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1. 发明专利

TWI564956B 電漿處理裝置及電漿處理裝置之運轉方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备之运转方法
公开(公告)号：TWI564956B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW103120834
申请日：2014-06-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：戶上真人 , TOGAMI, MASAHITO , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 廣田侯然 , HIROTA, KOUSA , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32972 , H01J37/32458 , H01J37/32908 , H01J37/32963 , H01J37/3299 , H01J2237/0266 , H01J2237/2445 , H01J2237/3341

2. 发明专利

TW201511128A 電漿處理裝置及電漿處理裝置之運轉方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理设备之运转方法
公开(公告)号：TW201511128A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103120834
申请日：2014-06-17
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：戶上真人 , TOGAMI, MASAHITO , 臼井建人 , USUI, TATEHITO , 廣田侯然 , HIROTA, KOUSA , 井上智己 , INOUE, SATOMI , 中元茂 , NAKAMOTO, SHIGERU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32972 , H01J37/32458 , H01J37/32908 , H01J37/32963 , H01J37/3299 , H01J2237/0266 , H01J2237/2445 , H01J2237/3341
摘要：提供將處理的良率予以提升之電漿處理裝置或電漿處理裝置之運轉方法。一種電漿處理裝置，對於來自在處理室內所形成的電漿之發光的強度之變化進行檢測的檢測器，利用來自此檢測器之輸出而對於前述電漿的形成或處理配置在此處理室內之晶圓的條件進行調節，前述檢測器，對於在前述處理中之任意的時刻以前之複數個時刻下的前述發光的強度之訊號進行檢測，從此所檢測之訊號將前述發光的強度之長週期的時間變化之成分作除去而檢測出前述發光的強度之短時間變化的成分，基於所檢測之前述發光的強度之短時間變化而調節前述電漿的形成或對於配置在此處理室內之晶圓進行處理之條件。
简体摘要：提供将处理的良率予以提升之等离子处理设备或等离子处理设备之运转方法。一种等离子处理设备，对于来自在处理室内所形成的等离子之发光的强度之变化进行检测的检测器，利用来自此检测器之输出而对于前述等离子的形成或处理配置在此处理室内之晶圆的条件进行调节，前述检测器，对于在前述处理中之任意的时刻以前之复数个时刻下的前述发光的强度之信号进行检测，从此所检测之信号将前述发光的强度之长周期的时间变化之成分作除去而检测出前述发光的强度之短时间变化的成分，基于所检测之前述发光的强度之短时间变化而调节前述等离子的形成或对于配置在此处理室内之晶圆进行处理之条件。

3. 发明专利

TW201230132A 用於決定在多射束曝光裝置中之兩射束之間的距離之方法 METHOD FOR DETERMINING A DISTANCE BETWEEN TWO BEAMLETS IN A MULTI-BEAMLET EXPOSURE APPARATUS 审中-公开
简体标题：用于决定在多射束曝光设备中之两射束之间的距离之方法 METHOD FOR DETERMINING A DISTANCE BETWEEN TWO BEAMLETS IN A MULTI-BEAMLET EXPOSURE APPARATUS
公开(公告)号：TW201230132A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100141405
申请日：2011-11-14
申请人：瑪波微影IP公司
发明人：麥傑珍安卓依
IPC分类号： H01J , G03F
CPC分类号： H01J37/3045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/224 , H01J37/244 , H01J37/3177 , H01J2237/2445 , H01J2237/2446 , H01J2237/24578 , H01J2237/30433
摘要：本發明關於一種用於決定在多射束曝光裝置中之兩個帶電粒子射束之間的距離之方法。該裝置備有感測器,其包含用於將帶電粒子的能量轉換成為光線的轉換器元件與感光偵測器。該轉換器元件備有感測器表面區域,其備有射束阻隔與非射束阻隔區域的二維圖型。該種方法包含:將第一射束掃描在二維圖型上;接收響應於其為透射通過二維圖型之第一射束部分的帶電粒子而由轉換器元件所產生的光線;且,藉由感光偵測器來將接收的光線轉換成為第一訊號。然後,二維圖型與第一射束是關於彼此而相對移動越過一段預定距離。隨後,該種方法繼續為:將第二射束掃描在二維圖型上;接收響應於其為透射通過二維圖型之第二射束部分的帶電粒子而由轉換器元件所產生的光線;且,藉由感光偵測器來將接收的光線轉換成為第二訊號。最後,在第一射束與第二射束之間的距離是基於第一訊號、第二訊號與預定距離來決定。
简体摘要：本发明关于一种用于决定在多射束曝光设备中之两个带电粒子射束之间的距离之方法。该设备备有传感器,其包含用于将带电粒子的能量转换成为光线的转换器组件与感光侦测器。该转换器组件备有传感器表面区域,其备有射束阻隔与非射束阻隔区域的二维图型。该种方法包含:将第一射束扫描在二维图型上;接收响应于其为透射通过二维图型之第一射束部分的带电粒子而由转换器组件所产生的光线;且,借由感光侦测器来将接收的光线转换成为第一信号。然后,二维图型与第一射束是关于彼此而相对移动越过一段预定距离。随后,该种方法继续为:将第二射束扫描在二维图型上;接收响应于其为透射通过二维图型之第二射束部分的带电粒子而由转换器组件所产生的光线;且,借由感光侦测器来将接收的光线转换成为第二信号。最后,在第一射束与第二射束之间的距离是基于第一信号、第二信号与预定距离来决定。

