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1. 发明专利

TW200903839A 光電元件及其製作方法 OPTOELECTRONIC DEVICE AND THE FORMING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：光电组件及其制作方法 OPTOELECTRONIC DEVICE AND THE FORMING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200903839A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096124608
申请日：2007-07-06
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 李玉柱 LI, YU CHU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/26
摘要：本發明提供一種光電元件,包含:第一電極、一基底形成於第一電極上;緩衝層形成於基底上,其中該緩衝層包含:一含第一含氮化合物層形成在基底上、一第二含氮化合物層、及一五族/二族化合物層形成在第一含氮化合物層及第二含氮化合物層之間;接著,第一半導體導電層形成在緩衝層上;一主動層形成在第一半導體導電層上,其中主動層係為具有複數個不規則且高低起伏形狀之多層量子井;一第二半導體導電層形成在主動層上;一透明導電層形成於第二半導體導電層上;及一第二電極形成在透明導電層上。
简体摘要：本发明提供一种光电组件,包含:第一电极、一基底形成于第一电极上;缓冲层形成于基底上,其中该缓冲层包含:一含第一含氮化合物层形成在基底上、一第二含氮化合物层、及一五族/二族化合物层形成在第一含氮化合物层及第二含氮化合物层之间;接着,第一半导体导电层形成在缓冲层上;一主动层形成在第一半导体导电层上,其中主动层系为具有复数个不守则且高低起伏形状之多层量子井;一第二半导体导电层形成在主动层上;一透明导电层形成于第二半导体导电层上;及一第二电极形成在透明导电层上。

2. 发明专利

TW200849636A 具有電磁波雕刻刻痕之半導體基板、具包含該半導體基板之半導體發光元件及其製造方法 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH ELECTROMAGNETIC-WAVE-SCRIBED NICKS, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH SUCH SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF 审中-公开
简体标题：具有电磁波雕刻刻痕之半导体基板、具包含该半导体基板之半导体发光组件及其制造方法 SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH ELECTROMAGNETIC-WAVE-SCRIBED NICKS, SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE WITH SUCH SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND MANUFACTURE THEREOF
公开(公告)号：TW200849636A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096119657
申请日：2007-06-01
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH, INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 蔡炯棋 TSAI, CHIUNG CHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L21/3043 , H01L29/30
摘要：本發明揭露一種供一半導體發光元件磊晶之基板及其製造方法。根據本發明之基板之一上表面具有複數個電磁波雕刻之刻痕,其中該半導體發光元件之磊晶係執行於該基板之該上表面上。
简体摘要：本发明揭露一种供一半导体发光组件磊晶之基板及其制造方法。根据本发明之基板之一上表面具有复数个电磁波雕刻之刻痕,其中该半导体发光组件之磊晶系运行于该基板之该上表面上。

3. 发明专利

TW200937671A 半導體發光元件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光组件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200937671A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106192
申请日：2008-02-22
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH, INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 王偉凱 WANG, WEI KAI , 林素慧 LIN, SU HUI , 陸薏存 LU, YI CUN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種半導體發光元件。半導體發光元件包含基板、第一傳導型態半導體材料層、第二傳導型態半導體材料層、發光層、第一電極、第二電極以及複數個凸狀結構。第一傳導型態半導體材料層形成於基板上並且具有上表面,包含第一區域以及不同於第一區域之第二區域。第一電極係形成於第一區域上,並且發光層及第二傳導型態半導體材料層係形成於第二區域上。複數個凸狀結構係形成於第一傳導型態半導體材料層之上表面上並且介於第一區域以及第二區域之間。至少一個凹陷係形成於每一個凸狀結構的側壁。或者,每一個凸狀結構的側壁大致上具有一弧形的輪廓。
简体摘要：本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及复数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面,包含第一区域以及不同于第一区域之第二区域。第一电极系形成于第一区域上,并且发光层及第二传导型态半导体材料层系形成于第二区域上。复数个凸状结构系形成于第一传导型态半导体材料层之上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。至少一个凹陷系形成于每一个凸状结构的侧壁。或者,每一个凸状结构的侧壁大致上具有一弧形的轮廓。

