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1. 发明专利

TW200849636A 具有電磁波雕刻刻痕之半導體基板、具包含該半導體基板之半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH ELECTROMAGNETIC-WAVE-SCRIBED NICKS, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH SUCH SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：具有电磁波雕刻刻痕之半导体基板、具包含该半导体基板之半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH ELECTROMAGNETIC-WAVE-SCRIBED NICKS, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH SUCH SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF
公开(公告)号：TW200849636A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096119657
申请日：2007-06-01
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH, INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 蔡炯棋 TSAI, CHIUNG CHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/3043 , H01L29/30
摘要：本發明揭露一種供一半導體發光元件磊晶之基板及其製造方法。根據本發明之基板之一上表面具有複數個電磁波雕刻之刻痕,其中該半導體發光元件之磊晶係執行於該基板之該上表面上。
简体摘要：本发明揭露一种供一半导体发光组件磊晶之基板及其制造方法。根据本发明之基板之一上表面具有复数个电磁波雕刻之刻痕,其中该半导体发光组件之磊晶系运行于该基板之该上表面上。

3. 发明专利

TWI574409B 半導體結構與其形成方法有权
简体标题：半导体结构与其形成方法
公开(公告)号：TWI574409B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104126493
申请日：2015-08-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 楊懷德 , YANG, HUAI TEI , 游國豐 , YU, KUO FENG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/12 , H01L29/26 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/26 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/30 , H01L29/36 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/785

4. 发明专利

TWI453802B 離子植入裝置及離子植入方法有权
简体标题：离子植入设备及离子植入方法
公开(公告)号：TWI453802B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW096150043
申请日：2007-12-25
申请人：國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO , 後藤哲也 , GOTO, TETSUYA , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/317
CPC分类号： H01L21/265 , H01J37/3222 , H01J37/32412 , H01J37/32706 , H01J2237/20 , H01J2237/26 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L29/30 , H01L29/7833

5. 发明专利

TW201244081A 三族氮化物元件結構與形成方法 III-N DEVICE STRUCTURES AND METHODS 审中-公开
简体标题：三族氮化物组件结构与形成方法 III-N DEVICE STRUCTURES AND METHODS
公开(公告)号：TW201244081A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW101103390
申请日：2012-02-02
申请人：全斯法姆公司
发明人：帕立克波利米特 , 朵拉尤法拉 , 吳毅鋒 , 米喜拉鄔梅西 , 費希滕寶尼可拉斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/34 , H01L21/02118 , H01L21/0254 , H01L21/486 , H01L21/76254 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L29/0657 , H01L29/1075 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/30 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本案描述一種三族氮化物元件,該元件含有三族氮化物層(III-N層)、位於三族氮化物層上之電極、與該III-N層和該電極鄰接之鈍化層、與該鈍化層和該電極鄰接的厚絕緣層、能傳遞大量的熱(substantial heat)離開該III-N元件之高熱傳導性載體及位於該厚絕緣層和該載體之間的接合層。該接合層使該厚絕緣層附著於該載體。該厚絕緣層能具有精準控制之厚度並能導熱。
简体摘要：本案描述一种三族氮化物组件,该组件含有三族氮化物层(III-N层)、位于三族氮化物层上之电极、与该III-N层和该电极邻接之钝化层、与该钝化层和该电极邻接的厚绝缘层、能传递大量的热(substantial heat)离开该III-N组件之高热传导性载体及位于该厚绝缘层和该载体之间的接合层。该接合层使该厚绝缘层附着于该载体。该厚绝缘层能具有精准控制之厚度并能导热。

6. 发明专利

TW201711197A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201711197A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105102381
申请日：2016-01-26
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：鈴木拓馬 , SUZUKI, TAKUMA , 河野洋志 , KONO, HIROSHI
IPC分类号： H01L29/43 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/047 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/1037 , H01L29/30 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7802
摘要：實施形態之半導體裝置包括：SiC層，其具有第1面及第2面；閘極絕緣膜，其設置於第1面上；閘極電極，其設置於閘極絕緣膜上；第1導電型之第1SiC區域，其設置於SiC層內，且一部分設置於第1面；第2導電型之第2SiC區域，其設置於第1SiC區域內，且一部分設置於第1面；第1導電型之第3SiC區域，其設置於第2SiC區域內，且一部分設置於第1面；第1導電型之第4SiC區域，其設置於第2SiC區域與閘極絕緣膜之間，於第1面由第2SiC區域夾著，且於第1面設置於第1SiC區域與第3SiC區域之間。
简体摘要：实施形态之半导体设备包括：SiC层，其具有第1面及第2面；闸极绝缘膜，其设置于第1面上；闸极电极，其设置于闸极绝缘膜上；第1导电型之第1SiC区域，其设置于SiC层内，且一部分设置于第1面；第2导电型之第2SiC区域，其设置于第1SiC区域内，且一部分设置于第1面；第1导电型之第3SiC区域，其设置于第2SiC区域内，且一部分设置于第1面；第1导电型之第4SiC区域，其设置于第2SiC区域与闸极绝缘膜之间，于第1面由第2SiC区域夹着，且于第1面设置于第1SiC区域与第3SiC区域之间。

7. 发明专利

TW201639166A 半導體結構與其形成方法审中-公开
简体标题：半导体结构与其形成方法
公开(公告)号：TW201639166A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104126493
申请日：2015-08-14
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 楊懷德 , YANG, HUAI TEI , 游國豐 , YU, KUO FENG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/12 , H01L29/26 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/26 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/30 , H01L29/36 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/785
摘要：半導體結構包括基板與源極/汲極(S/D)接面。S/D接面與基板相連，且包含半導體材料。此半導體材料包含鍺，且鍺的組成含量介於約50%至約95%之間。
简体摘要：半导体结构包括基板与源极/汲极(S/D)接面。S/D接面与基板相连，且包含半导体材料。此半导体材料包含锗，且锗的组成含量介于约50%至约95%之间。