4. 发明专利

TW201145308A 電子線照射裝置及電子線照射方法 ELECTRON BEAM IRRADIATION APPARATUS AND ELECTRON BEAM IRRADIATING METHOD 审中-公开
简体标题：电子线照射设备及电子线照射方法 ELECTRON BEAM IRRADIATION APPARATUS AND ELECTRON BEAM IRRADIATING METHOD
公开(公告)号：TW201145308A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100105252
申请日：2011-02-17
申请人：愛發科股份有限公司
发明人：佐竹徹 , 影山貴志
IPC分类号： G21K , B01J
CPC分类号： H01J37/3045 , C23C14/30 , H01J37/244 , H01J37/3005 , H01J2237/2445
摘要：提供一種:對於電子線之照射位置作監測,並當電子線從照射對象物而偏離了的情況時能夠將電子線輸出停止的電子線照射裝置以及電子線照射方法。若是將經由電子線之照射而從身為照射對象物(60)之主成分的元素所放出的特性X線之波長稱作第1波長,則在能夠被照射電子線之區域中的照射對象物(60)之表面區域以外的區域之至少一部份處,係被配置有放出與第1波長相異之第2波長的特性X線之外側構件。在電子線之照射中,將從照射對象物(60)和外側構件所放出之X線中的特定波長之X線的强度檢測出來,若是從檢測結果而發現異常,則使電子線停止。
简体摘要：提供一种:对于电子线之照射位置作监测,并当电子线从照射对象物而偏离了的情况时能够将电子线输出停止的电子线照射设备以及电子线照射方法。若是将经由电子线之照射而从身为照射对象物(60)之主成分的元素所放出的特性X线之波长称作第1波长,则在能够被照射电子线之区域中的照射对象物(60)之表面区域以外的区域之至少一部份处,系被配置有放出与第1波长相异之第2波长的特性X线之外侧构件。在电子线之照射中,将从照射对象物(60)和外侧构件所放出之X线中的特定波长之X线的强度检测出来,若是从检测结果而发现异常,则使电子线停止。

5. 发明专利

TWI585804B 用於反射電子束微影技術之干涉儀平臺精密測定系統及方法有权
简体标题：用于反射电子束微影技术之干涉仪平台精密测定系统及方法
公开(公告)号：TWI585804B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW102120833
申请日：2013-06-11
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：優美薩拉烏潘卓 , UMMETHALA, UPENDRA , 哈爾雷頓 , HALE, LAYTON , 克萊尼賈許 , CLYNE, JOSH , 奈飛薩米爾 , NAYFEH, SAMIR , 威廉斯馬克 , WILLIAMS, MARK , 迪瑞吉羅約瑟夫A , DIREGOLO, JOSEPH A. , 威爾森安卓 , WILSON, ANDREW
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317 , G03F7/20
CPC分类号： G01B11/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G01B11/14 , G01B21/16 , G03F7/70716 , G03F7/70775 , G03F7/70816 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/3174 , H01J2237/2445 , H01J2237/24578 , H01J2237/30433 , H01J2237/30438

6. 发明专利

TWI482193B 電子顯微鏡及電子線檢測器有权
简体标题：电子显微镜及电子线检测器
公开(公告)号：TWI482193B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW102126278
申请日：2013-07-23
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：今村伸 , IMAMURA, SHIN , 大嶋卓 , OHSHIMA, TAKASHI , 小瀬洋一 , OSE, YOICHI , 平根賢一 , HIRANE, KENICHI
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/26 , G01T1/20
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/063 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/28 , H01J2237/2801

7. 发明专利

TWI445039B 粒子偵測系統有权
简体标题：粒子侦测系统
公开(公告)号：TWI445039B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100111426
申请日：2011-03-31
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES-MICROVISION, INC.
发明人：王義向 , WANG, YI-XIANG , 汪蘇 , WANG, JOE
IPC分类号： H01J37/244
CPC分类号： H01J37/244 , H01J2237/2441 , H01J2237/2444 , H01J2237/2445 , H01J2237/2448 , H01J2237/2449

