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1. 发明专利

TWI605516B 含矽基板之蝕刻方法有权
简体标题：含硅基板之蚀刻方法
公开(公告)号：TWI605516B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW105127176
申请日：2016-08-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：沃羅寧謝爾蓋 , VORONIN, SERGEY , 蘭傑艾洛克 , RANJAN, ALOK
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , C11D11/0041 , H01L21/02041 , H01L21/02301 , H01L21/02334 , H01L21/3065 , H01L21/32136 , H01L21/74

2. 发明专利

TW200607004A 電晶體及其形成方法 TRANSISTOR AND FORMATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：晶体管及其形成方法 TRANSISTOR AND FORMATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200607004A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094127304
申请日：2005-08-11
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：伍佑國 WU, YOU-KUO , 姜安民 CHIANG, EDWARD , 許順良 HSU, SHUN-LIANG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L21/74 , H01L21/7621 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7835
摘要：本發明揭示一種電晶體及其形成方法。第一摻雜井區形成於一井層的第一主動區中；至少一部分的上述第一摻雜井區相鄰於上述電晶體的一閘極；一凹部形成於上述第一摻雜井區中，上述凹部的深度較好為至少500；第一隔離區形成於上述井層的上表面，並至少部分位於一隔離區上；至少一部分的第二隔離區形成於上述凹部中；一部分的上述第二隔離區低於上述第一隔離區；一汲極區形成於上述凹部中；上述第二隔離區係位於上述閘極與上述汲極區之間。
简体摘要：本发明揭示一种晶体管及其形成方法。第一掺杂井区形成于一井层的第一主动区中；至少一部分的上述第一掺杂井区相邻于上述晶体管的一闸极；一凹部形成于上述第一掺杂井区中，上述凹部的深度较好为至少500；第一隔离区形成于上述井层的上表面，并至少部分位于一隔离区上；至少一部分的第二隔离区形成于上述凹部中；一部分的上述第二隔离区低于上述第一隔离区；一汲极区形成于上述凹部中；上述第二隔离区系位于上述闸极与上述汲极区之间。

3. 发明专利

TW358987B 雙極性功率電晶體及製造方法失效
简体标题：双极性功率晶体管及制造方法
公开(公告)号：TW358987B
公开(公告)日：1999-05-21
申请号：TW086116819
申请日：1997-11-11
申请人： LM艾瑞克生電話公司
发明人：班潔特脫凱爾安伯格
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/74 , H01L29/0821 , H01L29/66272 , H01L29/73 , H01L2223/6644
摘要：本發明與射頻應用之雙極性功率電晶體有關，特別是用在無線電基地台放大器級，以及該製造雙極性功率電晶體方法有關。該功率電晶體包含一基板(13)，一在基板(13)上的磊晶集極層(15)，形成於集極層(15)之中的基極(19)以及射極(21)。集極層其摻雜量Nc(x)，從其上表面(24)一直向下到至少集極層一半深度之處，本質上根據二次多項式：a0＋a1x＋a2x2＋…，其中，a0是上表面(24)的摻雜量，x是由此相同平面起算的垂直距離，a1，a2…是常數。電晶體能更包括在磊晶集極層(15)和較高位置的金屬連接層(31，33)之間至少大約2微米厚的隔絕氧化層(17)。
简体摘要：本发明与射频应用之双极性功率晶体管有关，特别是用在无线电基地台放大器级，以及该制造双极性功率晶体管方法有关。该功率晶体管包含一基板(13)，一在基板(13)上的磊晶集极层(15)，形成于集极层(15)之中的基极(19)以及射极(21)。集极层其掺杂量Nc(x)，从其上表面(24)一直向下到至少集极层一半深度之处，本质上根据二次多项式：a0＋a1x＋a2x2＋…，其中，a0是上表面(24)的掺杂量，x是由此相同平面起算的垂直距离，a1，a2…是常数。晶体管能更包括在磊晶集极层(15)和较高位置的金属连接层(31，33)之间至少大约2微米厚的隔绝氧化层(17)。

