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1. 发明专利

TWI562370B 橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件及其製造方法有权
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI562370B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102141562
申请日：2013-11-15
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 楊清堯 , YANG, CHING YAO , 廖文毅 , LIAO, WEN YI , 蘇宏德 , SU, HUNG DER , 張國城 , CHANG, KUO CHENG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/60
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L21/76229 , H01L29/0649 , H01L29/0852 , H01L29/1095 , H01L29/6681 , H01L29/7816

2. 发明专利

TWI492310B 溝槽蕭特基位障二極體及其製造方法有权
简体标题：沟槽萧特基位障二极管及其制造方法
公开(公告)号：TWI492310B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101101706
申请日：2012-01-17
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 黃建豪 , HUANG, CHIEN HAO
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/402 , H01L29/66143 , H01L29/8725

3. 发明专利

TWI476924B 雙擴散金屬氧化物半導體元件有权
简体标题：双扩散金属氧化物半导体组件
公开(公告)号：TWI476924B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：TW101116810
申请日：2012-05-11
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 黃建豪 , HUANG, CHIEN HAO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40

4. 发明专利

TWI456761B 高壓元件及其製造方法有权
简体标题：高压组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI456761B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100114458
申请日：2011-04-26
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

5. 发明专利

TWI456737B 垂直式半導體元件及其製造方法有权
简体标题：垂直式半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI456737B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW101107259
申请日：2012-03-05
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/73

6. 发明专利

TW201438249A 高壓元件製造方法审中-公开
简体标题：高压组件制造方法
公开(公告)号：TW201438249A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103121653
申请日：2011-07-14
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 朱煥平 , CHU, HUAN PING
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：本發明提出一種高壓元件製造方法，包含：提供第一導電型基板；形成第二導電型埋層於第一導電型基板中；形成第一導電型井區，由剖視圖視之，第一導電型井區介於基板上表面與第二導電型埋層之間；以及形成第二導電型井區於基板中，第二導電型井區具有第一側延伸至閘極下方，以及第二側延伸超過汲極下方，井區下表面具有第一部分與第二部分，第一部分位於第二導電型埋層上方，且第二部分不在第二導電型埋層上方。其中該第二導電型井區包括一區域，位於汲極下方，當高壓元件操作於不導通狀況下，該區域大致上空乏。
简体摘要：本发明提出一种高压组件制造方法，包含：提供第一导电型基板；形成第二导电型埋层于第一导电型基板中；形成第一导电型井区，由剖视图视之，第一导电型井区介于基板上表面与第二导电型埋层之间；以及形成第二导电型井区于基板中，第二导电型井区具有第一侧延伸至闸极下方，以及第二侧延伸超过汲极下方，井区下表面具有第一部分与第二部分，第一部分位于第二导电型埋层上方，且第二部分不在第二导电型埋层上方。其中该第二导电型井区包括一区域，位于汲极下方，当高压组件操作于不导通状况下，该区域大致上空乏。

7. 发明专利

TW201423987A 高電子遷移率電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：高电子迁移率晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201423987A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW101145965
申请日：2012-12-07
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 彭柏瑾 , PENG, PO CHIN , 蕭琮介 , HSIAO, TSUNG CHIEH , 劉亞弦 , LIU, YA HSIEN , 張國城 , CHANG, KUO CHENG , 蘇宏德 , SU, HUNG DER , 邱建維 , CHIU, CHIEN WEI , 黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 楊宗諭 , YANG, TSUNG YU , 張庭輔 , CHANG, TING FU
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66431 , H01L29/7789
摘要：本發明提出一種高電子遷移率電晶體(high electron mobility transistor,HEMT)及其製造方法。HEMT包含：基板、第一氮化鎵層、P型氮化鎵層、第二氮化鎵層、阻障層、閘極、源極與汲極。其中，第一氮化鎵層形成於基板上，由剖視圖視之，第一氮化鎵層具有階梯輪廓，且P型氮化鎵層形成於階梯輪廓之上階表面上，其具有增強側壁；第二氮化鎵層形成於P型氮化鎵層上，阻障層形成於第二氮化鎵層上，以使二維電子雲(2-D electron gas,2DEG)形成於阻障層與第二氮化鎵層間。閘極形成於增強側壁外，用以接收閘極電壓，進而導通或不導通HEMT。
简体摘要：本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)及其制造方法。HEMT包含：基板、第一氮化镓层、P型氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层、闸极、源极与汲极。其中，第一氮化镓层形成于基板上，由剖视图视之，第一氮化镓层具有阶梯轮廓，且P型氮化镓层形成于阶梯轮廓之上阶表面上，其具有增强侧壁；第二氮化镓层形成于P型氮化镓层上，阻障层形成于第二氮化镓层上，以使二维电子云(2-D electron gas,2DEG)形成于阻障层与第二氮化镓层间。闸极形成于增强侧壁外，用以接收闸极电压，进而导通或不导通HEMT。

