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1. 发明专利

TW201731100A VDMOS及其製造方法审中-公开
简体标题： VDMOS及其制造方法
公开(公告)号：TW201731100A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105121210
申请日：2016-07-05
申请人：奧尼卡電子有限公司 , INTERNATIONAL ONIZUKA ELECTRONICS LIMITED
发明人：黎茂林 , LAI, MAU LAM , 蒙若賢 , MONG, YEUK YIN , 周德光 , CHAU, DUC QUANG
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1079 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7811
摘要：一種VDMOS包括基板、外延層、在外延層中界定的第一和第二類型的溝、在溝中形成的遮罩柵極和控制柵極、在外延層處以及第一和第二溝之間形成的本體區域、在本體區域處形成的N+源極區域、在本體區域下外延層中形成的獨特的摻雜區域，朝溝的底部延伸，以及具有高於外延層的雜質濃度、鄰近溝的外延層和N+源極區域之間界定的溝道、界定延伸到本體區域和第一溝中的接觸孔的絕緣層、對應於接觸孔的本體區域中形成的P+本體拾取區域；以及具有填充在接觸孔中的對接觸點的金屬層，金屬層連接N+源極區域、P+本體拾取區域、和第一類型的溝中的遮罩柵極及/或控制柵極。
简体摘要：一种VDMOS包括基板、外延层、在外延层中界定的第一和第二类型的沟、在沟中形成的遮罩栅极和控制栅极、在外延层处以及第一和第二沟之间形成的本体区域、在本体区域处形成的N+源极区域、在本体区域下外延层中形成的独特的掺杂区域，朝沟的底部延伸，以及具有高于外延层的杂质浓度、邻近沟的外延层和N+源极区域之间界定的沟道、界定延伸到本体区域和第一沟中的接触孔的绝缘层、对应于接触孔的本体区域中形成的P+本体十取区域；以及具有填充在接触孔中的对接触点的金属层，金属层连接N+源极区域、P+本体十取区域、和第一类型的沟中的遮罩栅极及/或控制栅极。

2. 发明专利

TW201725721A 碳化矽半導體元件以及其製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅半导体组件以及其制造方法
公开(公告)号：TW201725721A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105101176
申请日：2016-01-15
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 洪湘婷 , HUNG, HSIANG-TING , 黃堯峯 , HUANG, YAO-FENG , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/047 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7393 , H01L29/7396 , H01L29/7802 , H01L29/7816
摘要：一種碳化矽半導體元件及其製造方法，包括一半導體層、一設置於該半導體層的一表面上的絕緣層、一設置於該絕緣層上的閘電極層、一第一摻雜區域、一第二摻雜區域、一淺摻雜區域以及一第三摻雜區域，該半導體層具有一第一導電性，該第一摻雜區域具有一第二導電性且具有一和該表面相隔一第一深度的頂部摻雜邊界，該淺摻雜區域具有該第二導電性，該淺摻雜區域自該表面延伸至一淺摻雜深度，該第二摻雜區域鄰接該淺摻雜區域且至少部分位於該第一摻雜區域內，該第三摻雜區域具有該第二導電性且至少部分與該第一摻雜區域重疊。
简体摘要：一种碳化硅半导体组件及其制造方法，包括一半导体层、一设置于该半导体层的一表面上的绝缘层、一设置于该绝缘层上的闸电极层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一浅掺杂区域以及一第三掺杂区域，该半导体层具有一第一导电性，该第一掺杂区域具有一第二导电性且具有一和该表面相隔一第一深度的顶部掺杂边界，该浅掺杂区域具有该第二导电性，该浅掺杂区域自该表面延伸至一浅掺杂深度，该第二掺杂区域邻接该浅掺杂区域且至少部分位于该第一掺杂区域内，该第三掺杂区域具有该第二导电性且至少部分与该第一掺杂区域重叠。

3. 发明专利

TWI581424B 碳化矽半導體元件以及其製造方法有权
简体标题：碳化硅半导体组件以及其制造方法
公开(公告)号：TWI581424B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105101176
申请日：2016-01-15
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 洪湘婷 , HUNG, HSIANG-TING , 黃堯峯 , HUANG, YAO-FENG , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/78 , H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/047 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/66068 , H01L29/7393 , H01L29/7396 , H01L29/7802 , H01L29/7816

