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1. 发明专利

TWI683993B 感測照度及距離之光學感測器有权
简体标题：传感照度及距离之光学传感器
公开(公告)号：TWI683993B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW103124168
申请日：2014-07-14
申请人：韓商美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：李龍燮 , LEE, YONGSUP , 林大湖 , LIM, DAEHO
IPC分类号： G01J1/42 , G01J1/04 , G01S11/12

2. 发明专利

TW201919243A 半導體裝置以及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备以及其制造方法
公开(公告)号：TW201919243A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107108857
申请日：2018-03-15
申请人：南韓商美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：金國煥 , KIM, GUK HWAN , 孫振榮 , SON, JIN YEONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L21/2253 , H01L21/311 , H01L21/823418 , H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L29/1045 , H01L29/42316 , H01L29/42368 , H01L29/665 , H01L29/66659 , H01L29/7833 , H01L29/7835 , H01L29/7836 , H01L29/7856
摘要：一種半導體裝置係包含一第一導電類型的第一摻雜區域、一第二導電類型的第二摻雜區域、一源極區域、一汲極區域、一閘極絕緣膜、以及一閘極電極。該第一導電類型的第一摻雜區域係被形成在一基板區域中。該第二導電類型的第二摻雜區域係被形成在該基板中，以和該第一導電類型的第一摻雜區域間隔開。該源極區域係被形成在該第一導電類型的第一摻雜區域中。該汲極區域係被形成在該第二導電類型的第二摻雜區域中。該閘極絕緣膜係被形成在該源極區域與該汲極區域之間。該閘極絕緣膜的一第一端的一厚度係不同於該閘極絕緣膜的一第二端的一厚度。該閘極電極係被形成在該閘極絕緣膜上。
简体摘要：一种半导体设备系包含一第一导电类型的第一掺杂区域、一第二导电类型的第二掺杂区域、一源极区域、一汲极区域、一闸极绝缘膜、以及一闸极电极。该第一导电类型的第一掺杂区域系被形成在一基板区域中。该第二导电类型的第二掺杂区域系被形成在该基板中，以和该第一导电类型的第一掺杂区域间隔开。该源极区域系被形成在该第一导电类型的第一掺杂区域中。该汲极区域系被形成在该第二导电类型的第二掺杂区域中。该闸极绝缘膜系被形成在该源极区域与该汲极区域之间。该闸极绝缘膜的一第一端的一厚度系不同于该闸极绝缘膜的一第二端的一厚度。该闸极电极系被形成在该闸极绝缘膜上。

3. 发明专利

TWI602300B 超接面半導體裝置及製造其之方法有权
简体标题：超接面半导体设备及制造其之方法
公开(公告)号：TWI602300B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW103114571
申请日：2014-04-22
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：全珖延 , JUN, KWANG YEON , 崔彰容 , CHOI, CHANG YONG , 禹赫 , WOO, HYUK , 趙文秀 , CHO, MOON SOO , 權純琢 , KWON, SOON TAK
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/7802

4. 发明专利

TWI586206B ＬＥＤ驅動裝置有权
简体标题：ＬＥＤ驱动设备
公开(公告)号：TWI586206B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101144848
申请日：2012-11-29
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：姜汰竟 , KANG, TAE-KYOUNG
IPC分类号： H05B33/08 , G09G3/36
CPC分类号： H05B37/02 , H05B33/0815 , H05B33/0848 , Y02B20/346

5. 发明专利

TWI572245B 用於ＬＥＤ陣列短路之偵測電路及使用該偵測電路之ＬＥＤ驅動裝置有权
简体标题：用于ＬＥＤ数组短路之侦测电路及使用该侦测电路之ＬＥＤ驱动设备
公开(公告)号：TWI572245B
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：TW101144849
申请日：2012-11-29
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：姜汰竟 , KANG, TAE-KYOUNG , 林奎昊 , LIM, GYU-HO , 柳凡善 , RYU, BEOM-SEON , 閔駿植 , MIN, JUN-SIK
IPC分类号： H05B33/08 , G09G3/00
CPC分类号： H05B37/036 , H05B33/089

