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1. 发明专利

TW201813101A 有界閘極之矽控整流器审中-公开
简体标题：有界闸极之硅控整流器
公开(公告)号：TW201813101A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105128104
申请日：2016-08-31
申请人：創意電子股份有限公司 , GLOBAL UNICHIP CORPORATION , 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：林群祐 , LIN, CHUNYU , 柯明道 , KER, MINGDOU , 王文泰 , WANG, WENTAI
IPC分类号： H01L29/74
摘要：本案揭示一種有界閘極之矽控整流器，此有界閘極之矽控整流器包含基板、N型井區、P型井區、第一N型半導體區、第一P型半導體區、第二N型半導體區、第二P型半導體區以及第三半導體區。N型井區與P型井區皆配置於基板之中，第一N型半導體區與第二P型半導體區皆配置於N型井區之中，且連接至陽極端，第一P型半導體區與第二N型半導體區皆配置於P型井區之中，且連接至陰極端。第二N型半導體區與第二P型半導體區皆介於第一N型半導體區與第一P型半導體區之間，第三半導體區介於第二N型半導體區與第二P型半導體區之間。
简体摘要：本案揭示一种有界闸极之硅控整流器，此有界闸极之硅控整流器包含基板、N型井区、P型井区、第一N型半导体区、第一P型半导体区、第二N型半导体区、第二P型半导体区以及第三半导体区。N型井区与P型井区皆配置于基板之中，第一N型半导体区与第二P型半导体区皆配置于N型井区之中，且连接至阳极端，第一P型半导体区与第二N型半导体区皆配置于P型井区之中，且连接至阴极端。第二N型半导体区与第二P型半导体区皆介于第一N型半导体区与第一P型半导体区之间，第三半导体区介于第二N型半导体区与第二P型半导体区之间。

3. 发明专利

TWI590448B 矽控整流器與靜電放電箝制電路有权
简体标题：硅控整流器与静电放电箝制电路
公开(公告)号：TWI590448B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104122413
申请日：2015-07-09
申请人：國立交通大學 , NATIONAL CHIAO-TUNG UNIVERSITY , 奇景光電股份有限公司 , HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：張俊彥 , CHANG, CHUN-YEN , 顏祥修 , YEN, SHIANG-SHIOU , 張邵勤 , CHANG, SHAO-CHIN , 江哲維 , CHIANG, CHE-WEI
IPC分类号： H01L29/74 , H01L27/02

4. 发明专利

TW201539708A 鰭式半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：鳍式半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201539708A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103144803
申请日：2014-12-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/283
CPC分类号： H01L29/74 , H01L21/2255 , H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/41716 , H01L29/66363 , H01L29/785
摘要：揭露了半導體裝置、積體電路裝置及方法之實施例。在一些實施例中，一種半導體裝置可能包括設置於一基板上的一第一鰭片和一第二鰭片。第一鰭片可能具有一部分，包括設置於一第二材料與基板之間的一第一材料、設置於一第三材料與第一材料之間的第二材料、及設置於一第四材料與第二材料之間的第三材料。第一和第三材料可能從外質半導體的一第一類型形成，且第二和第四材料可能從外質半導體之不同的一第二類型形成。第二鰭片可能與第一鰭片側向地分離且與第一、第二、第三或第四材料之至少一者實質上相連。可能揭露及/或主張其他實施例。
简体摘要：揭露了半导体设备、集成电路设备及方法之实施例。在一些实施例中，一种半导体设备可能包括设置于一基板上的一第一鳍片和一第二鳍片。第一鳍片可能具有一部分，包括设置于一第二材料与基板之间的一第一材料、设置于一第三材料与第一材料之间的第二材料、及设置于一第四材料与第二材料之间的第三材料。第一和第三材料可能从外质半导体的一第一类型形成，且第二和第四材料可能从外质半导体之不同的一第二类型形成。第二鳍片可能与第一鳍片侧向地分离且与第一、第二、第三或第四材料之至少一者实质上相连。可能揭露及/或主张其他实施例。

5. 发明专利

TWI485780B 高崩潰電壓二極體及其形成方法有权
简体标题：高崩溃电压二极管及其形成方法
公开(公告)号：TWI485780B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW096135161
申请日：2007-09-20
申请人：微協通用半導體有限責任公司 , VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC
发明人：高隆慶 , KAO, LUNG CHING , 龔璞如 , KUNG, PU JU
IPC分类号： H01L21/332 , H01L29/74
CPC分类号： H01L29/87 , H01L29/0661

6. 发明专利

TWI431774B 半導體裝置及橫向擴散金氧半電晶體有权
简体标题：半导体设备及横向扩散金氧半晶体管
公开(公告)号：TWI431774B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098110629
申请日：2009-03-31
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林靖民 , LIN, JIMMY , 杜尚暉 , TU, SHANG HUI , 蕭銘宏 , HSIAO, MING HORNG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/74 , H01L27/04