4. 发明专利

TWI612661B 改善臨界電壓下滑的金屬氧化物半導體元件及金屬氧化物半導體元件的臨界電壓下滑改善方法有权
简体标题：改善临界电压下滑的金属氧化物半导体组件及金属氧化物半导体组件的临界电压下滑改善方法
公开(公告)号：TWI612661B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW106100292
申请日：2017-01-05
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI , 林盈秀 , LIN, YING-SHIOU
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L21/74 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/6659 , H01L29/7833

5. 发明专利

TWI562237B 包含矽化金屬層之半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：包含硅化金属层之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI562237B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW099133731
申请日：2010-10-04
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭鍾基 , JUNG, JONG-KI
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/458 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/74 , H01L21/76805 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L29/41758 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI473248B 結合高低壓元件之半導體芯片有权
简体标题：结合高低压组件之半导体芯片
公开(公告)号：TWI473248B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：TW101134244
申请日：2012-09-19
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：秀明土子 , HIDEAKI, TSUCHIKO
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L21/74 , H01L21/761 , H01L21/8222 , H01L21/823493 , H01L21/8249 , H01L27/0635 , H01L27/0814 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/10 , H01L29/1083 , H01L29/167 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/8611

7. 发明专利

TW201314867A 結合高低壓元件之半導體芯片审中-公开
简体标题：结合高低压组件之半导体芯片
公开(公告)号：TW201314867A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101134244
申请日：2012-09-19
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：秀明土子 , HIDEAKI, TSUCHIKO
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/7322 , H01L21/74 , H01L21/761 , H01L21/8222 , H01L21/823493 , H01L21/8249 , H01L27/0635 , H01L27/0814 , H01L27/088 , H01L29/0634 , H01L29/10 , H01L29/1083 , H01L29/167 , H01L29/66659 , H01L29/66681 , H01L29/735 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/8611
摘要：本發明係揭露一種由高壓元件和低壓元件構成的半導體芯片。所製備的芯片具有多種不同的配置。例如，該半導體芯片可以包含NPN雙極電晶體、PNP雙極電晶體、二極體、N通道DMOS電晶體以及類似元件。第一摻雜井配置成DMOS電晶體、P通道DMOS電晶體以及類似元件的基極。這些及其他實施例將在下文中詳細介紹。
简体摘要：本发明系揭露一种由高压组件和低压组件构成的半导体芯片。所制备的芯片具有多种不同的配置。例如，该半导体芯片可以包含NPN双极晶体管、PNP双极晶体管、二极管、N信道DMOS晶体管以及类似组件。第一掺杂井配置成DMOS晶体管、P信道DMOS晶体管以及类似组件的基极。这些及其他实施例将在下文中详细介绍。

