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1. 发明专利

TW201611239A 半導體元件审中-公开
简体标题：半导体组件
公开(公告)号：TW201611239A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104105673
申请日：2015-02-17
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：岩津泰徳 , IWATSU, YASUNORI , 猪原正弘 , INOHARA, MASAHIRO
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/07 , H01L29/70 , H01L29/772 , H01L21/74 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/0623 , H01L21/761 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/083 , H01L29/402 , H01L29/732 , H01L29/7393 , H01L29/7436 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/8611
摘要：本發明係一種半導體元件，其中，實施形態係提供具備：半導體基板，和加以設置於前述半導體基板上之半導體層，其中，具有：擁有第1部分，與在對於前述半導體基板與前述半導體層之層積方向而言為垂直之第1方向中，與前述第1部分排列之第2部分之第1範圍；和具有加以設置於前述第1部分表面之第1導電形的第2範圍；和具有在前述第1部分之表面中，加以設置於前述第2部分與前述第2範圍之間，與前述第2部分與前述第2範圍隔開之第2導電形的第3範圍；和具有在前述第1部分之表面中，加以設置於前述第2部分與前述第3範圍之間，與前述第2部分鄰接之前述第1導電形的第4範圍；和具有加以設置於前述第4範圍之表面的前述第2導電形之第5範圍的半導體層；和在前述半導體層上中，加以設置於前述第5範圍與前述第2部分之間的第1電極；和加以設置於前述半導體層與前述第1電極之間的第1絕緣膜之半導體元件。
简体摘要：本发明系一种半导体组件，其中，实施形态系提供具备：半导体基板，和加以设置于前述半导体基板上之半导体层，其中，具有：拥有第1部分，与在对于前述半导体基板与前述半导体层之层积方向而言为垂直之第1方向中，与前述第1部分排列之第2部分之第1范围；和具有加以设置于前述第1部分表面之第1导电形的第2范围；和具有在前述第1部分之表面中，加以设置于前述第2部分与前述第2范围之间，与前述第2部分与前述第2范围隔开之第2导电形的第3范围；和具有在前述第1部分之表面中，加以设置于前述第2部分与前述第3范围之间，与前述第2部分邻接之前述第1导电形的第4范围；和具有加以设置于前述第4范围之表面的前述第2导电形之第5范围的半导体层；和在前述半导体层上中，加以设置于前述第5范围与前述第2部分之间的第1电极；和加以设置于前述半导体层与前述第1电极之间的第1绝缘膜之半导体组件。

2. 发明专利

TWI456756B 靜電放電防護裝置及其靜電放電防護電路有权
简体标题：静电放电防护设备及其静电放电防护电路
公开(公告)号：TWI456756B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100149194
申请日：2011-12-28
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳偉梵 , CHEN, WEI FAN
IPC分类号： H01L29/74 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436 , H01L29/87

3. 发明专利

TW201244060A 電源管理電路及其中之高電壓元件 POWER MANAGEMENT CIRCUIT AND HIGH VOLTAGE DEVICE THEREIN 审中-公开
简体标题：电源管理电路及其中之高电压组件 POWER MANAGEMENT CIRCUIT AND HIGH VOLTAGE DEVICE THEREIN
公开(公告)号：TW201244060A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100114704
申请日：2011-04-27
申请人：新唐科技股份有限公司
发明人：陳哲宏 , 蘇郁迪
IPC分类号： H01L , H02H
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/0847 , H01L29/42368 , H01L29/7436 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/87
摘要：一種高電壓元件,包含高電壓電晶體以及防護元件。高電壓元件具有第一端以及第二端,其中第一端耦接電壓輸出入端。防護元件耦接於高電壓電晶體的第二端以及接地端之間,且防護元件中寄生有等效電路。當電壓輸出入端依據靜電放電電荷而帶電時,靜電放電電荷所對應的電流自電壓輸出入端經過高電壓電晶體和防護元件中的等效電路流往接地端。此外,一種電源管理電路亦在此揭露。
简体摘要：一种高电压组件,包含高电压晶体管以及防护组件。高电压组件具有第一端以及第二端,其中第一端耦接电压输出入端。防护组件耦接于高电压晶体管的第二端以及接地端之间,且防护组件中寄生有等效电路。当电压输出入端依据静电放电电荷而带电时,静电放电电荷所对应的电流自电压输出入端经过高电压晶体管和防护组件中的等效电路流往接地端。此外,一种电源管理电路亦在此揭露。