7. 发明专利

TW201842672A 具有通過接觸與二極體觸發器耦接的陰極的矽控整流器审中-公开
简体标题：具有通过接触与二极管触发器耦接的阴极的硅控整流器
公开(公告)号：TW201842672A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106139176
申请日：2017-11-13
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：李由 , LI, YOU , 普拉布曼約納塔 , PRABU, MANJUNATHA , 穆罕默德木扎德 , MUHAMMAD, MUJAHID , 卡碧二世約翰B , CAMPI JR., JOHN B. , 卡司爾二世羅伯特J , GAUTHIER JR., ROBERT J. , 米拉索夫柯 , MITRA, SOUVICK
IPC分类号： H01L29/74 , H01L23/60
摘要：本發明揭露矽控整流器、靜電放電電路，以及製造用於靜電放電電路的矽控整流器的方法。用於該矽控整流器的裝置結構包括位於半導體層中的第一導電類型的第一阱，位於該半導體層中的第二導電類型的第二阱，與該第一阱耦接的陰極，以及與該第二阱耦接的陽極。第一及第二體接觸與該第一阱耦接，且該第一及第二體接觸分別具有該第一導電類型。觸發裝置可與該第一體接觸耦接。
简体摘要：本发明揭露硅控整流器、静电放电电路，以及制造用于静电放电电路的硅控整流器的方法。用于该硅控整流器的设备结构包括位于半导体层中的第一导电类型的第一阱，位于该半导体层中的第二导电类型的第二阱，与该第一阱耦接的阴极，以及与该第二阱耦接的阳极。第一及第二体接触与该第一阱耦接，且该第一及第二体接触分别具有该第一导电类型。触发设备可与该第一体接触耦接。

8. 发明专利

TWI626728B 鰭式半導體裝置及方法有权
简体标题：鳍式半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI626728B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106100873
申请日：2014-12-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/283

9. 发明专利

TW201810608A 靜電放電保護電路审中-公开
简体标题：静电放电保护电路
公开(公告)号：TW201810608A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105117397
申请日：2016-06-02
申请人：奇景光電股份有限公司 , HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：鄭嘉士 , CHENG, CHIA SHIH , 蔡青霖 , TSAI, CHING LING
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/74
摘要：本發明提出一種靜電放電保護電路，包括矽控整流器、第一二極體與第二二極體。矽控整流器包括了兩個雙載子接面電晶體。第一雙載子接面電晶體的第一極耦接至矽控整流器的正極。第二雙載子接面電晶體的第一極耦接至第一雙載子接面電晶體的基極，基極耦接至第一雙載子接面電晶體的第二極，第二極耦接至矽控整流器的負極。第一二極體的正極耦接至第一電壓，負極耦接至矽控整流器的正極。第二二極體的正極耦接至第一雙載子接面電晶體的基極，負極耦接至矽控整流器的負極。
简体摘要：本发明提出一种静电放电保护电路，包括硅控整流器、第一二极管与第二二极管。硅控整流器包括了两个双载子接面晶体管。第一双载子接面晶体管的第一极耦接至硅控整流器的正极。第二双载子接面晶体管的第一极耦接至第一双载子接面晶体管的基极，基极耦接至第一双载子接面晶体管的第二极，第二极耦接至硅控整流器的负极。第一二极管的正极耦接至第一电压，负极耦接至硅控整流器的正极。第二二极管的正极耦接至第一双载子接面晶体管的基极，负极耦接至硅控整流器的负极。

10. 发明专利

TW201731073A 鰭式半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：鳍式半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201731073A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106100873
申请日：2014-12-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/283
CPC分类号： H01L29/74 , H01L21/2255 , H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/41716 , H01L29/66363 , H01L29/785
摘要：揭露了半導體裝置、積體電路裝置及方法之實施例。在一些實施例中，一種半導體裝置可能包括設置於一基板上的一第一鰭片和一第二鰭片。第一鰭片可能具有一部分，包括設置於一第二材料與基板之間的一第一材料、設置於一第三材料與第一材料之間的第二材料、及設置於一第四材料與第二材料之間的第三材料。第一和第三材料可能從外質半導體的一第一類型形成，且第二和第四材料可能從外質半導體之不同的一第二類型形成。第二鰭片可能與第一鰭片側向地分離且與第一、第二、第三或第四材料之至少一者實質上相連。可能揭露及/或主張其他實施例。
简体摘要：揭露了半导体设备、集成电路设备及方法之实施例。在一些实施例中，一种半导体设备可能包括设置于一基板上的一第一鳍片和一第二鳍片。第一鳍片可能具有一部分，包括设置于一第二材料与基板之间的一第一材料、设置于一第三材料与第一材料之间的第二材料、及设置于一第四材料与第二材料之间的第三材料。第一和第三材料可能从外质半导体的一第一类型形成，且第二和第四材料可能从外质半导体之不同的一第二类型形成。第二鳍片可能与第一鳍片侧向地分离且与第一、第二、第三或第四材料之至少一者实质上相连。可能揭露及/或主张其他实施例。

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