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1. 发明专利

TW202030855A 靜電放電(ESD)保護元件與電路及製造ESD保護元件的方法审中-公开
简体标题：静电放电(ESD)保护组件与电路及制造ESD保护组件的方法
公开(公告)号：TW202030855A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108104865
申请日：2019-02-13
申请人：新唐科技股份有限公司 , NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：吳祖儀 , WU, TSU-YI , 黃堯峯 , HUANG, YAO-FENG
IPC分类号： H01L23/60
摘要：一種靜電放電保護元件，包括氮化鎵層，設置在一基底上。氮化鋁鎵層設置在該氮化鎵層上。閘極絕緣層設置在該氮化鋁鎵層上。閘極結構設置在該閘極絕緣層上。金屬場板層設置在該閘極結構上。源極結構在該閘極結構的第一邊設置該氮化鎵層上，穿過該氮化鋁鎵層與該閘極絕緣層。汲極結構在該閘極結構的第二邊設置該氮化鎵層上，穿過該氮化鋁鎵層與該閘極絕緣層。該金屬場板層延伸到與該汲極結構距離一長度，以提供相對該汲極結構之間的一寄生電容。該寄生電容還包括該金屬場板層與該氮化鎵層形成的電容。
简体摘要：一种静电放电保护组件，包括氮化镓层，设置在一基底上。氮化铝镓层设置在该氮化镓层上。闸极绝缘层设置在该氮化铝镓层上。闸极结构设置在该闸极绝缘层上。金属场板层设置在该闸极结构上。源极结构在该闸极结构的第一边设置该氮化镓层上，穿过该氮化铝镓层与该闸极绝缘层。汲极结构在该闸极结构的第二边设置该氮化镓层上，穿过该氮化铝镓层与该闸极绝缘层。该金属场板层延伸到与该汲极结构距离一长度，以提供相对该汲极结构之间的一寄生电容。该寄生电容还包括该金属场板层与该氮化镓层形成的电容。

2. 发明专利

TWI699063B 靜電放電防護電路、具有靜電放電防護功能的顯示面板、以及靜電放電防護結構有权
简体标题：静电放电防护电路、具有静电放电防护功能的显示皮肤、以及静电放电防护结构
公开(公告)号：TWI699063B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108112751
申请日：2019-04-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：奚鵬博 , XI, PENG BO
IPC分类号： H02H9/00 , H01L23/60

3. 发明专利

TW202023137A 用於接收器之靜電放電防護的方法、以及接收器审中-公开
简体标题：用于接收器之静电放电防护的方法、以及接收器
公开(公告)号：TW202023137A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107144398
申请日：2018-12-10
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORP.
发明人：羅國元 , LUO, GUO-YUAN , 顏守德 , YEN, SHOU-TE , 陳彥鈞 , CHEN, YAN-JYUN
IPC分类号： H02H1/00 , H01L23/60
摘要：本發明提供一種用於一接收器之靜電放電防護的方法、以及相關接收器。該接收器可包含一參考電壓端子、一偵測端子、至少一組接收端子以及至少一組終端電阻。該方法可包含：依據該偵測端子之電壓位準，產生一偵測結果；以及依據該偵測結果控制是否將所述至少一組終端電阻分別耦接於所述至少一組接收端子與該參考電壓端子之間。
简体摘要：本发明提供一种用于一接收器之静电放电防护的方法、以及相关接收器。该接收器可包含一参考电压端子、一侦测端子、至少一组接收端子以及至少一组终端电阻。该方法可包含：依据该侦测端子之电压位准，产生一侦测结果；以及依据该侦测结果控制是否将所述至少一组终端电阻分别耦接于所述至少一组接收端子与该参考电压端子之间。