8. 发明专利

TW201407913A 暫態電壓抑制器電路與用於其中之二極體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：暂态电压抑制器电路与用于其中之二极管组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201407913A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW101128368
申请日：2012-08-07
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 蘇金練 , SU, JIN LIAN
IPC分类号： H02H9/04 , H01L21/329 , H01L29/861
摘要：本發明提出一種暫態電壓抑制器(transient voltage suppressor,TVS)電路與用於其中之二極體元件及其製造方法。暫態電壓抑制器電路用以耦接至受保護電路，進而限制輸入受保護電路的暫態電壓振幅，其包含抑制元件與至少一二極體元件。二極體元件包括：基板，具有上表面；井區，形成於基板上表面下；分隔區，形成於基板中；第一導電型陽極，形成於分隔區一側之上表面下方；第二導電型陰極，形成於分隔區另一側之上表面下方，其中陽極與陰極由分隔區隔開；以及複數漂移擴散區，形成並連接於陽極或陰極下方，其具有與陽極或陰極相同的導電型。
简体摘要：本发明提出一种暂态电压抑制器(transient voltage suppressor,TVS)电路与用于其中之二极管组件及其制造方法。暂态电压抑制器电路用以耦接至受保护电路，进而限制输入受保护电路的暂态电压振幅，其包含抑制组件与至少一二极管组件。二极管组件包括：基板，具有上表面；井区，形成于基板上表面下；分隔区，形成于基板中；第一导电型阳极，形成于分隔区一侧之上表面下方；第二导电型阴极，形成于分隔区另一侧之上表面下方，其中阳极与阴极由分隔区隔开；以及复数漂移扩散区，形成并连接于阳极或阴极下方，其具有与阳极或阴极相同的导电型。

9. 发明专利

TWI422036B 高壓元件及其製造方法有权
简体标题：高压组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI422036B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW100104650
申请日：2011-02-11
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 羅國軒 , LO, KUO HSUAN
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/76

10. 发明专利

TW201351646A 雙擴散汲極金屬氧化物半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：双扩散汲极金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201351646A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW101129134
申请日：2012-08-13
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG YI , 黃建豪 , HUANG, CHIEN HAO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：本發明提出一種雙擴散汲極金屬氧化物半導體(double diffused drain metal oxide semiconductor,DDDMOS)元件及其製造方法。DDDMOS元件形成於P型基板中，包含第一井區、閘極、擴散區、源極與汲極，且另有一低壓元件形成於該基板中，包含第二井區以及輕摻雜汲極區，其中，第一井區與第二井區利用相同製程步驟形成，且擴散區與輕摻雜汲極區利用相同製程步驟形成。如此一來，根據本發明，高壓DDDMOS元件，可利用與低壓元件相同製程步驟形成。
简体摘要：本发明提出一种双扩散汲极金属氧化物半导体(double diffused drain metal oxide semiconductor,DDDMOS)组件及其制造方法。DDDMOS组件形成于P型基板中，包含第一井区、闸极、扩散区、源极与汲极，且另有一低压组件形成于该基板中，包含第二井区以及轻掺杂汲极区，其中，第一井区与第二井区利用相同制程步骤形成，且扩散区与轻掺杂汲极区利用相同制程步骤形成。如此一来，根据本发明，高压DDDMOS组件，可利用与低压组件相同制程步骤形成。

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