4. 发明专利

TW201242010A 靜電放電防護裝置及其靜電放電防護電路 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE AND ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT THEREOF 审中-公开
简体标题：静电放电防护设备及其静电放电防护电路 ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION DEVICE AND ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW201242010A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100149194
申请日：2011-12-28
申请人：南亞科技股份有限公司
发明人：陳偉梵
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436 , H01L29/87
摘要：靜電放電防護裝置包括一基底、一井區、一第一摻雜區以及一第二摻雜區。基底具有一第一導電型,且基底與一第一電源節點電性連接。井區具有一第二導電型,且設置於基底中。第一摻雜區具有第一導電型,且設置於井區中。第一摻雜區以及井區與一第二電源節點電性連接。第二摻雜區具有第二導電型,且設置於基底中。第二摻雜區係處於浮接狀態。
简体摘要：静电放电防护设备包括一基底、一井区、一第一掺杂区以及一第二掺杂区。基底具有一第一导电型,且基底与一第一电源节点电性连接。井区具有一第二导电型,且设置于基底中。第一掺杂区具有第一导电型,且设置于井区中。第一掺杂区以及井区与一第二电源节点电性连接。第二掺杂区具有第二导电型,且设置于基底中。第二掺杂区系处于浮接状态。

5. 发明专利

TW201030939A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW201030939A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW099108647
申请日：2004-03-03
申请人：羅姆股份有限公司
发明人：小島敏明
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要：一種半導體裝置係具有p型基板、形成於該p型基板中的低濃度n型區域、形成於該低濃度n型區域中並連接至第一電極之第一高濃度p型區域,形成於該低濃度n型區域中並透過電阻元件連接至該第一電極之第一高濃度n型區域,鄰接於該第一高濃度n型區域而形成的低濃度p型區域,形成於p型基板中並連接至第二電極之第二高濃度n型區域與第二高濃度p型區域,以及形成於該低濃度p型區域與該第二高濃度n型區域間之元件分離部。透過該半導體裝置可精確的控制靜電保護電路之切換特性並因此用以應付受到保護電路保護之閘極氧化薄膜的薄型化。
简体摘要：一种半导体设备系具有p型基板、形成于该p型基板中的低浓度n型区域、形成于该低浓度n型区域中并连接至第一电极之第一高浓度p型区域,形成于该低浓度n型区域中并透过电阻组件连接至该第一电极之第一高浓度n型区域,邻接于该第一高浓度n型区域而形成的低浓度p型区域,形成于p型基板中并连接至第二电极之第二高浓度n型区域与第二高浓度p型区域,以及形成于该低浓度p型区域与该第二高浓度n型区域间之组件分离部。透过该半导体设备可精确的控制静电保护电路之切换特性并因此用以应付受到保护电路保护之闸极氧化薄膜的薄型化。

6. 发明专利

TW200937615A 靜電放電保護裝置及具備其之半導體積體電路失效
简体标题：静电放电保护设备及具备其之半导体集成电路
公开(公告)号：TW200937615A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097140474
申请日：2008-10-22
申请人：夏普股份有限公司 SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人：川添豪哉 KAWAZOE, HIDECHIKA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7436 , H01L27/0262
摘要：本發明係提供一種可縮小佈局尺寸,在靜電放電導致過電流流入時,可利用低的接通電壓抑制對半導體積體電路施加過電壓之閘流體構造之靜電保護裝置。本發明之靜電放電保護裝置包含:第1導電型之半導體基板1;第2導電型之井2;第1雜質區域6,其係形成於半導體基板表面之第2導電型且雜質濃度高於井之成為陰極及陽極之一方;第1接觸雜質區域7,其係形成於半導體基板表面之第1導電型且雜質濃度高於半導體基板;第2雜質區域4,其係在井表面上接觸於井表面而形成之第1導電型且成為陰極及陽極之另一方;第2接觸雜質區域5,其係形成於井表面之第2導電型且雜質濃度高於井;及境界雜質區域8,其係跨過半導體基板與井之境界區域之半導體基板表面與井表面之雙方而形成之第2導電型且雜質濃度高於井。
简体摘要：本发明系提供一种可缩小布局尺寸,在静电放电导致过电流流入时,可利用低的接通电压抑制对半导体集成电路施加过电压之晶闸管构造之静电保护设备。本发明之静电放电保护设备包含:第1导电型之半导体基板1;第2导电型之井2;第1杂质区域6,其系形成于半导体基板表面之第2导电型且杂质浓度高于井之成为阴极及阳极之一方;第1接触杂质区域7,其系形成于半导体基板表面之第1导电型且杂质浓度高于半导体基板;第2杂质区域4,其系在井表面上接触于井表面而形成之第1导电型且成为阴极及阳极之另一方;第2接触杂质区域5,其系形成于井表面之第2导电型且杂质浓度高于井;及境界杂质区域8,其系跨过半导体基板与井之境界区域之半导体基板表面与井表面之双方而形成之第2导电型且杂质浓度高于井。

