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1. 发明专利

TW313673B 製造高電壓半導體裝置的方法,以及以該方法製得的半導體失效
简体标题：制造高电压半导体设备的方法,以及以该方法制得的半导体
公开(公告)号：TW313673B
公开(公告)日：1997-08-21
申请号：TW085115745
申请日：1996-12-20
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：亞德瑞那斯威廉路迪克胡斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L29/402 , H01L29/66659 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , Y10S438/919
摘要：摻質每平公分10^12個原子之磊晶層係使用在依照更新型態的高電壓積體電路中之高電壓電路裝置更新條件。如果電路包含一在磊晶層的區域，此區域具有與底材相同之導電型式且可應用於高電壓，則此介於區域與底材的摻質必需是足夠高以防止此區域與底材之間的穿透。遵照此二項要求的已知方法是製造一非常厚的磊晶層。然而，在實務上，此方法並非經常有很好的再現性。根據此項發明，磊晶層的形式是一種高歐姆層，此層自圖3a上層及圖3b掩蔽層摻雜的。此掩蔽層為地毯式沉積，以光罩步驟實行之，並局部再摻質於島狀紹緣區(4)。
简体摘要：掺质每平公分10^12个原子之磊晶层系使用在依照更新型态的高电压集成电路中之高电压电路设备更新条件。如果电路包含一在磊晶层的区域，此区域具有与底材相同之导电型式且可应用于高电压，则此介于区域与底材的掺质必需是足够高以防止此区域与底材之间的穿透。遵照此二项要求的已知方法是制造一非常厚的磊晶层。然而，在实务上，此方法并非经常有很好的再现性。根据此项发明，磊晶层的形式是一种高欧姆层，此层自图3a上层及图3b掩蔽层掺杂的。此掩蔽层为地毯式沉积，以光罩步骤实行之，并局部再掺质于岛状绍缘区(4)。

2. 发明专利

TW201919243A 半導體裝置以及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及其制造方法
公开(公告)号：TW201919243A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107108857
申请日：2018-03-15
申请人：南韓商美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金國煥 , KIM, GUK HWAN , 孫振榮 , SON, JIN YEONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L21/2253 , H01L21/311 , H01L21/823418 , H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1045 , H01L29/42316 , H01L29/42368 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7833 , H01L29/7835 , H01L29/7836 , H01L29/7856
摘要：一種半導體裝置係包含一第一導電類型的第一摻雜區域、一第二導電類型的第二摻雜區域、一源極區域、一汲極區域、一閘極絕緣膜、以及一閘極電極。該第一導電類型的第一摻雜區域係被形成在一基板區域中。該第二導電類型的第二摻雜區域係被形成在該基板中，以和該第一導電類型的第一摻雜區域間隔開。該源極區域係被形成在該第一導電類型的第一摻雜區域中。該汲極區域係被形成在該第二導電類型的第二摻雜區域中。該閘極絕緣膜係被形成在該源極區域與該汲極區域之間。該閘極絕緣膜的一第一端的一厚度係不同於該閘極絕緣膜的一第二端的一厚度。該閘極電極係被形成在該閘極絕緣膜上。
简体摘要：一种半导体设备系包含一第一导电类型的第一掺杂区域、一第二导电类型的第二掺杂区域、一源极区域、一汲极区域、一闸极绝缘膜、以及一闸极电极。该第一导电类型的第一掺杂区域系被形成在一基板区域中。该第二导电类型的第二掺杂区域系被形成在该基板中，以和该第一导电类型的第一掺杂区域间隔开。该源极区域系被形成在该第一导电类型的第一掺杂区域中。该汲极区域系被形成在该第二导电类型的第二掺杂区域中。该闸极绝缘膜系被形成在该源极区域与该汲极区域之间。该闸极绝缘膜的一第一端的一厚度系不同于该闸极绝缘膜的一第二端的一厚度。该闸极电极系被形成在该闸极绝缘膜上。

3. 发明专利

TWI340470B 半導體結構 SEMICONDUCTOR STRUCTURE 有权
简体标题：半导体结构 SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TWI340470B
公开(公告)日：2011-04-11
申请号：TW096130697
申请日：2007-08-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：黃郁惠 , 李定邦 , 陳富信
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0847 , H01L29/0852 , H01L29/1083 , H01L29/66659
摘要：一種高壓金氧半導體元件。一第一高壓N井區埋藏於一基底中。一P型埋藏層水平鄰接第一高壓N井區。一第二高壓N井區位於第一高壓N井區上。一高壓P井區位於P型埋藏層上方。一絕緣區位於第二高壓N井區之頂部表面。一閘極介電從高壓P井區上方延伸至第二高壓N井區上方，其中部份之閘極介電係位於絕緣區上方。一閘電極位於閘極介電上。
简体摘要：一种高压金属氧化物半导体组件。一第一高压N井区埋藏于一基底中。一P型埋藏层水平邻接第一高压N井区。一第二高压N井区位于第一高压N井区上。一高压P井区位于P型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压N井区之顶部表面。一闸极介电从高压P井区上方延伸至第二高压N井区上方，其中部份之闸极介电系位于绝缘区上方。一闸电极位于闸极介电上。