4. 发明专利

TW202018906A 集成電路靜電放電總線結構和相關方法审中-公开
简体标题：集成电路静电放电总线结构和相关方法
公开(公告)号：TW202018906A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW107143912
申请日：2018-12-06
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
发明人：李志國 , LI, ZHIGUO
IPC分类号： H01L23/60 , H01L21/768
摘要：一種集成電路靜電放電總線結構包含一電路區域；多個靜電放電總線；多個接墊群組，相鄰並連接該多個靜電放電總線；一共同靜電放電總線，相鄰該多個接墊群組；以及多個結合線，用來連接該多個接墊群組到該共同靜電放電總線。
简体摘要：一种集成电路静电放电总线结构包含一电路区域；多个静电放电总线；多个接垫群组，相邻并连接该多个静电放电总线；一共同静电放电总线，相邻该多个接垫群组；以及多个结合线，用来连接该多个接垫群组到该共同静电放电总线。

5. 发明专利

TW202018900A 半導體封裝审中-公开
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TW202018900A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108115592
申请日：2019-05-06
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：張珉碩 , JANG, MIN SEK
IPC分类号： H01L23/538 , H01L23/544 , H01L23/60
摘要：一種半導體封裝，包括：連接結構，包括絕緣層、配線層及連接通孔，配線層設置於絕緣層上，連接通孔貫穿絕緣層且連接至所述配線層；框架，設置於連接結構上且具有一或多個貫穿孔；半導體晶片及被動組件，在連接結構上設置於框架的一或多個貫穿孔中；第一包封體，覆蓋框架及被動組件的至少部分；框架配線層，設置於框架上；以及位置識別標記，在所述框架上設置於半導體晶片周圍且與框架配線層間隔開。位置識別標記的至少部分不被所述第一包封體覆蓋。
简体摘要：一种半导体封装，包括：连接结构，包括绝缘层、配线层及连接通孔，配线层设置于绝缘层上，连接通孔贯穿绝缘层且连接至所述配线层；框架，设置于连接结构上且具有一或多个贯穿孔；半导体芯片及被动组件，在连接结构上设置于框架的一或多个贯穿孔中；第一包封体，覆盖框架及被动组件的至少部分；框架配线层，设置于框架上；以及位置识别标记，在所述框架上设置于半导体芯片周围且与框架配线层间隔开。位置识别标记的至少部分不被所述第一包封体覆盖。

6. 发明专利

TWI692845B 使用具有導電性的模製材料之電子電路封裝有权
简体标题：使用具有导电性的模制材料之电子电路封装
公开(公告)号：TWI692845B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107143246
申请日：2018-12-03
申请人：日商TDK股份有限公司 , TDK CORPORATION
发明人：川畑賢一 , KAWABATA, KENICHI
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/60 , H01L23/12

7. 发明专利

TWI685941B 防止觸電的裝置以及包含該裝置的電子裝置有权
简体标题：防止触电的设备以及包含该设备的电子设备
公开(公告)号：TWI685941B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：TW105114061
申请日：2016-05-06
申请人：南韓商英諾晶片科技股份有限公司 , INNOCHIPS TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：朴寅吉 , PARK, IN KIL , 盧泰亨 , NOH, TAE HYUNG , 趙承勳 , CHO, SEUNG HUN , 許星珍 , HEO, SUNG JIN , 李東錫 , LEE, DONG SUK , 申旻燮 , SHIN, MIN SUB
IPC分类号： H01L23/60

