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1. 发明专利

TW200910588A 絕緣閘極雙極性電晶體及其製造方法 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：绝缘闸极双极性晶体管及其制造方法 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200910588A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW097132807
申请日：2008-08-27
申请人：東部高科股份有限公司 DONGBU HITEK CO., LTD.
发明人：李相容 LEE, SANG YONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/66325
摘要：本發明係關於一種絕緣閘極雙極性電晶體,係包含:第一導電類型集極離子植入區,係位於基板中;第二導電類型緩衝層,係位於第一導電類型集極離子植入區上,其中此第二導電類型緩衝層係包含有:第一區段緩衝層及第二區段緩衝層;第一導電類型基極區,係位於此第二導電類型緩衝層上;閘極,係位於此第一導電類型基極區一側的基板上;第二導電類型射極離子植入區,係位於第一導電類型基極區中;絕緣層,係位於閘極上;發射極,係電性連接於第二導電類型射極離子植入區;以及集電極,係電性連接於第一導電類型集極離子植入區。其中,此第一區段緩衝層可與基極區之下方部分對齊,且此第一區段緩衝層中第二導電類型離子之密度係小於與此第一區段緩衝層相鄰的第二區段緩衝層中第二導電類型離子之密度。
简体摘要：本发明系关于一种绝缘闸极双极性晶体管,系包含:第一导电类型集极离子植入区,系位于基板中;第二导电类型缓冲层,系位于第一导电类型集极离子植入区上,其中此第二导电类型缓冲层系包含有:第一区段缓冲层及第二区段缓冲层;第一导电类型基极区,系位于此第二导电类型缓冲层上;闸极,系位于此第一导电类型基极区一侧的基板上;第二导电类型射极离子植入区,系位于第一导电类型基极区中;绝缘层,系位于闸极上;发射极,系电性连接于第二导电类型射极离子植入区;以及集电极,系电性连接于第一导电类型集极离子植入区。其中,此第一区段缓冲层可与基极区之下方部分对齐,且此第一区段缓冲层中第二导电类型离子之密度系小于与此第一区段缓冲层相邻的第二区段缓冲层中第二导电类型离子之密度。

2. 发明专利

TW372354B 具場效電晶體之互補型金氧半導體結構該場效電晶體具有含合併空乏區之隔離井及該結構之製作方法失效
简体标题：具场效应管之互补型金属氧化物半导体结构该场效应管具有含合并空乏区之隔离井及该结构之制作方法
公开(公告)号：TW372354B
公开(公告)日：1999-10-21
申请号：TW085115275
申请日：1996-12-10
申请人：萬國商業機器公司
发明人：賽哈瑞索巴納
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/1079 , H01L21/823892 , H01L27/0928 , H01L29/1075 , H01L29/7394
摘要：一具有場隔離之CMOS積體電路，包括一具隔離P-井之 NFET(s)，其中此隔離P-井係經調整以使其不延伸至場隔離(例如STI)下方，因此P-井及下層埋入N-井之寬度及摻雜度係經調整以使源/汲(source/drain，簡稱為S-D)二極體之空乏區與此井二極體於P-井剛好接觸(合併)而未重疊。此半導體裝置可於體單晶技術中獲得二極效應及較低之接合電容。亦提供一製造此半導體裝置之方法。
简体摘要：一具有场隔离之CMOS集成电路，包括一具隔离P-井之 NFET(s)，其中此隔离P-井系经调整以使其不延伸至场隔离(例如STI)下方，因此P-井及下层埋入N-井之宽度及掺杂度系经调整以使源/汲(source/drain，简称为S-D)二极管之空乏区与此井二极管于P-井刚好接触(合并)而未重叠。此半导体设备可于体单晶技术中获得二极效应及较低之接合电容。亦提供一制造此半导体设备之方法。

3. 发明专利

TW201517263A 橫型雙極電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：横型双极晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201517263A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103121352
申请日：2014-06-20
申请人：日立製作所股份有限公司 , HITACHI, LTD.
发明人：三好智之 , MIYOSHI, TOMOYUKI , 大島隆文 , OOSHIMA, TAKAYUKI , 柳田洋平 , YANAGIDA, YOUHEI
IPC分类号： H01L29/73 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/0821 , H01L29/1008 , H01L29/6625 , H01L29/66325 , H01L29/735 , H01L29/7816
摘要：本發明的課題是在於提供一種在可與微細CMOSFET，LDMOSFET混載的橫型雙極電晶體中，不易受製造偏差的影響，具有高增益的電晶體構造，製造方法。被揭示的橫型雙極電晶體是以具有對於閘極電極藉由自我整合地雜質植入，擴散來形成基極及射極層的製造工程及構造的點作為特徴。而且，將閘極電極附加於基極，射極，集極，作為獨立的第4個的端子利用之下，藉由賦予的閘極電位，可控制提升hfe作為特徴。由以上可提供一種不易受製造偏差的影響，或，可藉由閘極端子修正之具有高增益的雙極電晶體。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种在可与微细CMOSFET，LDMOSFET混载的横型双极晶体管中，不易受制造偏差的影响，具有高增益的晶体管构造，制造方法。被揭示的横型双极晶体管是以具有对于闸极电极借由自我集成地杂质植入，扩散来形成基极及射极层的制造工程及构造的点作为特徴。而且，将闸极电极附加于基极，射极，集极，作为独立的第4个的端子利用之下，借由赋予的闸极电位，可控制提升hfe作为特徴。由以上可提供一种不易受制造偏差的影响，或，可借由闸极端子修正之具有高增益的双极晶体管。