4. 发明专利

TW201709528A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201709528A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105118452
申请日：2016-06-13
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：槙山秀樹 , MAKIYAMA, HIDEKI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/0852 , H01L29/66833 , H01L29/7391 , H01L29/7838
摘要：本發明之課題在於提高半導體裝置之性能。本發明之半導體裝置包含：閘極電極CG，其於SOI基板SB之SOI層14上，隔著於內部具有電荷累積膜EC之閘極絕緣膜GIM而形成；及分別形成於閘極電極CG兩側之SOI層14之n型半導體區域23a及p型半導體區域23b。藉由閘極絕緣膜GIM、閘極電極CG、n型半導體區域23a、及p型半導體區域23b而形成作為非揮發性記憶體單元之記憶體單元MC。
简体摘要：本发明之课题在于提高半导体设备之性能。本发明之半导体设备包含：闸极电极CG，其于SOI基板SB之SOI层14上，隔着于内部具有电荷累积膜EC之闸极绝缘膜GIM而形成；及分别形成于闸极电极CG两侧之SOI层14之n型半导体区域23a及p型半导体区域23b。借由闸极绝缘膜GIM、闸极电极CG、n型半导体区域23a、及p型半导体区域23b而形成作为非挥发性内存单元之内存单元MC。

5. 发明专利

TW201519446A 橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201519446A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102141562
申请日：2013-11-15
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 楊清堯 , YANG, CHING YAO , 廖文毅 , LIAO, WEN YI , 蘇宏德 , SU, HUNG DER , 張國城 , CHANG, KUO CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0649 , H01L29/0852 , H01L29/1095 , H01L29/6681 , H01L29/7816
摘要：本發明提出一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)元件及其製造方法。其中，LDMOS元件包含：漂移區、隔絕氧化區、第一氧化區、第二氧化區、閘極、本體區、源極、以及汲極。其中，隔絕氧化區、第一氧化區、與第二氧化區於縱向上，分別具有隔絕厚度、第一厚度、與第二厚度，且第二厚度小於第一厚度。本發明利用第一氧化區與第二氧化區，維持LDMOS元件崩潰防護電壓並降低導電阻。
简体摘要：本发明提出一种横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)组件及其制造方法。其中，LDMOS组件包含：漂移区、隔绝氧化区、第一氧化区、第二氧化区、闸极、本体区、源极、以及汲极。其中，隔绝氧化区、第一氧化区、与第二氧化区于纵向上，分别具有隔绝厚度、第一厚度、与第二厚度，且第二厚度小于第一厚度。本发明利用第一氧化区与第二氧化区，维持LDMOS组件崩溃防护电压并降低导电阻。

6. 发明专利

TWI562370B 橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI562370B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102141562
申请日：2013-11-15
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 楊清堯 , YANG, CHING YAO , 廖文毅 , LIAO, WEN YI , 蘇宏德 , SU, HUNG DER , 張國城 , CHANG, KUO CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0649 , H01L29/0852 , H01L29/1095 , H01L29/6681 , H01L29/7816

7. 发明专利

TW200607004A 電晶體及其形成方法 TRANSISTOR AND FORMATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：晶体管及其形成方法 TRANSISTOR AND FORMATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200607004A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094127304
申请日：2005-08-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：伍佑國 WU, YOU-KUO , 姜安民 CHIANG, EDWARD , 許順良 HSU, SHUN-LIANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L21/74 , H01L21/7621 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要：本發明揭示一種電晶體及其形成方法。第一摻雜井區形成於一井層的第一主動區中；至少一部分的上述第一摻雜井區相鄰於上述電晶體的一閘極；一凹部形成於上述第一摻雜井區中，上述凹部的深度較好為至少500；第一隔離區形成於上述井層的上表面，並至少部分位於一隔離區上；至少一部分的第二隔離區形成於上述凹部中；一部分的上述第二隔離區低於上述第一隔離區；一汲極區形成於上述凹部中；上述第二隔離區係位於上述閘極與上述汲極區之間。
简体摘要：本发明揭示一种晶体管及其形成方法。第一掺杂井区形成于一井层的第一主动区中；至少一部分的上述第一掺杂井区相邻于上述晶体管的一闸极；一凹部形成于上述第一掺杂井区中，上述凹部的深度较好为至少500；第一隔离区形成于上述井层的上表面，并至少部分位于一隔离区上；至少一部分的第二隔离区形成于上述凹部中；一部分的上述第二隔离区低于上述第一隔离区；一汲极区形成于上述凹部中；上述第二隔离区系位于上述闸极与上述汲极区之间。

