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1. 发明专利

TW201440179A 半導體裝置、半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备、半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201440179A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102142594
申请日：2013-11-22
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：吉田一男 , YOSHIDA, KAZUO , 根岸将人 , NEGISHI, MASATO
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28
CPC分类号： H01L24/32 , H01L21/268 , H01L21/302 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L29/30 , H01L2221/68327 , H01L2224/04026 , H01L2224/05557 , H01L2224/06051 , H01L2224/06183 , H01L2224/26145 , H01L2224/2732 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32105 , H01L2224/32106 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/48227 , H01L2224/83101 , H01L2224/83365 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2224/83871 , H01L2224/83907 , H01L2224/92247 , H01L2224/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/10156 , H01L2924/3841 , H01L2924/0781 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明之半導體裝置包括封裝基板、塗布於該封裝基板的接著劑以及其下面使用該接著劑與該封裝基板接著的元件，該元件的側面上部的表面粗度比該元件的側面下部小。
简体摘要：本发明之半导体设备包括封装基板、涂布于该封装基板的接着剂以及其下面使用该接着剂与该封装基板接着的组件，该组件的侧面上部的表面粗度比该组件的侧面下部小。

2. 发明专利

TW201517146A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201517146A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103122452
申请日：2014-06-30
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：綿谷力 , WATATANI, CHIKARA , 根岸将人 , NEGISHI, MASATO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78
摘要：本發明為得到一種不依賴劈開刀片的位置控制精確度，就可以對於劈開目標位置實現高位置精確度的劈開之半導體裝置之製造方法。在半導體基板2的第1主面形成複數個電極5。將覆蓋位於複數個電極5間的劈開目標位置之劈開誘導圖案8形成在半導體基板2的第1主面。劈開誘導圖案8係在劈開目標位置6具有凹部9，並且由與半導體基板2不同的材質構成。在與半導體基板2的第1主面相反側之第2主面中，在與劈開目標位置6對向的位置形成劃溝7。在形成有劃溝7及劈開誘導圖案8之半導體基板2的第1主面按壓劈開刀片4而劈開半導體基板2。
简体摘要：本发明为得到一种不依赖噼开刀片的位置控制精确度，就可以对于噼开目标位置实现高位置精确度的噼开之半导体设备之制造方法。在半导体基板2的第1主面形成复数个电极5。将覆盖位于复数个电极5间的噼开目标位置之噼开诱导图案8形成在半导体基板2的第1主面。噼开诱导图案8系在噼开目标位置6具有凹部9，并且由与半导体基板2不同的材质构成。在与半导体基板2的第1主面相反侧之第2主面中，在与噼开目标位置6对向的位置形成划沟7。在形成有划沟7及噼开诱导图案8之半导体基板2的第1主面按压噼开刀片4而噼开半导体基板2。

3. 发明专利

TWI469209B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI469209B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW101128546
申请日：2012-08-08
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大野克巳 , ONO, KATSUMI , 根岸將人 , NEGISHI, MASATO , 鈴木正人 , SUZUKI, MASATO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , H01S5/0202

5. 发明专利

TW201324601A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201324601A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101128546
申请日：2012-08-08
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：大野克巳 , ONO, KATSUMI , 根岸將人 , NEGISHI, MASATO , 鈴木正人 , SUZUKI, MASATO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/78 , H01S5/0202
摘要：【課題】得到一種可減少劈開之自所要之劈開線的偏差之半導體裝置的製造方法。【解決手段】在半導體基板1的表面，將起點龜裂6形成於所要之劈開線5上，並沿著所要之劈開線5間斷地形成複數個預備龜裂7a、7b。從起點龜裂6沿著所要之劈開線5通過複數個預備龜裂7a、7b後劈開半導體基板1。各預備龜裂7a、7b係具有隨著在劈開的進行方向前進而從所要之劈開線5的外側匯流於所要之劈開線5的龜裂。
简体摘要：【课题】得到一种可减少噼开之自所要之噼开线的偏差之半导体设备的制造方法。【解决手段】在半导体基板1的表面，将起点龟裂6形成于所要之噼开线5上，并沿着所要之噼开线5间断地形成复数个预备龟裂7a、7b。从起点龟裂6沿着所要之噼开线5通过复数个预备龟裂7a、7b后噼开半导体基板1。各预备龟裂7a、7b系具有随着在噼开的进行方向前进而从所要之噼开线5的外侧汇流于所要之噼开线5的龟裂。

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