4. 发明专利

TW200828614A 固態發光元件及其製作方法 SOLID-STATE LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：固态发光组件及其制作方法 SOLID-STATE LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200828614A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW095147479
申请日：2006-12-18
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種固態發光元件,包含:一具有一外輪廓面的基材,及一覆蓋該基材之外輪廓面的半導體化合物磊晶膜。該外輪廓面具有複數相間隔地向一實質上垂直於該基材的第一方向凸伸的突出區。每兩相鄰的突出區共同定義出一向一相反於該第一方向的第二方向凹陷的凹穴區。該基材之外輪廓面的部分突出區分別具有複數相間隔地向該第一方向凸伸而出的峰部。每兩相鄰的峰部共同定義出一向該第二方向凹陷的谷部。本發明亦提供一種如前所述之固態發光元件的製作方法。
简体摘要：本发明提供一种固态发光组件,包含:一具有一外轮廓面的基材,及一覆盖该基材之外轮廓面的半导体化合物磊晶膜。该外轮廓面具有复数相间隔地向一实质上垂直于该基材的第一方向凸伸的突出区。每两相邻的突出区共同定义出一向一相反于该第一方向的第二方向凹陷的凹穴区。该基材之外轮廓面的部分突出区分别具有复数相间隔地向该第一方向凸伸而出的峰部。每两相邻的峰部共同定义出一向该第二方向凹陷的谷部。本发明亦提供一种如前所述之固态发光组件的制作方法。

5. 发明专利

TW200814349A 發光二極體及其製作方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光二极管及其制作方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200814349A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW095132634
申请日：2006-09-04
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 李玉柱 LI, YU CHU , 蔡炯棋 TSAI, CHIUNG CHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種發光二極體元件,包含:透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆疊結構設置在透明基板上、五族/二族化合物接觸層設置在該磊晶堆疊結構的第一部份、氮化物結晶層設置在五族/二族化合物接觸層上、透明導電層設置在氮化物結晶層上,並包覆住氮化物結晶層,第一電極設置在部份的透明導電層上以及第二電極設置在磊晶堆疊結構之第二部份,且與設置在磊晶堆疊結構之第一部份上的結構電性分離。藉由氮化物結晶層可以增加發光二極體外部量子效率,因此可以增加發光二極體的發光效益。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管组件,包含:透明基板、具有第一部份及第二部份之磊晶堆栈结构设置在透明基板上、五族/二族化合物接触层设置在该磊晶堆栈结构的第一部份、氮化物结晶层设置在五族/二族化合物接触层上、透明导电层设置在氮化物结晶层上,并包复住氮化物结晶层,第一电极设置在部份的透明导电层上以及第二电极设置在磊晶堆栈结构之第二部份,且与设置在磊晶堆栈结构之第一部份上的结构电性分离。借由氮化物结晶层可以增加发光二极管外部量子效率,因此可以增加发光二极管的发光效益。

6. 发明专利

TW200937670A 發光二極體元件及其製造方法 LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND A FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：发光二极管组件及其制造方法 LIGHT-EMITTING DIODE DEVICE AND A FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200937670A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106036
申请日：2008-02-21
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：洪銘煌 HONG, MING HUANG , 蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/14 , H01L33/387
摘要：本發明提供一種發光二極體元件及其製造方法,其採用雙層之接觸層結構,配合對接觸層表面圖形化而增加接觸層的歐姆接觸面積,藉以降低發光二極體元件的操作電壓,進而減少功率的損耗。
简体摘要：本发明提供一种发光二极管组件及其制造方法,其采用双层之接触层结构,配合对接触层表面图形化而增加接触层的欧姆接触面积,借以降低发光二极管组件的操作电压,进而减少功率的损耗。

7. 发明专利

TW200909728A 發光二極體封裝結構及以發光二極體為光源之應用 LED PACKAGE AND APPLICATIONS OF LED AS LIGHT SOURCE 审中-公开
简体标题：发光二极管封装结构及以发光二极管为光源之应用 LED PACKAGE AND APPLICATIONS OF LED AS LIGHT SOURCE
公开(公告)号：TW200909728A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096131342
申请日：2007-08-24
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 程志青 CHENG, CHIH CHING
IPC分类号： F21S , H01L
摘要：一種發光二極體之封裝結構及其應用,其中該發光二極體包括:一個第一半導體導電層形成於基板之上;一個主動層,係以多層量子井(Multi-Quantum-Well)形成於第一半導體導電層之上;以及一個第二半導體導電層,形成於主動層之上;其中將至少一種異質材料所形成之複數個微粒散佈於第一半導體導電層與主動層之間,藉此形成具有複數個不規則且高低起伏之多層量子井。
简体摘要：一种发光二极管之封装结构及其应用,其中该发光二极管包括:一个第一半导体导电层形成于基板之上;一个主动层,系以多层量子井(Multi-Quantum-Well)形成于第一半导体导电层之上;以及一个第二半导体导电层,形成于主动层之上;其中将至少一种异质材料所形成之复数个微粒散布于第一半导体导电层与主动层之间,借此形成具有复数个不守则且高低起伏之多层量子井。