4. 发明专利

TW201507164A 橫向功率半導體電晶體审中-公开
简体标题：横向功率半导体晶体管
公开(公告)号：TW201507164A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103120312
申请日：2014-06-12
申请人：劍橋微電子公司 , CAMBRIDGE MICROELECTRONICS LTD.
发明人：派提拉那法薩達 , PATHIRANA, VASANTHA , 烏都賈波拉尼夏德 , UDUGAMPOLA, NISHAD , 塔傑可菲克湯亞 , TRAJKOVIC, TANYA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/067 , H01L29/0834 , H01L29/423 , H01L29/66325 , H01L29/7394 , H01L29/7398
摘要：本發明大體上關於一種橫向功率半導體電晶體，舉例來說，積體電路中的橫向功率半導體電晶體。明確地說，本發明和橫向絕緣閘雙極電晶體或是其它橫向雙極裝置(例如，PIN二極體)有關。本發明還大體上關於一種提高橫向雙極功率半導體電晶體之切換速度的方法。本發明提供一種橫向雙極功率半導體電晶體，其包括：一具有該第一導電性類型的第一浮動半導體區，其與一陽極/汲極區橫向隔開；一具有該第二導電性類型的第二浮動半導體區，其被放置為橫向相鄰於該第一浮動半導體區；以及一浮動電極，其被放置在該些第一浮動半導體區與第二浮動半導體區上方並且直接接觸該些第一浮動半導體區與第二浮動半導體區。
简体摘要：本发明大体上关于一种横向功率半导体晶体管，举例来说，集成电路中的横向功率半导体晶体管。明确地说，本发明和横向绝缘闸双极晶体管或是其它横向双极设备(例如，PIN二极管)有关。本发明还大体上关于一种提高横向双极功率半导体晶体管之切换速度的方法。本发明提供一种横向双极功率半导体晶体管，其包括：一具有该第一导电性类型的第一浮动半导体区，其与一阳极/汲极区横向隔开；一具有该第二导电性类型的第二浮动半导体区，其被放置为横向相邻于该第一浮动半导体区；以及一浮动电极，其被放置在该些第一浮动半导体区与第二浮动半导体区上方并且直接接触该些第一浮动半导体区与第二浮动半导体区。

5. 发明专利

TW201029178A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201029178A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW099104644
申请日：2006-11-06
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：幡手一成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7394
摘要：提供一種可以提升集極與發射極電流特性、縮短下降時間、且提升寄生閘流晶體管（thyristor）之內鎖耐量的半導體裝置。一種由複數個單位半導體元件所構成之橫型半導體裝置，其中個別之該單位半導體元件包括：第1導電型半導體基板；第2導電型半導體區域，設於該半導體基板；第1導電型集極層，設於該半導體區域中；環狀第1導電型基極層，從該集極層開始隔著間隔以包圍該集極層的方式，設於該半導體區域中；以及第2導電型之第1發射極層，設於該基極層中且呈現環狀配置。其特徵在於：個別之該單位半導體元件係由在形成於該基極層之通道區域控制該第1發射極層與該集極層間載子之移動的IGBT所構成，且該單位半導體元件彼此相鄰而設置。
简体摘要：提供一种可以提升集极与发射极电流特性、缩短下降时间、且提升寄生闸流晶体管（thyristor）之内锁耐量的半导体设备。一种由复数个单位半导体组件所构成之横型半导体设备，其中个别之该单位半导体组件包括：第1导电型半导体基板；第2导电型半导体区域，设于该半导体基板；第1导电型集极层，设于该半导体区域中；环状第1导电型基极层，从该集极层开始隔着间隔以包围该集极层的方式，设于该半导体区域中；以及第2导电型之第1发射极层，设于该基极层中且呈现环状配置。其特征在于：个别之该单位半导体组件系由在形成于该基极层之信道区域控制该第1发射极层与该集极层间载子之移动的IGBT所构成，且该单位半导体组件彼此相邻而设置。