4. 发明专利

TW201618300A 碳化矽場效電晶體审中-公开
简体标题：碳化硅场效应管
公开(公告)号：TW201618300A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103138027
申请日：2014-11-03
申请人：瀚薪科技股份有限公司 , HESTIA POWER INC.
发明人：洪建中 , HUNG, CHIEN-CHUNG , 顏誠廷 , YEN, CHENG-TYNG , 洪湘婷 , HUNG, HSIANG-TING , 李傳英 , LEE, CHWAN-YING
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/046 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/086 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068
摘要：一種碳化矽場效電晶體，包含有一碳化矽基板、一n型漂移層、一p型磊晶層、一源極區域、一溝槽式閘極、至少一p型摻雜區域、一源極、一介電層以及一汲極。藉由設置該p型摻雜區域位於該n型漂移層而相鄰於該溝槽式閘極的一側邊，並令該p型摻雜區域包含一與該p型磊晶層接觸的第一摻雜區塊以及複數個從該第一摻雜區塊朝向該碳化矽基板而間隔排列的第二摻雜區塊，使該第二摻雜區塊的厚度不需超過2um，不僅避免受限於離子佈植的深度的問題，亦能有效降低該溝槽式閘極的一底部與一轉角處的電場，提高該碳化矽場效電晶體的可靠度。
简体摘要：一种碳化硅场效应管，包含有一碳化硅基板、一n型漂移层、一p型磊晶层、一源极区域、一沟槽式闸极、至少一p型掺杂区域、一源极、一介电层以及一汲极。借由设置该p型掺杂区域位于该n型漂移层而相邻于该沟槽式闸极的一侧边，并令该p型掺杂区域包含一与该p型磊晶层接触的第一掺杂区块以及复数个从该第一掺杂区块朝向该碳化硅基板而间隔排列的第二掺杂区块，使该第二掺杂区块的厚度不需超过2um，不仅避免受限于离子布植的深度的问题，亦能有效降低该沟槽式闸极的一底部与一转角处的电场，提高该碳化硅场效应管的可靠度。

5. 发明专利

TWI470768B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI470768B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100109008
申请日：2011-03-16
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：齋藤涉 , SAITO, WATARU , 小野昇太郎 , ONO, SYOTARO , 谷內俊治 , TANIUCHI, SHUNJI , 渡邊美穗 , WATANABE, MIHO , 山下浩明 , YAMASHITA, HIROAKI
IPC分类号： H01L27/085 , H01L29/40
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/66734

6. 发明专利

TWI426568B 半導體功率元件與其製作方法有权
简体标题：半导体功率组件与其制作方法
公开(公告)号：TWI426568B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW099109357
申请日：2010-03-29
申请人：大中積體電路股份有限公司 , SINOPOWER SEMICONDUCTOR INC.
发明人：戴嵩山 , TAI, SUNG-SHAN
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0878 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/4238 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7811

7. 发明专利

TWI381527B 超自對準構槽型雙擴散金屬氧化物半導體電晶體結構及其製造方法有权
简体标题：超自对准构槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI381527B
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW098118749
申请日：2009-06-05
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LIMITED
发明人：赫爾伯特弗蘭茨娃 , HEBERT, FRANCOIS
IPC分类号： H01L29/772 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66734 , H01L21/2257 , H01L29/04 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/41766 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/7813