8. 发明专利

TW200937672A 半導體發光元件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光组件 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200937672A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097106193
申请日：2008-02-22
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH, INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 王偉凱 WANG, WEI KAI , 林素慧 LIN, SU HUI , 陸薏存 LU, YI CUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L2933/0091
摘要：本發明揭露一種半導體發光元件。半導體發光元件包含基板、第一傳導型態半導體材料層、第二傳導型態半導體材料層、發光層、第一電極、第二電極以及複數個凸狀結構。第一傳導型態半導體材料層形成於基板上並且具有上表面,包含第一區域以及不同於第一區域之第二區域。第一電極係形成於第一區域上,並且發光層及第二傳導型態半導體材料層係形成於第二區域上。複數個凸狀結構係形成於第一傳導型態半導體材料層之上表面上並且介於第一區域以及第二區域之間。每一個凸狀結構係由ITO、SiO2、SiN、ZnO、polymide、BCB、SOG、InO或SnO所製成。
简体摘要：本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及复数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面,包含第一区域以及不同于第一区域之第二区域。第一电极系形成于第一区域上,并且发光层及第二传导型态半导体材料层系形成于第二区域上。复数个凸状结构系形成于第一传导型态半导体材料层之上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。每一个凸状结构系由ITO、SiO2、SiN、ZnO、polymide、BCB、SOG、InO或SnO所制成。

9. 发明专利

TW200903838A 光電元件及其製作方法 OPTOELECTRONIC DEVICE AND THE FORMING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：光电组件及其制作方法 OPTOELECTRONIC DEVICE AND THE FORMING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200903838A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW096124606
申请日：2007-07-06
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 李玉柱 LI, YU CHU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02439 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要：本發明提供一種光電元件,包含:第一電極、一基底形成於第一電極上;緩衝層形成於基底上,其中該緩衝層包含:含第一氮化合物層形成在基底之上、一五族/二族化合物層形成在第一含氮化合物層之上、一第二含氮化合物層形成在五族/二族化合物層之上、及第三含氮化合物層形成在第二含氮化合物層之上;接著,第一半導體導電層形成在緩衝層上;一主動層形成在第一半導體導電層上,其中主動層係為具有複數個不規則且高低起伏形狀之多層量子井;一第二半導體導電層形成在主動層上;一透明導電層形成於第二半導體導電層上;及一第二電極形成在透明導電層上。
简体摘要：本发明提供一种光电组件,包含:第一电极、一基底形成于第一电极上;缓冲层形成于基底上,其中该缓冲层包含:含第一氮化合物层形成在基底之上、一五族/二族化合物层形成在第一含氮化合物层之上、一第二含氮化合物层形成在五族/二族化合物层之上、及第三含氮化合物层形成在第二含氮化合物层之上;接着,第一半导体导电层形成在缓冲层上;一主动层形成在第一半导体导电层上,其中主动层系为具有复数个不守则且高低起伏形状之多层量子井;一第二半导体导电层形成在主动层上;一透明导电层形成于第二半导体导电层上;及一第二电极形成在透明导电层上。

10. 发明专利

TW200834964A 具有不規則且高低起伏多層量子井的發光元件磊晶結構 EPI-STRUCTURE WITH UNEVEN MULTI-QUANTUM WELL AND THE METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：具有不守则且高低起伏多层量子井的发光组件磊晶结构 EPI-STRUCTURE WITH UNEVEN MULTI-QUANTUM WELL AND THE METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200834964A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096104691
申请日：2007-02-09
申请人：廣鎵光電股份有限公司 HUGA OPTOTECH INC.
发明人：蔡宗良 TSAI, TZONG LIANG , 程志青 CHENG, CHIH CHING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/24 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/3407 , H01S5/3408 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：一種發光元件之磊晶結構,包括:一個第一半導體導電層形成於基板之上;一個主動層,係以多層量子井(MQW)形成於第一半導體導電層之上;以及一個第二半導體導電層,形成於主動層之上;其中將至少一種異質材料所形成之複數個微粒散佈於第一半導體導電層與主動層之間,藉此形成具有複數個不規則且高低起伏之多層量子井。
简体摘要：一种发光组件之磊晶结构,包括:一个第一半导体导电层形成于基板之上;一个主动层,系以多层量子井(MQW)形成于第一半导体导电层之上;以及一个第二半导体导电层,形成于主动层之上;其中将至少一种异质材料所形成之复数个微粒散布于第一半导体导电层与主动层之间,借此形成具有复数个不守则且高低起伏之多层量子井。

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