构的化合物的陶瓷组合物制造颗粒取向的陶瓷,可提高压电陶瓷的机电系数。