8. 发明专利

TW201232616A 製造磊晶晶圓的方法以及磊晶晶圓 METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL WAFER AND THE EPITAXIAL WAFER 审中-公开
简体标题：制造磊晶晶圆的方法以及磊晶晶圆 METHOD OF PRODUCING EPITAXIAL WAFER AND THE EPITAXIAL WAFER
公开(公告)号：TW201232616A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100141587
申请日：2011-11-15
申请人：勝高股份有限公司
发明人：增田純久 , 楢原和宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B25/186 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/30
摘要：本發明提供一種製造具有高度平坦後表面的磊晶晶圓之方法,於形成磊晶膜後,不需要對晶圓的上表面和後表面進行拋光。根據本發明之製造磊晶晶圓100的方法包含:製備半導體晶圓10的步驟,晶圓10具有形成於其末端部分上的傾斜部分11、第一表面12b、相對於第一表面12b之第二表面12a、以及在第一表面12b和第二表面12a兩者上的邊緣13b及13a,邊緣13b及13a中每一個為傾斜部分11的邊界;對第一表面12b之外周圍部分14進行滾離以形成滾離區域的步驟,外周圍部分14由預定位置P從晶圓向外延伸,預定位置P比第一表面12b上之邊緣13b的位置還要往內;以及在第二表面12a上形成第一磊晶膜20的步驟。
简体摘要：本发明提供一种制造具有高度平坦后表面的磊晶晶圆之方法,于形成磊晶膜后,不需要对晶圆的上表面和后表面进行抛光。根据本发明之制造磊晶晶圆100的方法包含:制备半导体晶圆10的步骤,晶圆10具有形成于其末端部分上的倾斜部分11、第一表面12b、相对于第一表面12b之第二表面12a、以及在第一表面12b和第二表面12a两者上的边缘13b及13a,边缘13b及13a中每一个为倾斜部分11的边界;对第一表面12b之外周围部分14进行滚离以形成滚离区域的步骤,外周围部分14由预定位置P从晶圆向外延伸,预定位置P比第一表面12b上之边缘13b的位置还要往内;以及在第二表面12a上形成第一磊晶膜20的步骤。

9. 发明专利

TW201732874A 用以改善晶圓平面性之方法及由其所製造之接合晶圓總成审中-公开
简体标题：用以改善晶圆平面性之方法及由其所制造之接合晶圆总成
公开(公告)号：TW201732874A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141940
申请日：2016-12-16
申请人：傲思丹度科技公司 , OSTENDO TECHNOLOGIES, INC.
发明人：巴提尼卡葛雷高里 , BATINICA, GREGORY , 耶達維利凱密希瓦 , YADAVALLI, KAMESHWAR , 范謙 , FAN, QIAN , 哈斯寇班傑明 A , HASKELL, BENJAMIN A. , 艾爾-葛洛力哈森 S , EL-GHOROURY, HUSSEIN S.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/66 , H01L23/31 , H01L29/20 , H01L29/30
CPC分类号： H01L21/02035 , H01L21/02002 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02172 , H01L21/02274 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/3171 , H01L23/562 , H01L24/94 , H01L29/2003 , H01L29/30 , H01L2224/94 , H01L2924/3511
摘要：一種用以改善一半導體晶圓之平面性之方法及由該方法所製造之一總成。在該方法之一較佳實施例中，具有一預定厚度或圖案之一壓縮PECVD氧化物層(諸如，SiO2)經沈積於具有一非所要翹曲度或彎曲度之一半導體晶圓的第二表面上。藉由該半導體晶圓之該經量測翹曲度或彎曲度來判定該經沈積氧化物層之該厚度或該圖案。該壓縮氧化物層在該半導體晶圓之該第二表面上引發一偏移壓縮力，以減小跨該半導體晶圓之主表面之該翹曲度及該彎曲度。
简体摘要：一种用以改善一半导体晶圆之平面性之方法及由该方法所制造之一总成。在该方法之一较佳实施例中，具有一预定厚度或图案之一压缩PECVD氧化物层(诸如，SiO2)经沉积于具有一非所要翘曲度或弯曲度之一半导体晶圆的第二表面上。借由该半导体晶圆之该经量测翘曲度或弯曲度来判定该经沉积氧化物层之该厚度或该图案。该压缩氧化物层在该半导体晶圆之该第二表面上引发一偏移压缩力，以减小跨该半导体晶圆之主表面之该翘曲度及该弯曲度。

10. 发明专利

TWI538199B 三族氮化物元件結構與形成方法有权
简体标题：三族氮化物组件结构与形成方法
公开(公告)号：TWI538199B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101103390
申请日：2012-02-02
申请人：全斯法姆公司 , TRANSPHORM INC.
发明人：帕立克波利米特 , PARIKH, PRIMIT , 朵拉尤法拉 , DORA, YUVARAJ , 吳毅鋒 , WU, YIFENG , 米喜拉鄔梅西 , MISHRA, UMESH , 費希滕寶尼可拉斯 , FICHTENBAUM, NICHOLAS , 萊爾拉克許 , LAL, RAKESH
IPC分类号： H01L29/20 , H01L21/20 , H01L21/768 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/34 , H01L21/02118 , H01L21/0254 , H01L21/486 , H01L21/76254 , H01L23/3732 , H01L23/3738 , H01L29/0657 , H01L29/1075 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/30 , H01L29/66431 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

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