8. 发明专利

TWI573165B 電子顯微鏡、讀取器以及擷取元素頻譜之方法有权
简体标题：电子显微镜、读取器以及截取元素频谱之方法
公开(公告)号：TWI573165B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW103142736
申请日：2014-12-09
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳福榮 , CHEN, FU-RONG , 黃祖緯 , HUANG, TSU-WEI , 徐金良 , HSU, CHIN-LIANG
IPC分类号： H01J37/26 , G01N23/225
CPC分类号： H01J37/244 , G01N23/2252 , H01J37/28 , H01J2237/226 , H01J2237/2445 , H01J2237/24495 , H01J2237/24585 , H01J2237/2555

9. 发明专利

TW201514463A 帶電粒子束裝置审中-公开
简体标题：带电粒子束设备
公开(公告)号：TW201514463A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103128094
申请日：2014-08-15
申请人：日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人： □欣 , MAN, XIN , 麻畑達也 , ASAHATA, TATSUYA , 上本敦 , UEMOTO, ATSUSHI
IPC分类号： G01N1/32 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/244 , H01J37/252 , H01J37/3056 , H01J2237/20214 , H01J2237/2067 , H01J2237/2445 , H01J2237/24585 , H01J2237/25 , H01J2237/2555 , H01J2237/2561
摘要： [課題]提供可抑制試料的表面中的破壞層的形成的帶電粒子束裝置。 [技術內容]具備：將具有第一照射軸的電子束朝試料照射的電子束照射部、及可保持前述試料且在對於前述第一照射軸垂直交叉的方向具有旋轉軸的旋轉載台、及將具有與前述旋轉軸平行的第二照射軸的離子束朝前述試料照射的離子束照射部、及藉由前述離子束及前述電子束的照射檢出透過前述試料發生的帶電粒子及光之中至少一方的檢出部、及朝前述試料將氣體離子束照射的氣體離子束照射部。
简体摘要： [课题]提供可抑制试料的表面中的破坏层的形成的带电粒子束设备。 [技术内容]具备：将具有第一照射轴的电子束朝试料照射的电子束照射部、及可保持前述试料且在对于前述第一照射轴垂直交叉的方向具有旋转轴的旋转载台、及将具有与前述旋转轴平行的第二照射轴的离子束朝前述试料照射的离子束照射部、及借由前述离子束及前述电子束的照射检出透过前述试料发生的带电粒子及光之中至少一方的检出部、及朝前述试料将气体离子束照射的气体离子束照射部。

10. 发明专利

TW201419363A 電子顯微鏡及電子線檢測器审中-公开
简体标题：电子显微镜及电子线检测器
公开(公告)号：TW201419363A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102126278
申请日：2013-07-23
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：今村伸 , IMAMURA, SHIN , 大嶋卓 , OHSHIMA, TAKASHI , 小瀬洋一 , OSE, YOICHI , 平根賢一 , HIRANE, KENICHI
IPC分类号： H01J37/244 , H01J37/26 , G01T1/20
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/063 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/28 , H01J2237/2801
摘要：本發明的課題是在於使電子線檢測器的反射電子檢測的感度及反應速度提升。其解決手段是電子顯微鏡具備：藉由反射電子的射入來發出螢光之板狀的閃爍器(7)，及將在閃爍器(7)發出的螢光予以導光之光導(8)。此時，閃爍器(7)是具有比光導(8)的折射率更大的折射率，閃爍器(7)接合於光導(8)之閃爍器(7)的端面(72)是在外側藉由凸狀的曲面所形成。並且，閃爍器(7)是以組成式為(Ln1-xCex)3M5O12(Ln是表示由Y、Gd、La及Lu所選擇的至少一個的元素，M是表示由Al及Ga所選擇的至少一個的元素)的Y-Al-O系陶瓷燒結體所形成。
简体摘要：本发明的课题是在于使电子线检测器的反射电子检测的感度及反应速度提升。其解决手段是电子显微镜具备：借由反射电子的射入来发出萤光之板状的闪烁器(7)，及将在闪烁器(7)发出的萤光予以导光之光导(8)。此时，闪烁器(7)是具有比光导(8)的折射率更大的折射率，闪烁器(7)接合于光导(8)之闪烁器(7)的端面(72)是在外侧借由凸状的曲面所形成。并且，闪烁器(7)是以组成式为(Ln1-xCex)3M5O12(Ln是表示由Y、Gd、La及Lu所选择的至少一个的元素，M是表示由Al及Ga所选择的至少一个的元素)的Y-Al-O系陶瓷烧结体所形成。

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