7. 发明专利

TW200845353A 用以保護一內部積體電路之半導體結構及其製造方法 A SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PROTECTING AN INTERNAL INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：用以保护一内部集成电路之半导体结构及其制造方法 A SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PROTECTING AN INTERNAL INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW200845353A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097102718
申请日：2008-01-24
申请人：崇貿科技股份有限公司 SYSTEM GENERAL CORP.
发明人：黃志豐 HUANG, CHIH FENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436 , H01L29/87
摘要：一種半導體結構,用以保護一內部積體電路,其半導體結構包括:一基板;複數個第一摻雜區形成在基板中且位在一N型井之內;複數個第二摻雜區形成在基板中且位在一P型井之內;一N型區(N+ section)形成在基板中且包圍住N型井與P型井;一銲墊(pad)形成在基板之上且電性連接於至少一第一摻雜區;以及一第一接地端和一第二接地端分別位在與N型區之外側和內側相對應處。並且第二摻雜區係與第一摻雜區分隔,而在N型區內之第一和第二摻雜區與基板係藉由N型區分隔。此外第二接地端係電性連接於至少一第二摻雜區。
简体摘要：一种半导体结构,用以保护一内部集成电路,其半导体结构包括:一基板;复数个第一掺杂区形成在基板中且位在一N型井之内;复数个第二掺杂区形成在基板中且位在一P型井之内;一N型区(N+ section)形成在基板中且包围住N型井与P型井;一焊垫(pad)形成在基板之上且电性连接于至少一第一掺杂区;以及一第一接地端和一第二接地端分别位在与N型区之外侧和内侧相对应处。并且第二掺杂区系与第一掺杂区分隔,而在N型区内之第一和第二掺杂区与基板系借由N型区分隔。此外第二接地端系电性连接于至少一第二掺杂区。

8. 发明专利

TWI287289B 半導體裝置、高壓P型金氧半導體裝置以及具有靜電放電防護功能之高壓P型金氧半導體裝置的製造方法 EMBEDDED SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) FOR HVPMOS ESD PROTECTION 有权
简体标题：半导体设备、高压P型金属氧化物半导体设备以及具有静电放电防护功能之高压P型金属氧化物半导体设备的制造方法 EMBEDDED SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) FOR HVPMOS ESD PROTECTION
公开(公告)号：TWI287289B
公开(公告)日：2007-09-21
申请号：TW095100756
申请日：2006-01-09
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：李建興 LEE, JIAN HSING , 鐘于彰 JONG, YU CHANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L27/0262 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/7436
摘要：一種具有靜電放電防護功能的高壓P型金氧半電晶體之半導體裝置包括P型金氧半電晶體、N型埋藏層以及P型基底。P型金氧半電晶體包括設置於高壓P井區中且摻雜P型雜質的第一源/汲極區，設置於高壓N井區中且摻雜 P型雜質的第二源/汲極區，高壓P井區係與高壓N井區實體接觸，與第一源/汲極區實體接觸的場區係大體設置接近高壓P井區與高壓N井區的接面，且大體設置於閘極介電層下；以及具有高摻雜濃度的第一N型區係設置於高壓P井區中，並相鄰於第一源/汲極區。具有高摻雜濃度的N型埋藏層係設置於高壓P井區與高壓N井區下方。P型基底係設置於N型埋藏層下方。
简体摘要：一种具有静电放电防护功能的高压P型金氧半晶体管之半导体设备包括P型金氧半晶体管、N型埋藏层以及P型基底。P型金氧半晶体管包括设置于高压P井区中且掺杂P型杂质的第一源/汲极区，设置于高压N井区中且掺杂 P型杂质的第二源/汲极区，高压P井区系与高压N井区实体接触，与第一源/汲极区实体接触的场区系大体设置接近高压P井区与高压N井区的接面，且大体设置于闸极介电层下；以及具有高掺杂浓度的第一N型区系设置于高压P井区中，并相邻于第一源/汲极区。具有高掺杂浓度的N型埋藏层系设置于高压P井区与高压N井区下方。P型基底系设置于N型埋藏层下方。