8. 发明专利

TW201241934A 半導體裝置及相關製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED FABRICATION METHODS 审中-公开
简体标题：半导体设备及相关制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND RELATED FABRICATION METHODS
公开(公告)号：TW201241934A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW101104084
申请日：2012-02-08
申请人：飛思卡爾半導體公司
发明人：王培林 , 陳菁菁 , 迪佛瑞沙艾朵爾D
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/26586 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/66734
摘要：本發明提供半導體裝置結構及相關製造方法。一例示性半導體裝置結構(100)包含一溝渠閘極結構(114)、相鄰於該溝渠閘極結構(114)之一本體區域(124)、相鄰於該溝渠閘極結構(114)下伏於該本體區域(124)之一汲極區域(125)、形成於該本體區域(124)內之一源極區域(130)及上覆該本體區域(124)之一第一部分之一橫向閘極結構(118)。該本體區域(124)之該第一部分安置於該溝渠閘極結構(114)與該源極區域(130)之間。在一實施例中,相鄰於該溝渠閘極結構(114)在本體區域(124)內形成一隅角區域(128),使得該本體區域(124)之該第一部分安置於該隅角區域與該源極區域(130)之間,且相鄰於該溝渠閘極結構(114)之該本體區域(124)之一第二部分安置於該隅角區域(128)與該汲極區域(125)之間。
简体摘要：本发明提供半导体设备结构及相关制造方法。一例示性半导体设备结构(100)包含一沟渠闸极结构(114)、相邻于该沟渠闸极结构(114)之一本体区域(124)、相邻于该沟渠闸极结构(114)下伏于该本体区域(124)之一汲极区域(125)、形成于该本体区域(124)内之一源极区域(130)及上覆该本体区域(124)之一第一部分之一横向闸极结构(118)。该本体区域(124)之该第一部分安置于该沟渠闸极结构(114)与该源极区域(130)之间。在一实施例中,相邻于该沟渠闸极结构(114)在本体区域(124)内形成一隅角区域(128),使得该本体区域(124)之该第一部分安置于该隅角区域与该源极区域(130)之间,且相邻于该沟渠闸极结构(114)之该本体区域(124)之一第二部分安置于该隅角区域(128)与该汲极区域(125)之间。

9. 发明专利

TW200620668A 縱型閘極半導體裝置及其製造方法 VERTICAL TRENCH GATE TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：纵型闸极半导体设备及其制造方法 VERTICAL TRENCH GATE TRANSISTOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200620668A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：TW094144268
申请日：2005-12-14
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：溝口修二 MIZOKUCHI, SHUJI , 角田一晃 TSUNODA, KAZUAKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7808
摘要：本發明係關於一種縱型閘極半導體裝置及其製造方法。目的係在於：提供一種在不增大源極區域的接觸電阻的情況下，可謀求小型化的縱型閘極半導體裝置及其製造方法。發揮電晶體作用的第1區域11，具有：汲極區域111、形成在汲極區域111上側的體(body)區域112、形成在體區域112上側的源極區域113A、和形成在體區域112中上被埋入了閘極電極120的溝渠。在延在於第2區域12的體區域112的上側形成有源極區域113B。構成溝渠的上緣部的源極區域113A、113B形成為帶圓弧狀的形狀。
简体摘要：本发明系关于一种纵型闸极半导体设备及其制造方法。目的系在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型闸极半导体设备及其制造方法。发挥晶体管作用的第1区域11，具有：汲极区域111、形成在汲极区域111上侧的体(body)区域112、形成在体区域112上侧的源极区域113A、和形成在体区域112中上被埋入了闸极电极120的沟渠。在延在于第2区域12的体区域112的上侧形成有源极区域113B。构成沟渠的上缘部的源极区域113A、113B形成为带圆弧状的形状。

10. 发明专利

TW200522349A 縱型閘半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：纵型闸半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW200522349A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093118127
申请日：2004-06-23
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：溝口修二 MIZOKUCHI, SHUJI , 山中光浩 YAMANAKA, MITSUHIRO , 郡司浩幸 GUNJI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/823487 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/41766 , H01L29/7808
摘要：本發明實現一種不增加源極區域之接觸電阻，而可謀求小型化之縱型閘半導體裝置。起作用作為電晶體之第一區域11具有：汲極區域111；本體區域112，其係形成於汲極區域111之上側；源極區域113A，其係形成於本體區域112之上側；及溝槽，其係形成於源極區域113A及本體區域112，且埋入有閘極120。本體區域112延伸於第二區域12，並且在第二區域12之本體區域112上側形成有與源極區域113A電性連接之源極區域113B。
简体摘要：本发明实现一种不增加源极区域之接触电阻，而可谋求小型化之纵型闸半导体设备。起作用作为晶体管之第一区域11具有：汲极区域111；本体区域112，其系形成于汲极区域111之上侧；源极区域113A，其系形成于本体区域112之上侧；及沟槽，其系形成于源极区域113A及本体区域112，且埋入有闸极120。本体区域112延伸于第二区域12，并且在第二区域12之本体区域112上侧形成有与源极区域113A电性连接之源极区域113B。

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