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1. 发明专利

TW521328B 金氧半電晶體的製造方法有权
简体标题：金氧半晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW521328B
公开(公告)日：2003-02-21
申请号：TW090128570
申请日：2001-11-19
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李東興 , 陳中怡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/665 , H01L21/265 , H01L27/11 , Y10S438/919
摘要：一種金氧半電晶體的製造方法，其步驟如下：首先在已形成閘極及閘極間隙壁的基底上進行一源/汲極離子植入製程，以於間隙壁外側之基底內形成源/汲極區。接著，利用自行對準技術於閘極與源/汲極區上形成一自行對準金屬矽化層，再於基底上形成一層作為後續蝕刻製程的氮化矽蝕刻阻擋層。然後，對氮化矽蝕刻阻擋層進行一氟全面植入製程，其植入劑量在5×1013cm-2~5×1014cm-2之間；植入能量在2KeV~5KeV之間，可以降低氮化矽層的氫濃度，進而增進金氧半電晶體的啟始電壓穩定度。
简体摘要：一种金氧半晶体管的制造方法，其步骤如下：首先在已形成闸极及闸极间隙壁的基底上进行一源/汲极离子植入制程，以于间隙壁外侧之基底内形成源/汲极区。接着，利用自行对准技术于闸极与源/汲极区上形成一自行对准金属硅化层，再于基底上形成一层作为后续蚀刻制程的氮化硅蚀刻阻挡层。然后，对氮化硅蚀刻阻挡层进行一氟全面植入制程，其植入剂量在5×1013cm-2~5×1014cm-2之间；植入能量在2KeV~5KeV之间，可以降低氮化硅层的氢浓度，进而增进金氧半晶体管的启始电压稳定度。

2. 发明专利

TW200406886A 半導體結構 SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS 失效
简体标题：半导体结构 SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS
公开(公告)号：TW200406886A
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW092123474
申请日：2003-08-26
申请人：麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：盧安 C 崔恩 LUAN C. TRAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L21/28044 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L27/10873 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L29/1041 , H01L29/4916 , H01L29/66537 , H01L29/66553 , H01L29/66583 , H01L29/6659 , H01L29/78 , Y10S438/919 , Y10S438/975
摘要：本發明揭示一種具有一對銦摻雜並由硼包圍之分區之通道區的半導體結構。一對電晶體結構位於該等通道區上，由一隔離區分隔。該等電晶體的閘極較其下之分區寬。本發明還揭示一種具有沿閘極側壁分佈之絕緣隔離層的電晶體結構的半導體結構。各電晶體結構係位於該等隔離層下延伸之一對源極／汲極區域之間。僅在各該電晶體結構之一側，一源極／汲極延伸部分使該源極／汲極區域在該等電晶體結構之下延伸得更遠。本發明還揭示形成半導體結構的方法。
简体摘要：本发明揭示一种具有一对铟掺杂并由硼包围之分区之信道区的半导体结构。一对晶体管结构位于该等信道区上，由一隔离区分隔。该等晶体管的闸极较其下之分区宽。本发明还揭示一种具有沿闸极侧壁分布之绝缘隔离层的晶体管结构的半导体结构。各晶体管结构系位于该等隔离层下延伸之一对源极／汲极区域之间。仅在各该晶体管结构之一侧，一源极／汲极延伸部分使该源极／汲极区域在该等晶体管结构之下延伸得更远。本发明还揭示形成半导体结构的方法。

3. 发明专利

TWI232548B 半導體結構及其製造方法 SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND METHODS OF FORMING THEREOF 失效
简体标题：半导体结构及其制造方法 SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS AND METHODS OF FORMING THEREOF
公开(公告)号：TWI232548B
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：TW092123474
申请日：2003-08-26
申请人：麥克隆科技公司 MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：盧安 C. 崔恩 LUAN C. TRAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10894 , H01L21/28044 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L27/10873 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L29/1041 , H01L29/4916 , H01L29/66537 , H01L29/66553 , H01L29/66583 , H01L29/6659 , H01L29/78 , Y10S438/919 , Y10S438/975
摘要：本發明揭示一種具有一對銦摻雜並由硼包圍之分區之通道區的半導體結構。一對電晶體結構位於該等通道區上，由一隔離區分隔。該等電晶體的閘極較其下之分區寬。本發明還揭示一種具有沿閘極側壁分佈之絕緣隔離層的電晶體結構的半導體結構。各電晶體結構係位於該等隔離層下延伸之一對源極/汲極區域之間。僅在各該電晶體結構之一側，一源極/汲極延伸部分使該源極/汲極區域在該等電晶體結構之下延伸得更遠。本發明還揭示形成半導體結構的方法。
简体摘要：本发明揭示一种具有一对铟掺杂并由硼包围之分区之信道区的半导体结构。一对晶体管结构位于该等信道区上，由一隔离区分隔。该等晶体管的闸极较其下之分区宽。本发明还揭示一种具有沿闸极侧壁分布之绝缘隔离层的晶体管结构的半导体结构。各晶体管结构系位于该等隔离层下延伸之一对源极/汲极区域之间。仅在各该晶体管结构之一侧，一源极/汲极延伸部分使该源极/汲极区域在该等晶体管结构之下延伸得更远。本发明还揭示形成半导体结构的方法。

4. 发明专利

TW313673B 製造高電壓半導體裝置的方法,以及以該方法製得的半導體失效
简体标题：制造高电压半导体设备的方法,以及以该方法制得的半导体
公开(公告)号：TW313673B
公开(公告)日：1997-08-21
申请号：TW085115745
申请日：1996-12-20
申请人：飛利浦電子股份有限公司
发明人：亞德瑞那斯威廉路迪克胡斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/0852 , H01L29/402 , H01L29/66659 , H01L29/7813 , H01L29/7824 , Y10S438/919
摘要：摻質每平公分10^12個原子之磊晶層係使用在依照更新型態的高電壓積體電路中之高電壓電路裝置更新條件。如果電路包含一在磊晶層的區域，此區域具有與底材相同之導電型式且可應用於高電壓，則此介於區域與底材的摻質必需是足夠高以防止此區域與底材之間的穿透。遵照此二項要求的已知方法是製造一非常厚的磊晶層。然而，在實務上，此方法並非經常有很好的再現性。根據此項發明，磊晶層的形式是一種高歐姆層，此層自圖3a上層及圖3b掩蔽層摻雜的。此掩蔽層為地毯式沉積，以光罩步驟實行之，並局部再摻質於島狀紹緣區(4)。
简体摘要：掺质每平公分10^12个原子之磊晶层系使用在依照更新型态的高电压集成电路中之高电压电路设备更新条件。如果电路包含一在磊晶层的区域，此区域具有与底材相同之导电型式且可应用于高电压，则此介于区域与底材的掺质必需是足够高以防止此区域与底材之间的穿透。遵照此二项要求的已知方法是制造一非常厚的磊晶层。然而，在实务上，此方法并非经常有很好的再现性。根据此项发明，磊晶层的形式是一种高欧姆层，此层自图3a上层及图3b掩蔽层掺杂的。此掩蔽层为地毯式沉积，以光罩步骤实行之，并局部再掺质于岛状绍缘区(4)。

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