9. 发明专利

TWI284975B 靜電放電保護電路及其製造方法 ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
简体标题：静电放电保护电路及其制造方法 ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TWI284975B
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW094147862
申请日：2005-12-30
申请人：美格納半導體有限公司 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金吉浩 KIM, KIL-HO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/87 , H01L27/0262 , H01L29/7436 , H01L29/749
摘要：本發明揭示一種使用一N型延伸汲極矽控整流器(N-type extended drain silicon controlled rectifier N-EDSCR)之靜電放電保護電路(ESD)及一種用以製造該靜電放電保護電路之方法。一靜電放電(ESD)保護電路包括一基板、一形成於在基板內之井、一與該井有一預定部分重疊之漂移區域、分別形成於該井與該漂移區域內之複數個第一擴散層、分別形成於該井與該漂移區域內之複數個第二擴散層，其中該井內之諸對應第一與第二擴散層彼此分離形成且該漂移區域內之諸對應第一與第二擴散層彼此相鄰形成，一以環繞一第二導電型式擴散層方式形成於該井內部之源極區域、及一形成於該井上介於該源極與該漂移區域間之閘極電極。
简体摘要：本发明揭示一种使用一N型延伸汲极硅控整流器(N-type extended drain silicon controlled rectifier N-EDSCR)之静电放电保护电路(ESD)及一种用以制造该静电放电保护电路之方法。一静电放电(ESD)保护电路包括一基板、一形成于在基板内之井、一与该井有一预定部分重叠之漂移区域、分别形成于该井与该漂移区域内之复数个第一扩散层、分别形成于该井与该漂移区域内之复数个第二扩散层，其中该井内之诸对应第一与第二扩散层彼此分离形成且该漂移区域内之诸对应第一与第二扩散层彼此相邻形成，一以环绕一第二导电型式扩散层方式形成于该井内部之源极区域、及一形成于该井上介于该源极与该漂移区域间之闸极电极。

10. 发明专利

TWI236129B 矽控整流器 SILICON CONTROLLED RECTIFIER 失效
简体标题：硅控整流器 SILICON CONTROLLED RECTIFIER
公开(公告)号：TWI236129B
公开(公告)日：2005-07-11
申请号：TW093109340
申请日：2004-04-05
申请人：華邦電子股份有限公司 WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：曾仁洲 TSENG, JEN CHOU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0262 , H01L29/7436
摘要：一種矽控整流器，包括第一導電型基底、二第二導電型深井區、閘極、第一源極/汲極、第二源極/汲極、第一導電型摻雜區以及第一導電型浮接摻雜區。其中，第二導電型深井區係有間距地配置在第一導電型基底中。閘極係配置於第一導電型基底上，並位於二第二導電型深井區之間。第一及第二源極/汲極分別配置在二第二導電型深井區之表面。第一導電型摻雜區係配置在第一導電型基底的表面，而第一導電型浮接摻雜區係與第一源極/汲極相鄰地配置在第二導電型深井區之中，以與第一源極/汲極構成等效齊納二極體，使此矽控整流器具有高維持電壓之特性。
简体摘要：一种硅控整流器，包括第一导电型基底、二第二导电型深井区、闸极、第一源极/汲极、第二源极/汲极、第一导电型掺杂区以及第一导电型浮接掺杂区。其中，第二导电型深井区系有间距地配置在第一导电型基底中。闸极系配置于第一导电型基底上，并位于二第二导电型深井区之间。第一及第二源极/汲极分别配置在二第二导电型深井区之表面。第一导电型掺杂区系配置在第一导电型基底的表面，而第一导电型浮接掺杂区系与第一源极/汲极相邻地配置在第二导电型深井区之中，以与第一源极/汲极构成等效齐纳二极管，使此硅控整流器具有高维持电压之特性。

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