6. 发明专利

TWI570914B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI570914B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW099124963
申请日：2010-07-28
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：車載漢 , CHA, JAE-HAN , 李倞鎬 , LEE, KYUNG-HO , 金善玖 , KIM, SUN-GOO , 崔瑩石 , CHOI, HYUNG-SUK , 金冑浩 , KIM, JU-HO , 蔡桭榮 , CHAE, JIN-YOUNG , 吳仁澤 , OH, IN-TAEK
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/7835 , H01L21/76264 , H01L29/0653 , H01L29/1083 , H01L29/4238 , H01L29/7391 , H01L29/7816

7. 发明专利

TWI563870B 發光二極體驅動裝置有权
简体标题：发光二极管驱动设备
公开(公告)号：TWI563870B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW101131246
申请日：2012-08-28
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：姜汰竟 , KANG, TAE-KYOUNG , 林昌植 , LIM, CHANG-SIK , 高銀娥 , KO, EUN-AH , 柳凡善 , RYU, BEOM-SEON
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H05B37/02 , G09G3/3406 , G09G2320/064 , H05B33/0818 , H05B33/086 , H05B33/0887 , Y02B20/346

8. 发明专利

TWI554150B 用於直流對直流轉換器之使用調光信號之脈衝寬度調變信號產生電路及在直接數位調光方法中具有該脈衝寬度調變信號產生電路之發光二極體驅動電路有权
简体标题：用于直流对直流转换器之使用调光信号之脉冲宽度调制信号产生电路及在直接数码调光方法中具有该脉冲宽度调制信号产生电路之发光二极管驱动电路
公开(公告)号：TWI554150B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100141111
申请日：2011-11-10
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：柳凡善 , RYU, BEOM-SEON , 林昌植 , LIM, CHANG-SIK
IPC分类号： H05B37/02 , H02M3/155
CPC分类号： H05B33/0815 , G09G3/3406 , G09G2310/08 , G09G2320/064 , G09G2330/02 , Y02B20/346

9. 发明专利

TWI545763B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI545763B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW101132196
申请日：2012-09-04
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：趙文秀 , CHO, MOON-SOO , 全珖延 , JUN, KWANG-YEON , 禹赫 , WOO, HYUK , 林昌植 , LIM, CHANG-SIK
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/22
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L29/0615 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/66712

10. 发明专利

TW201612734A 用於辨識手勢移動方向之裝置及方法审中-公开
简体标题：用于辨识手势移动方向之设备及方法
公开(公告)号：TW201612734A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104118960
申请日：2015-06-11
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.
发明人：林大湖 , LIM, DAE HO , 李龍燮 , LEE, YONG SUP
IPC分类号： G06F3/0488
CPC分类号： G06F3/017 , G06F3/0308 , G06F3/0421
摘要：本發明提供辨識手勢移動方向之裝置及方法。藉使用基於來自安置於上、下、左、右方向上之一或多個感測器之輸出值的相交點數目以及累加總和之碼而判定手勢最後移動方向。因此更準確地辨識在該等感測器上移動之目標(手)之移動方向。本發明提供辨識手勢之移動方向之裝置。辨識手勢之移動方向之該裝置包含：第一至第四感測器，其安置於在中心之北邊、南邊、西邊及東邊之位置處；及控制器，其經組態以基於該第一感測器、該第二感測器、該第三感測器及該第四感測器之輸出值而識別相交點數目，且根據該等相交點之該數目而估計該手勢之移動方向。
简体摘要：本发明提供辨识手势移动方向之设备及方法。藉使用基于来自安置于上、下、左、右方向上之一或多个传感器之输出值的相交点数目以及累加总和之码而判定手势最后移动方向。因此更准确地辨识在该等传感器上移动之目标(手)之移动方向。本发明提供辨识手势之移动方向之设备。辨识手势之移动方向之该设备包含：第一至第四传感器，其安置于在中心之北边、南边、西边及东边之位置处；及控制器，其经组态以基于该第一传感器、该第二传感器、该第三传感器及该第四传感器之输出值而识别相交点数目，且根据该等相交点之该数目而估计该手势之移动方向。

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