8. 发明专利

TW202008588A 改善靜電放電防護能力之暫態電壓抑制裝置审中-公开
简体标题：改善静电放电防护能力之暂态电压抑制设备
公开(公告)号：TW202008588A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108124534
申请日：2019-07-11
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：陳致維 , CHEN, CHIH-WEI , 沈佑書 , SHEN, YU-SHU , 林昆賢 , LIN, KUN-HSIEN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L23/60 , H01L27/04
摘要：本發明係揭露一種改善靜電放電防護能力之暫態電壓抑制裝置，包含屬於第一導電型之一半導體基板、屬於第二導電型之一第一摻雜井區、屬於第一導電型之一第一重摻雜區、屬於第二導電型之一第二摻雜井區、屬於第一導電型之一第二重摻雜區與一第一電流阻擋結構。第一摻雜井區設於半導體基板中，第一重摻雜區設於第一摻雜井區中，第二摻雜井區設於半導體基板中，第二重摻雜區設於第二摻雜井區中。第一電流阻擋結構設於半導體基板中，並與半導體基板之底部相隔，且設於第一摻雜井區與第二摻雜井區之間。
简体摘要：本发明系揭露一种改善静电放电防护能力之暂态电压抑制设备，包含属于第一导电型之一半导体基板、属于第二导电型之一第一掺杂井区、属于第一导电型之一第一重掺杂区、属于第二导电型之一第二掺杂井区、属于第一导电型之一第二重掺杂区与一第一电流阻挡结构。第一掺杂井区设于半导体基板中，第一重掺杂区设于第一掺杂井区中，第二掺杂井区设于半导体基板中，第二重掺杂区设于第二掺杂井区中。第一电流阻挡结构设于半导体基板中，并与半导体基板之底部相隔，且设于第一掺杂井区与第二掺杂井区之间。

9. 发明专利

TW202008555A 垂直式暫態電壓抑制裝置审中-公开
简体标题：垂直式暂态电压抑制设备
公开(公告)号：TW202008555A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108124364
申请日：2019-07-10
申请人：晶焱科技股份有限公司 , AMAZING MICROELECTRONIC CORP.
发明人：林昆賢 , LIN, KUN-HSIEN , 陳致維 , CHEN, CHIH-WEI , 范美蓮 , FAN, MEI-LIAN
IPC分类号： H01L23/60 , H02H9/02
摘要：本發明係揭露一種垂直式暫態電壓抑制裝置，包含屬於第一導電型之一半導體基板、屬於第二導電型之一第一摻雜井區、屬於第一導電型之一第一重摻雜區、屬於第一導電型之一第二重摻雜區與一二極體。第一摻雜井區設於半導體基板中，並與半導體基板之底部相隔，第一摻雜井區浮接。第一重摻雜區設於第一摻雜井區中，第二重摻雜區設於半導體基板中。二極體設於半導體基板中，並經由一導電線電性連接第二重摻雜區。
简体摘要：本发明系揭露一种垂直式暂态电压抑制设备，包含属于第一导电型之一半导体基板、属于第二导电型之一第一掺杂井区、属于第一导电型之一第一重掺杂区、属于第一导电型之一第二重掺杂区与一二极管。第一掺杂井区设于半导体基板中，并与半导体基板之底部相隔，第一掺杂井区浮接。第一重掺杂区设于第一掺杂井区中，第二重掺杂区设于半导体基板中。二极管设于半导体基板中，并经由一导电线电性连接第二重掺杂区。

10. 发明专利

TW202005044A 電磁干擾屏蔽結構以及具有該結構的半導體封裝审中-公开
简体标题：电磁干扰屏蔽结构以及具有该结构的半导体封装
公开(公告)号：TW202005044A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW107135642
申请日：2018-10-09
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金雲天 , KIM, WOON CHUN , 沈智慧 , SHIM, JI HYE , 朴俊炯 , PARK, JUN HEYOUNG
IPC分类号： H01L23/60
摘要：一種電磁干擾屏蔽結構包括基底層及設置於所述基底層上的電磁干擾屏蔽層。所述電磁屏蔽層包括多個多孔導體層，所述多孔導體層中的每一者具有多個開口，且所述多孔導體層沿堆疊方向堆疊於彼此上。一種半導體封裝包括所述電磁干擾屏蔽結構。
简体摘要：一种电磁干扰屏蔽结构包括基底层及设置于所述基底层上的电磁干扰屏蔽层。所述电磁屏蔽层包括多个多孔导体层，所述多孔导体层中的每一者具有多个开口，且所述多孔导体层沿堆栈方向堆栈于彼此上。一种半导体封装包括所述电磁干扰屏蔽结构。

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