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1. 发明专利

TW201507164A 橫向功率半導體電晶體审中-公开
简体标题：横向功率半导体晶体管
公开(公告)号：TW201507164A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103120312
申请日：2014-06-12
申请人：劍橋微電子公司 , CAMBRIDGE MICROELECTRONICS LTD.
发明人：派提拉那法薩達 , PATHIRANA, VASANTHA , 烏都賈波拉尼夏德 , UDUGAMPOLA, NISHAD , 塔傑可菲克湯亞 , TRAJKOVIC, TANYA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/067 , H01L29/0834 , H01L29/423 , H01L29/66325 , H01L29/7394 , H01L29/7398
摘要：本發明大體上關於一種橫向功率半導體電晶體，舉例來說，積體電路中的橫向功率半導體電晶體。明確地說，本發明和橫向絕緣閘雙極電晶體或是其它橫向雙極裝置(例如，PIN二極體)有關。本發明還大體上關於一種提高橫向雙極功率半導體電晶體之切換速度的方法。本發明提供一種橫向雙極功率半導體電晶體，其包括：一具有該第一導電性類型的第一浮動半導體區，其與一陽極/汲極區橫向隔開；一具有該第二導電性類型的第二浮動半導體區，其被放置為橫向相鄰於該第一浮動半導體區；以及一浮動電極，其被放置在該些第一浮動半導體區與第二浮動半導體區上方並且直接接觸該些第一浮動半導體區與第二浮動半導體區。
简体摘要：本发明大体上关于一种横向功率半导体晶体管，举例来说，集成电路中的横向功率半导体晶体管。明确地说，本发明和横向绝缘闸双极晶体管或是其它横向双极设备(例如，PIN二极管)有关。本发明还大体上关于一种提高横向双极功率半导体晶体管之切换速度的方法。本发明提供一种横向双极功率半导体晶体管，其包括：一具有该第一导电性类型的第一浮动半导体区，其与一阳极/汲极区横向隔开；一具有该第二导电性类型的第二浮动半导体区，其被放置为横向相邻于该第一浮动半导体区；以及一浮动电极，其被放置在该些第一浮动半导体区与第二浮动半导体区上方并且直接接触该些第一浮动半导体区与第二浮动半导体区。

2. 发明专利

TW200742077A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200742077A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096107984
申请日：2007-03-08
申请人：三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. , 三洋半導體股份有限公司 SANYO SEMICONDUCTOR CO., LTD.
发明人：柳田正道 YANAGIDA, MASAMICHI , 龜山工次郎 KAMEYAMA, KOUJIRO , 岡田喜久雄 OKADA, KIKUO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0886 , H01L29/41716 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L2924/10158
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法,其課題為,在縱型MOS電晶體或IGBT等在半導體基板的縱向流通大電流的半導體裝置中,為了使導通電阻變小,必須進行薄膜化。此時,僅可薄膜化到即使伴隨有熱處理半導體基板亦不會翹起的範圍,導通電阻的減少會有限制。其解決手段為,在半導體基板1的背面側形成溝渠孔等開口部11。接著,以與該開口部11的底部電性連接的方式形成汲極電極12。此時,電流路徑會依據開口部11的深度而變短,所以容易實現低導通電阻。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法,其课题为,在纵型MOS晶体管或IGBT等在半导体基板的纵向流通大电流的半导体设备中,为了使导通电阻变小,必须进行薄膜化。此时,仅可薄膜化到即使伴随有热处理半导体基板亦不会翘起的范围,导通电阻的减少会有限制。其解决手段为,在半导体基板1的背面侧形成沟渠孔等开口部11。接着,以与该开口部11的底部电性连接的方式形成汲极电极12。此时,电流路径会依据开口部11的深度而变短,所以容易实现低导通电阻。

3. 发明专利

TWI355076B 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI355076B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW096107984
申请日：2007-03-08
申请人：三洋電機股份有限公司 , 三洋半導體股份有限公司
发明人：柳田正道 , 龜山工次郎 , 岡田喜久雄
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0886 , H01L29/41716 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7398 , H01L29/7809 , H01L29/7813 , H01L2924/10158
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，其課題為，在縱型MOS電晶體或IGBT等在半導體基板的縱向流通大電流的半導體裝置中，為了使導通電阻變小，必須進行薄膜化。此時，僅可薄膜化到即使伴隨有熱處理半導體基板亦不會翹起的範圍，導通電阻的減少會有限制。
其解決手段為，在半導體基板1的背面側形成溝渠孔等開口部11。接著，以與該開口部11的底部電性連接的方式形成汲極電極12。此時，電流路徑會依據開口部11的深度而變短，所以容易實現低導通電阻。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法，其课题为，在纵型MOS晶体管或IGBT等在半导体基板的纵向流通大电流的半导体设备中，为了使导通电阻变小，必须进行薄膜化。此时，仅可薄膜化到即使伴随有热处理半导体基板亦不会翘起的范围，导通电阻的减少会有限制。其解决手段为，在半导体基板1的背面侧形成沟渠孔等开口部11。接着，以与该开口部11的底部电性连接的方式形成汲极电极12。此时，电流路径会依据开口部11的深度而变短，所以容易实现低导通电阻。

4. 发明专利

TW293180B 混合式肖特基注入場效電晶體失效
简体标题：混合式肖特基注入场效应管
公开(公告)号：TW293180B
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：TW085101750
申请日：1996-02-12
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：金栽亨 , 金翰秀 , 崔然益 , 韓民九
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7394 , H01L29/7398
摘要：一種混合式肖特基注入場效電晶體，混合式肖特基注入場效電晶體包括：第二導電型態的第一及第二擴散區域，被形成於該矽層之一主要表面上，且其二者為分離；該第一導電型態之一第三擴散區域，形成於該第一擴散區域之內；一隔離層從該第三擴散區域之一部份覆蓋於該第二擴散區域之上；一閘極電極形成於該第一及第三擴散區域及該矽層上之該隔離層之上；一陰極電極，連接至該第三擴散區域與該第一擴散區域；一陽極電極，在形成於該矽層內從一閘極隔離層經過該第二擴散區域的一個溝槽內被填滿電極材料，藉此集中該陽極電極上之該第三擴散區域之電子電流。
简体摘要：一种混合式肖特基注入场效应管，混合式肖特基注入场效应管包括：第二导电型态的第一及第二扩散区域，被形成于该硅层之一主要表面上，且其二者为分离；该第一导电型态之一第三扩散区域，形成于该第一扩散区域之内；一隔离层从该第三扩散区域之一部份覆盖于该第二扩散区域之上；一闸极电极形成于该第一及第三扩散区域及该硅层上之该隔离层之上；一阴极电极，连接至该第三扩散区域与该第一扩散区域；一阳极电极，在形成于该硅层内从一闸极隔离层经过该第二扩散区域的一个沟槽内被填满电极材料，借此集中该阳极电极上之该第三扩散区域之电子电流。

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