8. 发明专利

TW319899B 製造一半導體裝置之方法及由此方法製造之半導體裝置失效
简体标题：制造一半导体设备之方法及由此方法制造之半导体设备
公开(公告)号：TW319899B
公开(公告)日：1997-11-11
申请号：TW086102194
申请日：1997-02-24
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：安德瑞那斯威廉路迪克胡茲 , 馬坦傑洛安凡杜特
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L21/26586 , H01L21/823412 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L27/0922 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/66681 , H01L29/7816
摘要：在擴散金氧半導體(DMOS)電晶體中源極(19)與吸極(24)間獲得有效之高衝穿電壓，須對閘電極(12)以自行對準方式提供逆閘區(16)之深度擴散。以較重度逆閘植入與輕度源極植入之組合(17)及在閘電極上提供間隔物(18)而作重度源極植入(19)及使用因晶體損傷而有之間位擴散與加速擴散，可在較低溫度下，例如950℃ 以下，完成逆閘區之該項擴散。如此可將一擴散金氧半導體電晶體(DMOST) 納入標準之超大型積體電路(VLSI) 互補金氧半導體(CMOS)，其中先完成δＶth與波道剖面植入，然後提供聚合閘(13、14)，亦即可不再以長時間超過1,000℃ 之溫度進行擴散步驟。在p波道MOS 之P型低密度摻雜(LDD )植入與/或n波道 MOS 之P型池植入時增加逆閘區摻雜之效果可予提高。
简体摘要：在扩散金属氧化物半导体(DMOS)晶体管中源极(19)与吸极(24)间获得有效之高冲穿电压，须对闸电极(12)以自行对准方式提供逆闸区(16)之深度扩散。以较重度逆闸植入与轻度源极植入之组合(17)及在闸电极上提供间隔物(18)而作重度源极植入(19)及使用因晶体损伤而有之间位扩散与加速扩散，可在较低温度下，例如950℃ 以下，完成逆闸区之该项扩散。如此可将一扩散金属氧化物半导体晶体管(DMOST) 纳入标准之超大型集成电路(VLSI) 互补金属氧化物半导体(CMOS)，其中先完成δＶth与波道剖面植入，然后提供聚合闸(13、14)，亦即可不再以长时间超过1,000℃ 之温度进行扩散步骤。在p波道MOS 之P型低密度掺杂(LDD )植入与/或n波道 MOS 之P型池植入时增加逆闸区掺杂之效果可予提高。

9. 发明专利

TW200843108A 半導體結構 SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：半导体结构 SEMICONDUCTOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW200843108A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096130697
申请日：2007-08-20
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：黃郁惠 HUANG, YU HUI , 李定邦 LI, TING PANG , 陳富信 CHEN, FUHSIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L29/0847 , H01L29/0852 , H01L29/1083 , H01L29/66659
摘要：一種高壓金氧半導體元件。一第一高壓N井區埋藏於一基底中。一P型埋藏層水平鄰接第一高壓N井區。一第二高壓N井區位於第一高壓N井區上。一高壓P井區位於P型埋藏層上方。一絕緣區位於第二高壓N井區之頂部表面。一閘極介電從高壓P井區上方延伸至第二高壓N井區上方,其中部份之閘極介電係位於絕緣區上方。一閘電極位於閘極介電上。
简体摘要：一种高压金属氧化物半导体组件。一第一高压N井区埋藏于一基底中。一P型埋藏层水平邻接第一高压N井区。一第二高压N井区位于第一高压N井区上。一高压P井区位于P型埋藏层上方。一绝缘区位于第二高压N井区之顶部表面。一闸极介电从高压P井区上方延伸至第二高压N井区上方,其中部份之闸极介电系位于绝缘区上方。一闸电极位于闸极介电上。

10. 发明专利

TWI281196B 電晶體及其形成方法 TRANSISTOR AND FORMATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：晶体管及其形成方法 TRANSISTOR AND FORMATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI281196B
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：TW094127304
申请日：2005-08-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：伍佑國 WU, YOU KUO , 姜安民 CHIANG, EDWARD , 許順良 HSU, SHUN LIANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L21/74 , H01L21/7621 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要：本發明揭示一種電晶體及其形成方法。第一摻雜井區形成於一井層的第一主動區中；至少一部分的上述第一摻雜井區相鄰於上述電晶體的一閘極；一凹部形成於上述第一摻雜井區中，上述凹部的深度較好為至少500；第一隔離區形成於上述井層的上表面，並至少部分位於一隔離區上；至少一部分的第二隔離區形成於上述凹部中；一部分的上述第二隔離區低於上述第一隔離區；一汲極區形成於上述凹部中；上述第二隔離區係位於上述閘極與上述汲極區之間。
简体摘要：本发明揭示一种晶体管及其形成方法。第一掺杂井区形成于一井层的第一主动区中；至少一部分的上述第一掺杂井区相邻于上述晶体管的一闸极；一凹部形成于上述第一掺杂井区中，上述凹部的深度较好为至少500；第一隔离区形成于上述井层的上表面，并至少部分位于一隔离区上；至少一部分的第二隔离区形成于上述凹部中；一部分的上述第二隔离区低于上述第一隔离区；一汲极区形成于上述凹部中；上述第二隔离区系位于上述闸极与上述汲极区之间。

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