8. 发明专利

TW200405521A CMOS積體電路中基板與井區間產生低電阻歐姆接觸之方法 METHOD FOR PRODUCING LOW-RESISTANCE OHMIC CONTACTS BETWEEN SUBSTRATES AND WELLS IN COMS INTEGRATED CIRCUITS 审中-公开
简体标题： CMOS集成电路中基板与井区间产生低电阻欧姆接触之方法 METHOD FOR PRODUCING LOW-RESISTANCE OHMIC CONTACTS BETWEEN SUBSTRATES AND WELLS IN COMS INTEGRATED CIRCUITS
公开(公告)号：TW200405521A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092123837
申请日：2003-08-28
申请人：億恆科技股份公司 INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人：萊因哈德曼寇普 REINHARD MAHNKOPF , 瓦爾特諾伊米勒 WALTER NEUMUELLER , 奧汀普利格 ODIN PRIGGE , 湯瑪斯沙夫鮑爾 THOMAS SCHAFBAUER , 克勞斯施呂費爾 KLAUS SCHRUEFER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/743 , H01L21/266 , H01L21/74 , H01L21/823878 , H01L21/823892
摘要：一種製造穿過第二相反導電率形式的半導體層的第一導電率形式的半導體連接區域之方法，該半導體層係至少部份地分離該第一導電率形式的半導體本體〈基板〉之整體部份與該第一導電率形式之第一半導體井區，該方法包括植入離子至部份該層的步驟以轉換經植入部份的導電率為該第一導電率形式。此將電連接該井區至該本體的整體部份。任何施用於該本體的整體部份的偏壓電位將因而施用於該井，此免除在該井形成接觸以偏壓該井之任何需求及以允許該井在尺寸上可被減少。
简体摘要：一种制造穿过第二相反导电率形式的半导体层的第一导电率形式的半导体连接区域之方法，该半导体层系至少部份地分离该第一导电率形式的半导体本体〈基板〉之整体部份与该第一导电率形式之第一半导体井区，该方法包括植入离子至部份该层的步骤以转换经植入部份的导电率为该第一导电率形式。此将电连接该井区至该本体的整体部份。任何施用于该本体的整体部份的偏压电位将因而施用于该井，此免除在该井形成接触以偏压该井之任何需求及以允许该井在尺寸上可被减少。

9. 发明专利

TW550809B 半導體裝置及其製造方法失效
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW550809B
公开(公告)日：2003-09-01
申请号：TW091115912
申请日：2002-07-17
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：前田茂伸 , 高篠裕行 , 岡俊英
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/26586 , H01L21/74 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L27/1203 , H01L29/1083 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/94
摘要： [課題]
得到絕緣閘極型電晶體以及絕緣閘極型電中各電性不同時劣化之構造的半導體裝置以及其製造方法。[解決方法]
分別形成於NMOS形成區域A1以及PMOS形成區域A2之 NMOS電晶體Q1以及PMOS電晶體Q2，在N+區域14以及P+區域24的延伸部14e以及24e之附近區域分別具有P-帶狀淺摻雜區域(pocket)區域17以及N-帶狀淺摻雜區域27。另一方面，分別形成於N型可變電容形成區域A3以及P型可變電容形成區域A4的N型可變電容C1以及P型可變電容C2不具有相當於P-帶狀淺摻雜區域17以及N-帶狀淺摻雜區域27之取出
简体摘要： [课题] 得到绝缘闸极型晶体管以及绝缘闸极型电中各电性不同时劣化之构造的半导体设备以及其制造方法。[解决方法] 分别形成于NMOS形成区域A1以及PMOS形成区域A2之 NMOS晶体管Q1以及PMOS晶体管Q2，在N+区域14以及P+区域24的延伸部14e以及24e之附近区域分别具有P-带状浅掺杂区域(pocket)区域17以及N-带状浅掺杂区域27。另一方面，分别形成于N型可变电容形成区域A3以及P型可变电容形成区域A4的N型可变电容C1以及P型可变电容C2不具有相当于P-带状浅掺杂区域17以及N-带状浅掺杂区域27之取出

10. 发明专利

TW330330B 半導體裝置失效
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW330330B
公开(公告)日：1998-04-21
申请号：TW085114397
申请日：1996-11-22
申请人：三菱電機股份有限公司
发明人：小森重樹 , 山下朋弘 , 犬石昌秀
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/74
摘要：在半導體基體中會形成複數相同導通型雜質區。一另一導通型雜質區會由基體主表面穿透至上述雜質區內既定深度內。雜質區底部會結束於雜質區內雜質濃度較低處。有一導體接觸從雜質區向外伸展。
简体摘要：在半导体基体中会形成复数相同导通型杂质区。一另一导通型杂质区会由基体主表面穿透至上述杂质区内既定深度内。杂质区底部会结束于杂质区内杂质浓度较低处。有一导体接触从杂质区向外伸展。

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