6. 发明专利

TWI307167B 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI307167B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW095130402
申请日：2006-08-18
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：幡手一成 HATADE KAZUNARI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/0696 , H01L29/7394
摘要： [課題] 提供一種半導體裝置,提升集極.射極電流特性,縮短下降時間,進而提升對寄生閘流體的閂鎖耐受度。
[解決手段] 半導體裝置,包含橫向的單位半導體元件,其包括:第1導電型的半導體基板;第2導電型的半導體區域,被設置在半導體基板上;第1導電型的集極層,被設置在半導體區域中;無終端的第1導電型的基極層,被設置在半導體區域中以從集極層隔著間隔並包圍集極層;及第2導電型的第1射極層,被設置在基極層中;其利用被形成在基極層的通道區域控制第1射極層與集極層間的載子的移動。第1射極層係由沿著基極層被設置的複數單位射極層構成。
简体摘要： [课题] 提供一种半导体设备,提升集极.射极电流特性,缩短下降时间,进而提升对寄生晶闸管的闩锁耐受度。 [解决手段] 半导体设备,包含横向的单位半导体组件,其包括:第1导电型的半导体基板;第2导电型的半导体区域,被设置在半导体基板上;第1导电型的集极层,被设置在半导体区域中;无终端的第1导电型的基极层,被设置在半导体区域中以从集极层隔着间隔并包围集极层;及第2导电型的第1射极层,被设置在基极层中;其利用被形成在基极层的信道区域控制第1射极层与集极层间的载子的移动。第1射极层系由沿着基极层被设置的复数单位射极层构成。

7. 发明专利

TW495993B 高電壓絕緣體上矽半導體裝置失效
简体标题：高电压绝缘体上硅半导体设备
公开(公告)号：TW495993B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW089117799
申请日：2000-08-31
申请人：松下電器產業股份有限公司
发明人：上本康裕 , 山下勝重 , 三浦孝
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7812 , H01L21/76286 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/7394 , H01L29/7436 , H01L29/78 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L29/78606 , H01L29/78624 , H01L29/78654 , H01L29/8611
摘要：一種SOI(絕緣體上矽)半導體裝置中，一第一半導體層覆於一半導體基體之上以便把一絕緣層夾在中間、且具一與第二半導體層不同導電型態的第一與第三半導體層係形成於第一半導體層的表面上。在第一半導體層與絕緣層間的介面處，形成一具一種與第一半導體層不同導電型態的第四半導體層。第四半導體層包括一個大於3.0×1012/cm2的雜質以便即使在第二與第三半導體層間施加以一逆向偏壓也不會完全空乏。
简体摘要：一种SOI(绝缘体上硅)半导体设备中，一第一半导体层覆于一半导体基体之上以便把一绝缘层夹在中间、且具一与第二半导体层不同导电型态的第一与第三半导体层系形成于第一半导体层的表面上。在第一半导体层与绝缘层间的界面处，形成一具一种与第一半导体层不同导电型态的第四半导体层。第四半导体层包括一个大于3.0×1012/cm2的杂质以便即使在第二与第三半导体层间施加以一逆向偏压也不会完全空乏。

8. 发明专利

TW306056B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW306056B
公开(公告)日：1997-05-21
申请号：TW085104412
申请日：1996-04-13
申请人：東芝股份有限公司
发明人：遠藤幸一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7824 , H01L27/088 , H01L27/1203 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0834 , H01L29/4236 , H01L29/435 , H01L29/7391 , H01L29/7394 , H01L29/7436 , H01L29/7455 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/7825
摘要：一種導通電阻小之導體裝置及其製造方法，該裝置以填埋於溝部內部之閘極控制通過形成於設在半導體表面之溝部與溝部之間之通道領域之主電流，由閘極直接控制之主電流之方向平行於半導體表面，而主電流從半導體表面分佈於垂直方向。因此，不受半導體表面之面積之限制，可自由的增大通道寬度Ｗ。
简体摘要：一种导通电阻小之导体设备及其制造方法，该设备以填埋于沟部内部之闸极控制通过形成于设在半导体表面之沟部与沟部之间之信道领域之主电流，由闸极直接控制之主电流之方向平行于半导体表面，而主电流从半导体表面分布于垂直方向。因此，不受半导体表面之面积之限制，可自由的增大信道宽度Ｗ。

9. 发明专利

TWI525811B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI525811B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW102114133
申请日：2013-04-22
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：施俊吉 , SZE, JHY JYI , 謝百成 , HSEIH, BIAY CHENG , 伍壽國 , WUU, SHOU GWO
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/66325 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/76224 , H01L29/0696 , H01L29/7393 , H01L29/7394

10. 发明专利

TWI483395B 積體無鎖定隔離閘雙極電晶體有权
简体标题：积体无锁定隔离闸双极晶体管
公开(公告)号：TWI483395B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW096145443
申请日：2007-11-29
申请人：菲爾卻德半導體公司 , FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：蔡軍 , CAI, JUN
IPC分类号： H01L29/739 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/0634 , H01L29/0834 , H01L29/0847

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